防反接電路

常見的措施：

1.通過機械結構的設計 讓接線端子 正確接入時能匹配上，不正確時 匹配不上

2.通過線的顏色做區分

3.通過電路的設計

防反接電路匯總：

典型電路類型：

1.二極管防反接（不常用）

二極管有 0.7的導通壓降 如果有大電流經過的時候就會發熱 功率比較高。（一般選用 肖特基二極管導通壓降比較低 也要考慮反向電壓）

2.保險絲和二極管（穩壓二極管）防反接

二極管并聯到電路中。二極管要考慮導通電流和反向耐壓等參數

3.橋式整流電路

看好電路圖的 電源和負載的兩端接哪

4.MOS管防反接（用得比較多的一種）

PMOS：

在 PMOS 管防反接電路中，柵極那邊的兩個電阻主要起到限流和保護的作用。這些電阻的阻值通常根據具體的電路設計要求來選擇，一般需要根據 PMOS 管的特性和工作電壓來確定。

旁邊的二極管是一個穩壓保護二極管 為了保護GS之間的電壓不會過高從而損壞二極管

在電路分析中 pmos導通和體二極管無關。mos的源漏是相對的。對pmos，電壓高的是s，低的是d。正常上電時，3腳電壓高，所以這時3腳是s，g比s低，所以管子導通（圖中的D S應該反過來）。

NMOS：

NMOS 如果 正接 Vg=2V Vs=0V 所以 DS導通 形成回路

反接 Vg=0 Vs=5V 所以DS不導通 形成不了回路

防倒灌電路

什么是倒灌？

1.開關電源給負載供電， 如果負載是電池或者其他感性負載（比如像 電機 有線圈 當電源突然斷掉時 會產生感應電動勢）時， 當220V斷掉的時候，可能會出現 電池反向給開關電源 的 輸出端 供電，導致開關電源的一些莫名損壞。

2.系統在不同的 輸出電壓 之間 切換時，會存在高壓電壓倒灌到低壓電壓源中。

例如：系統 有兩個電源供電 比如 一個電池 一個 充電器 充電器的電壓一般會高于電池 如果沒有防倒灌的電路 可能充電器的電壓會直接倒灌給電池 造成電池的損壞。

1.二極管串聯防倒灌電路：

該電路 二極管選型要選取電源額定輸出電流的（5-10）倍并且可以加散熱片。

2.雙MOS組成的防倒灌電路

電路分析：

正常情況下（無電流倒灌） ON/OFF接口可以進行IO口控制也可以直接通過VIN控制，

所以這次就以 VIN的有無 來控制 VIN輸入電壓到三極管，三極管導通（基極電壓大于發射極），由于三極管下連的是地，所以 PMOS管的柵極電壓為0， Vgs=-Vin 所以導通 所以 兩個PMOS管導通。

當輸入電壓突然沒有的時候， Vin沒有 所以 三極管Vb=0 Vbe<0，所以不導通，PMOS管柵極和漏極S連在一起所以電壓相等 Vgs=0，所以不導通

3.雙MOS組成電源自動切換電路（前提 VCC>電池電壓）

Bat Charge 為電池電壓

VCC為系統電壓

當只用電池電壓供電時：MOS管Q9 柵極g為0V 源極S Vs=V電池 Vgs=-V電池 PMOS導通 Q9導通了 Q10也導通了 ，然后給到 單片機VCC_mcu。

只有VCC時：通過LDO Vout 通過二極管給到MCU進行供電 Q9和Q10的G都是Vout的電壓 所以不導通。VCC_MCU=Vout-二極管的壓降

當VCC和電池同時供電時：Q9柵極電壓為VCC 對于MOS管 Vgs=Vout-V電池 所以MOS管不導通， Q10 g極 Vg=Vout Vs=Vout-V二極管 Vgs>0 所以也截止 。

4.雙三極管鏡像電路防倒灌

Vin 經過三極管 由于是PNP三極管 Vb連接地=0V Ve=Vin 所以三極管Q6導通 導通之后就會有管壓降 所以 Vb的電壓=Vin-0.6V Q7 Ve=Vout-0.6V 需要滿足 Ve>Vb 三極管Q7才會導通 但Vout會大于Vin 所以會是截止的。

正常工作時 Q5 Q6導通 Q7不導通 ， 當出現倒灌時 Q5 Q6不導通 Q7導通

過流保護

ESP：靜電放電(一般在芯片內部電路)

ESD相關概念及模型

人體放電：人體帶的電荷 然后觸碰芯片管腳， 芯片其他管腳正好有個接了地 產生電流 損壞芯片

機器放電模式：機器觸碰芯片的時候， 帶電金屬體 觸碰芯片

元件充電：芯片可能在搬運啥的過程中本身被充電了 當夾具夾住的時候可能就通過夾具釋放出來了

ESD保護概念

在芯片內部 提供ESD的電流路徑 以免ESD放電的時候 靜電電流流入芯片內部對芯片造成傷害 從而保護電路

下圖 PAD可以當做芯片引腳 如果沒加保護電路， 以人體放電為例，手碰到了 PAD1 PAD2接地 電流直接沿著紫色虛線的方向走從PAD1到PAD2，直接燒毀芯片。

藍色的這些都是ESD保護 這些電路能在發生ESD的時候 能瞬間導通 把電流引導出去 且是可逆的 不會被靜電所損傷

ESD保護示例

利用二極管（齊納二極管）的正向導通和反向擊穿特性可實現最基礎的ESD保護電路

如果來了ESD PAD1和PAD3形成回路