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芯導(dǎo)科技推出650V/1200V高性能IGBT產(chǎn)品

芯導(dǎo)科技Prisemi ? 來源:芯導(dǎo)科技Prisemi ? 2024-11-15 11:09 ? 次閱讀

能源是經(jīng)濟(jì)社會發(fā)展的重要物質(zhì)基礎(chǔ)和動(dòng)力源泉。近些年,“雙碳”戰(zhàn)略引領(lǐng)能源轉(zhuǎn)型革命,發(fā)展綠色低碳新質(zhì)生產(chǎn)力既是解決全球環(huán)境問題的重要保障,更是國家經(jīng)濟(jì)與民生福祉的必然要求。

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)全稱是“絕緣柵雙極型晶體管”,在新能源大功率電力電子設(shè)備中發(fā)揮著關(guān)鍵作用,兼具有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。

在相關(guān)政策的帶動(dòng)下,我國特高壓直流輸電、高壓變頻、交流傳動(dòng)機(jī)車/動(dòng)車組、城市軌道交通等領(lǐng)域得到了飛速發(fā)展,光伏及風(fēng)能發(fā)電、新能源汽車、儲能、數(shù)據(jù)中心等新的應(yīng)用也日益成熟,此類應(yīng)用對IGBT產(chǎn)品具有旺盛的需求,并在產(chǎn)品性能、技術(shù)參數(shù)、可靠性等方面提出了較高要求。

芯導(dǎo)科技現(xiàn)已推出,采用第7代工藝技術(shù)的IGBT產(chǎn)品系列,具有如下優(yōu)勢:

采用精細(xì)溝槽結(jié)構(gòu),窄pitch和發(fā)射極載流子存儲IGBT技術(shù)

國內(nèi)最先進(jìn)12吋IGBT晶圓加工工藝,具有良好的參數(shù)一致性

低導(dǎo)通壓降,正溫度系數(shù),易于并聯(lián)使用

高短路耐量

低開關(guān)損耗

650V/1200V 小電流產(chǎn)品系列采用TO-247/TO-247PLUS單管封裝形式,適用工業(yè)控制、電動(dòng)汽車PTC等領(lǐng)域應(yīng)用:

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芯導(dǎo)科技SiC SBD混封IGBT產(chǎn)品系列,具有開關(guān)頻率快、反向恢復(fù)損耗極低的特點(diǎn),應(yīng)用于光伏和不間斷電源領(lǐng)域。

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1200V 100A以上大電流產(chǎn)品系列,主要采用Econodual3/62mm等模塊封裝形式,適用于儲能等領(lǐng)域:

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原文標(biāo)題:IGBT產(chǎn)品推薦 | 采用第七代工藝,芯導(dǎo)科技推出650V/1200V 高性能IGBT產(chǎn)品

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