在2024年度全球電子成就獎的頒獎典禮上，安世半導(dǎo)體憑借其1200 V SiC（碳化硅）MOSFET在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的卓越表現(xiàn)，榮獲“年度功率半導(dǎo)體產(chǎn)品獎”。這一成就不僅彰顯了安世半導(dǎo)體在全球功率半導(dǎo)體市場的領(lǐng)先地位，也是對其產(chǎn)品競爭力和技術(shù)創(chuàng)新的國際認可。安世半導(dǎo)體碳化硅高級產(chǎn)品經(jīng)理董建云代表公司受邀出席并領(lǐng)取了這一榮譽獎項。

獎項介紹

全球電子成就獎(World Electronics Achievement Awards)旨在表彰對推動全球電子產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新做出杰出貢獻的企業(yè)和管理者，各類獎項獲得提名的企業(yè)、管理者及產(chǎn)品均為行業(yè)領(lǐng)先者，充分體現(xiàn)了其在業(yè)界的領(lǐng)先地位與不凡表現(xiàn)。

IIC Shenzhen 2024同期舉行的高效電源管理及寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)論壇上，安世半導(dǎo)體碳化硅高級產(chǎn)品經(jīng)理董建云帶來了Nexperia碳化硅技術(shù)，賦能電氣化和綠色節(jié)能的未來的專題報告。

獲獎產(chǎn)品

安世半導(dǎo)體于2024年5月推出了NSF030120D7A0 ，一款基于碳化硅的 1200 V 功率 MOSFET。它采用成熟的 7 引腳 TO-263 塑料封裝，適用于表面貼裝 PCB 技術(shù)。出色的 RDSon 溫度穩(wěn)定性、高開關(guān)速度和高短路耐用性，使其成為電動汽車充電、基礎(chǔ)設(shè)施、光伏逆變器和電機驅(qū)動的首選產(chǎn)品。

RDS(on)會影響傳導(dǎo)功率損耗，是SiC MOSFET的關(guān)鍵性能參數(shù)。但是通過創(chuàng)新工藝技術(shù)，Nexperia 的SiC MOSFET實現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的溫度穩(wěn)定性，在25℃至175℃的工作溫度范圍內(nèi)，RDS(on)的標(biāo)稱值僅增加38%。這與市場上其他許多目前可用的 SiC 器件不同。

安世半導(dǎo)體SiC MOSFET的VGS(th)閾值電壓器件間分布差異極低，這使得器件并聯(lián)工作時，在靜態(tài)和動態(tài)條件下都能實現(xiàn)非常均衡的載流性能。此外，較低的體二極管正向電壓(VSD)有助于提高器件穩(wěn)健性和效率，同時還能放寬對異步整流和續(xù)流操作的死區(qū)時間要求。

Nexperia (安世半導(dǎo)體)

Nexperia（安世半導(dǎo)體）總部位于荷蘭，是一家在歐洲擁有豐富悠久發(fā)展歷史的全球性半導(dǎo)體公司，目前在歐洲、亞洲和美國共有14,000多名員工。作為基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件開發(fā)和生產(chǎn)的領(lǐng)跑者，Nexperia（安世半導(dǎo)體）的器件被廣泛應(yīng)用于汽車、工業(yè)、移動和消費等多個應(yīng)用領(lǐng)域，幾乎為世界上所有電子設(shè)計的基本功能提供支持。

Nexperia（安世半導(dǎo)體）為全球客戶提供服務(wù)，每年的產(chǎn)品出貨量超過1,000億件。這些產(chǎn)品在效率（如工藝、尺寸、功率及性能）方面成為行業(yè)基準(zhǔn)，獲得廣泛認可。Nexperia（安世半導(dǎo)體）擁有豐富的IP產(chǎn)品組合和持續(xù)擴充的產(chǎn)品范圍，并獲得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001標(biāo)準(zhǔn)認證，充分體現(xiàn)了公司對于創(chuàng)新、高效、可持續(xù)發(fā)展和滿足行業(yè)嚴(yán)苛要求的堅定承諾。

Nexperia：效率致勝。