本文通過圖文并茂的方式生動展示了MOSFET晶體管的工藝制造流程，并闡述了芯片的制造原理。

MOSFET的工藝流程

芯片制造工藝流程包括光刻、刻蝕、擴散、薄膜、離子注入、化學機械研磨、清洗等等，在前面的文章我們簡要的介紹了各個工藝流程的細節，這篇文章大致講解這些工藝流程是如何按順序整合在一起并且制造出一個MOSFET的。

1. 我們首先擁有一個硅純度高達99.9999999%的襯底。

硅襯底

2. 在硅晶襯底上生長一層氧化薄膜。

生長氧化薄膜

3. 均勻的旋涂上光刻膠。

膠旋涂光刻膠

4. 通過光掩膜進行光刻，把光掩膜板上的圖案轉移到光刻膠上。

光刻

5. 感光區域的光刻膠顯影之后被清洗掉。

感光

顯影

6. 通過刻蝕把沒有被覆蓋光刻膠的氧化薄膜刻蝕掉，這樣把光刻圖案轉移到晶圓上了。

刻蝕

7. 清洗去掉多余的光刻膠。

去膠

8. 再長一層較薄的氧化膜。之后再通過上面的光刻和刻蝕，只保留柵極區域的氧化膜。

柵氧生長

9. 在上面生長一層多晶硅。

多晶硅生長

10. 和第8步一樣通過光刻和刻蝕，只保留柵氧化層上面的多晶硅。

多晶硅柵極

11. 在進行光刻清洗覆蓋住氧化層和柵極，這樣就對整片晶圓進行離子注入，就有了源極和漏極。

離子注入

源極和漏極的形成

12. 在晶圓上面生長一層絕緣薄膜。

絕緣薄膜

13. 通過光刻和刻蝕把源極、柵極和漏極的接觸孔刻蝕出來。

接觸孔刻蝕

14. 再在刻蝕的地方進行金屬的沉積，這樣就有了源極、柵極和漏極的導電金屬線了。

金屬沉積

最后通過各種工藝的組合就制造出來一個完整的MOSFET。

完整的MOSFET

芯片的制造原理

其實芯片的底層就是大量的晶體管組成的。

MOSFET中的源極、柵極、漏極

各種晶體管組成邏輯門

邏輯門組成運算器

運算器組成具有特定功能的集成電路

最后組成只有一個指甲大小的芯片