車載充電器可以使用多種PFC拓?fù)洌唧w取決于AC輸入的相數(shù)以及電網(wǎng)提供給車載充電器的輸出功率。單相AC輸入通常使用傳統(tǒng)的升壓或圖騰柱配置。對于雙向設(shè)計，PFC將采用圖騰柱配置。工程師可以將圖騰柱PFC配置為單相或三相運(yùn)行，從而實現(xiàn)單向或雙向充電。

#01傳統(tǒng)的升壓PFC

傳統(tǒng)的升壓PFC易于實現(xiàn)，EMI噪聲低，通過交錯相位提供可擴(kuò)展的功率。二極管的使用可以降低復(fù)雜性，但會影響效率。傳統(tǒng)PFC極適合單相交流輸入車載充電器的單向充電。這種拓?fù)涞睦硐肫骷x項是超級結(jié) (SJ) MOSFET、絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 和碳化硅 (SiC) 二極管。

#02無橋升壓PFC

無橋升壓PFC也適用于單相車載充電器，且不會像傳統(tǒng)的升壓PFC那樣出現(xiàn)橋路損耗。不過，非活動MOSFET的二極管會降低功率校正的有效性，從而影響其對車載充電器的實用性。

#03圖騰柱PFC

傳統(tǒng)的升壓PFC雖然成本低廉，但效率較低，而圖騰柱無橋PFC雖然成本較高，但效率也是商用選項中極高的。在快橋臂上使用寬禁帶 (WBG) 器件可實現(xiàn)高效率，特別是在連續(xù)導(dǎo)通模式 (CCM) 和三角導(dǎo)通模式 (TCM) 下。圖騰柱PFC支持電力的雙向流動，但實現(xiàn)起來比較復(fù)雜。圖騰柱無橋PFC的器件選項包括適合CCM的SiC MOSFET（快橋臂）和IGBT（慢橋臂）以及適合TCM模式的Si MOSFET。

SiC與IGBT的應(yīng)用場景

新型電動汽車充電系統(tǒng)的可變功率需求為工程師創(chuàng)造了利用半導(dǎo)體器件提升系統(tǒng)效率或降低成本的機(jī)會。下面介紹了車載充電器的幾種PFC材料選項。

#01SiC MOSFET

SiC MOSFET是一種堅固耐用的材料，適用于各種功率級和拓?fù)洌呛廊A或高性能電動汽車中高效車載充電器的理想選擇。這些應(yīng)用以及其他需要高開關(guān)頻率和低損耗的應(yīng)用，可通過更出色的熱管理實現(xiàn)快速充電。與IGBT或Si SJ MOSFET相比，SiC MOSFET具有更高的效率和功率密度，因此推薦將其用于800V電池系統(tǒng)的PFC、初級側(cè)DC-DC和次級側(cè)整流（雙向）。

#02IGBT

IGBT適用于大多數(shù)400V PFC拓?fù)浜虳C-DC級。盡管在11kW和22kW時損耗較高，性能不如SiC，但在成本敏感的中檔電動汽車應(yīng)用以及成本效益優(yōu)先的低開關(guān)頻率應(yīng)用中，IGBT表現(xiàn)不錯。

#03Si SJ MOSFET

這些器件的適用范圍較窄，主要適合7.2kW功率水平以下的升壓和無橋升壓。在11kW和22kW功率級上添加維也納 (Vienna) 設(shè)計可以提高這些應(yīng)用的性能。SiC SJ MOSFET適用于400V電池系統(tǒng)的PFC和DC-DC級。

一般來說，SiC MOSFET和IGBT是追求性能與設(shè)計靈活性的系統(tǒng)的優(yōu)選。

#04SiC與IGBT對比分析

SiC MOSFET在高電壓和高頻率下具有更出色的效率，由于功率損耗較低，因此非常適合需要高效率和緊湊設(shè)計的應(yīng)用。而且這些器件具有卓越的性能，能夠使800V電動汽車滿足對高功率和高效率有苛刻要求的應(yīng)用。

不過，對于成本效益比系統(tǒng)效率更重要的應(yīng)用來說，IGBT更有機(jī)會。因為IGBT能為400V電動汽車提供足夠的次級側(cè)性能，讓系統(tǒng)制造商擁有成本優(yōu)勢。

結(jié)語

車載充電器將來自電網(wǎng)的交流電轉(zhuǎn)換為適合電池充電的直流電，而電池充電在充電總量中占據(jù)了絕大比例。為車載充電器選擇合適的材料和拓?fù)鋵τ趦?yōu)化充電性能和效率至關(guān)重要。不同的拓?fù)浜筒牧细饔袃?yōu)缺點，因此設(shè)計人員必須選擇極佳應(yīng)用方案。SiC MOSFET對于高效率、高電壓的應(yīng)用至關(guān)重要，而IGBT則為低電壓系統(tǒng)提供了經(jīng)濟(jì)高效的替代方案。通過了解不同組件的利弊和使用案例，設(shè)計人員可以做出明智的決定，從而提高電動汽車充電解決方案的整體性能。

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