電源輸入的反接保護電路，一般有以下兩種電路形式：

01

自恢復保險絲 + 二極管

優點：防反接的同時，還防過流。

缺點：1.自恢復保險絲有個0.xV左右的壓降，大電流時會發熱。

2.高耐壓大電流的自恢復保險絲，不僅體積巨大，還貴。

原理：

電源極性正確接入時，二極管關斷，相當于電路回路中串聯了一個自恢復保險絲。

電源反接時，二極管導通，使自恢復保險絲過流熔斷，電流回路開路。

待自恢復保險絲恢復時，重復熔斷。

所以反接的時候，自恢復保險絲會反復熔斷、恢復，自恢復保險絲和二極管會些許發熱。

設計要點：D1的工作電流，起碼要大于 F1的熔斷電流（自恢復保險絲的熔斷電流一般為工作電流的2倍，具體看手冊）。

完整電路像這樣：

02

MOS管（N/P）

優點：占地面積小，成本低，壓降小，可過大電流。

原理：PMOS、NMOS做反接保護的原理都一樣，以PMOS的電路為例。

PMOS：- 電源極性正常接入時。Q2的寄生二極管導通，右側S極的電壓為 （24 -0.7）=23.3V。

G極電壓為 R9、R10的分壓 24 x （200/（100+200））= 16V。

于是 Q2的 Vgs = 16 - 23.3 = -7.3V。

大于 AO3401的門極導通閥限電壓 -1.3V，MOS管 DS極導通。

MOS導通后，MOS的寄生二極管被 DS短路。

此時的壓降 Vds僅等于 MOS-DS極內阻 x 電流，Q2熱功耗很小。

- 電源反接時，Q2的寄生二極管關斷，DS極需要承受電壓。

設計要點：R9、R10的取值，要保證不會超出最大Vgs電壓范圍，并且留有一定安全余量。

MOS管的選型，要考慮Vds、Vgs、DS極導通電阻（Rds-on）、DS極電流。

MOS盡量使用 Rds-on小的型號。

P-MOS 反接保護電路：

圖中 R9、R10為分壓作用。使 P-MOS的 Vgs，不會超過±12V的最大 Vgs電壓范圍，并且留有一定安全余量。

AO3401 關鍵手冊參數截圖：

N-MOS 反接保護電路：

圖中 R9、R10為分壓作用。使 N-MOS的 Vgs，不會超過±12V的最大 Vgs電壓范圍，并且留有一定安全余量。

AO3400關鍵手冊參數截圖：