摘要:本文以X波段非接觸式探針為設計對象,參照單極子微帶天線設計方法,將50ohm微帶線延伸出去,形成C形環結構,并將這部分的地去處,達到圈住信號傳輸線周圍的磁場構成磁耦合的目的。為了加強磁耦合,在C形環附近添加去地的反向C形微帶線結構以加強耦合,并調節耦合平坦度。根據仿真模型制作了實物,探針置于被測微帶傳輸線上方可獲得耦合信號,在X波段范圍內,耦合量在-19~-23dB之間。
1引言
微波組件向著集成、小型化方向發展,很多組件采用裸芯片工藝進行貼裝(比如T/R組件),常規的測試排故方法已難以滿足現代化測試要求,比如射頻板通過焊接半截線引出信號測試的方法,已完全不適合高集成度、高凈化度的組件測試。據此,本文開展了X波段非接觸式射頻探針的研究工作,以利于微波組件的調試[1]。
信號在微帶傳輸線上傳輸時,在其周圍存在閉環的磁場,當外部線圈或外部微帶線圈住一定磁通量時,變化的磁場就產生變化的電流,進而就可通過耦合的方式探測出信號。相比于半截線測試射頻信號時,這種磁耦合方式無需額外接地。一般情況下,當該非接觸式探針與被測對象接觸時,短路危險系數較低(與微帶線不直接接觸)[2]。另外,X波段信號耦合量小于-15dB時,對主路信號無影響,在探測信號的同時不影響系統正常工作[3,4]。
本探針采用的微帶形式借鑒單極子天線設計方法,將用于探測的微帶線底部的地去掉,從而形成開放的電磁耦合結構。調整用于探測的微帶線的長度與寬度可將空間波阻抗變換到50ohm,從而實現匹配。本文創新點在于采用C形環達到空間磁耦合目的,從而將近場能量轉化為電流,達到測試信號功率的目的。本文還有一個創新點在于采用互補磁耦合環結構,不僅加強了耦合,還可以調節耦合平坦度。該微帶探針不僅可以應用于X波段信號探測,對于其他頻段信號也可以探測(耦合度需要測試),因此該探針也能作為測試電磁泄漏的工具,在電磁空間探測領域具有一定的應用價值。該探針所采用的結構能被其他頻段射頻探針設計借鑒,是實用性很強的產品。
2 C形缺地微帶探針仿真
2.1 類單極子C形缺地探針設計
四分之一波長單極子天線要求延伸出的輻射電長度為四分之一波長,其輻射場分為近場與遠場,近場是比較復雜的電磁耦合轉換環境。本節所設計的類單極子C形缺地探針長度也為四分之一波長,利用近場的磁生電的原理進行信號探測。其結構圖如下圖1所示,主體由微帶50ohm饋線和C形缺地線組成:
圖1 C形缺地探針結構示意圖
C形缺地線電長度為四分之一波長:
其中,c為光速,f為工作頻率,Er為相對介電常數。
該結構的探針耦合度主要取決于與探測對象之間的距離以及C形環的開口大小。注意:該探針C形環必須與所測對象平行!
下面仿真分析了探測對象與C形環的距離對耦合度的影響。當C形環與背測微帶信號線平行相距1mm、1.2mm、1.4mm時,其耦合度在10GHz分別達到-19.45dB、-21.74dB、-23.46dB,其仿真結果如下圖2所示:
(1)相距1mm
(2)相距1.2mm
(3)相距1.4mm
圖2探針與被測對象的不同耦合距離的仿真結果
仿真結果表明,當隨著耦合間距的加大,耦合度也在減小,而且x波段耦合度不平坦,達到7dB以上的幅度波動。由于C形環長度較小,且與頻率相關,因此本節不對C形環的長度做相關仿真分析。
2.2增強型C型探針設計
由上節分析可知,C形環探測信號的耦合度受制于耦合間距。在間距達到1mm的情況下,在10GHz才達到-19.45dB。為了增強耦合度,本節在C形環旁邊添加了與它相反的C形環,達到電磁耦合互補,增加耦合度的作用。其結構示意圖如下圖3所示。
圖3 增強型C形缺地探針結構示意圖
添加的C形環受到相同的磁場耦合,產生與主線相反的電流,從而對主線進行二次耦合,增強了主線的耦合度。仿真了1mm耦合間距的耦合度,仿真結果如下圖4所示。在10GHz耦合-18.72dB,x波段耦合度-17.25~-19.27dB,波動2dB左右。
圖4 增強型C形缺地探針1mm耦合間距仿真結果
由仿真結果分析可知,添加的反向C形環不僅增加了耦合度,而且具備調節耦合平坦度的功能。
2.3非接觸式C形微帶探針實測
根據上節仿真結果制作了實物,如下圖5所示。下方微帶直通線與探針平行耦合的間距為1mm,測得X波段探針耦合度為-19dB~-23dB,與仿真值偏離不大。
圖5 C形微帶探針實物圖
3結論
針對微波組件的探測需求,提出一種X波段非接觸式微帶探針結構,以便于信號檢測。本探針采用的微帶形式借鑒單極子天線設計方法,將用于探測的微帶線底部的地去掉,從而形成開放的電磁耦合結構。調整用于探測的微帶線的長度與寬度可將空間波阻抗變換到50ohm,從而實現匹配。該結構形式易于實現,對工藝無特殊要求,可適合于微組裝產品的測試排故。
參考文獻
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原文標題:一種X波段非接觸式C形微帶探針設計
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