在直拉法(cz)和區(qū)熔法(Fz)制成的單晶硅錠中內(nèi)生微缺陷都由V/G控制，其中，V是結(jié)晶前沿晶體生長(zhǎng)速率，G是晶體中固液界面附近的軸向溫度梯度。

如果V/G低于臨界值，則形成的缺陷為A型漩渦缺陷或B型漩渦缺陷；如果V/G高于臨界值，則A/B型缺陷消失，新的缺陷類型出現(xiàn)。這種新缺陷被稱作D類缺陷或V類缺陷。V/G的臨界值與缺陷形成的關(guān)系可以用圖表示，由圖中可知，V/G的臨界值為為0.13mm/minK。

A型漩渦缺陷 也稱為刃型位錯(cuò)，它們是晶體中最常見(jiàn)的位錯(cuò)類型之一。

A型位錯(cuò)涉及晶體平面的局部錯(cuò)位，其中一個(gè)半平面被插入到另一個(gè)半平面之間。

這種錯(cuò)位導(dǎo)致晶體內(nèi)部的應(yīng)力分布不均，可能影響材料的塑性變形和斷裂行為。

B型漩渦缺陷 也稱為螺型位錯(cuò)，B型位錯(cuò)是晶體中的另一種常見(jiàn)位錯(cuò)類型。

它們由螺旋狀排列的原子平面組成，看起來(lái)像是一個(gè)螺旋樓梯。

B型位錯(cuò)可以沿著晶體的特定方向移動(dòng)，影響材料的塑性變形和斷裂。

D類缺陷

這個(gè)術(shù)語(yǔ)通常不用于描述晶體中的點(diǎn)缺陷，而是用于描述位錯(cuò)的一種類型，即線缺陷。

D類位錯(cuò)是一種特殊的位錯(cuò)，其中原子或離子的排列在晶體中形成類似啞鈴的形狀。

它們通常與位錯(cuò)的移動(dòng)和材料的塑性變形有關(guān)。

V類缺陷

V類缺陷指的是晶體中的空位，即原子或離子缺失的地方。

空位是最常見(jiàn)的點(diǎn)缺陷之一，它們可以在材料的制造過(guò)程中產(chǎn)生，也可以在材料的使用過(guò)程中由于原子的熱振動(dòng)而形成。

空位可以影響材料的許多物理性質(zhì)，如電導(dǎo)率、熱導(dǎo)率和機(jī)械強(qiáng)度。