電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）在日前由TrendForce集邦咨詢主辦的MTS2025存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)研討會(huì)上，集邦分析師們都提到AI對(duì)存儲(chǔ)乃至半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的推動(dòng)。

集邦咨詢資深研究副總經(jīng)理郭祚榮表示，AI應(yīng)用帶動(dòng)高效能運(yùn)算芯片需求發(fā)燒已持續(xù)近兩年，高算力應(yīng)用成為先進(jìn)制程及晶圓代工產(chǎn)業(yè)最大驅(qū)動(dòng)力。

自2025年起，除了AI芯片供貨商及CSPs自研芯片，內(nèi)存供貨商也因應(yīng)高算力需求，爭(zhēng)相尋求先進(jìn)制程晶圓代工伙伴合作；區(qū)域競(jìng)爭(zhēng)下更讓全球半導(dǎo)體格局發(fā)生重大變革，無(wú)論先進(jìn)工藝與封裝工藝都將是未來(lái)的致勝關(guān)鍵。

此外晶圓廠上中下游配套IP、設(shè)計(jì)服務(wù)及封測(cè)生態(tài)已成為AI領(lǐng)域競(jìng)賽的必要資源。除先進(jìn)制程的商機(jī)外，Edge AI是否能為需求沉寂已久的成熟制程注入新活力，2025年的晶圓代工產(chǎn)業(yè)在Cloud AI與Edge AI的發(fā)展下將如何變革成為關(guān)注焦點(diǎn)。

集邦咨詢研究經(jīng)理劉家豪認(rèn)為，明年服務(wù)器市場(chǎng)有所改善，隨著全球AI服務(wù)器市場(chǎng)對(duì)云端服務(wù)供貨商(CSPs)及品牌業(yè)者對(duì)AI基礎(chǔ)設(shè)施需求不斷增強(qiáng)，預(yù)計(jì)2025年AI服務(wù)器的出貨量將持續(xù)攀升至約15%。

對(duì)于AI對(duì)內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的影響，TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷結(jié)合供給端和需求端、以及明年的市場(chǎng)展望，做了專業(yè)深入的分享。

供給端：HBM是否會(huì)供過(guò)于求？

從2024年內(nèi)存市場(chǎng)生產(chǎn)位元成長(zhǎng)Production bit growth的情況來(lái)看，預(yù)計(jì)三星明年的生產(chǎn)成長(zhǎng)14%，SK海力士接近30%，美光增長(zhǎng) 23%，NANYA增長(zhǎng)16%。DRAM產(chǎn)能方面，三星在今年年底會(huì)達(dá)到120K，2025年規(guī)劃達(dá)到170K。

HBM成為一大熱門(mén)內(nèi)存產(chǎn)品，吳雅婷分析，其中三星HBM產(chǎn)量占其總內(nèi)存產(chǎn)量的9%，SK海力士占比達(dá)14%，美光由于后段產(chǎn)能不多，因此明年總產(chǎn)出占比為6%。美光的HBM驗(yàn)證狀況穩(wěn)定，目前HBM產(chǎn)能不算太多，今年底25K，明年底45K，市場(chǎng)份額還遠(yuǎn)低于SK海力士和三星電子這兩家韓系廠商。

那么，對(duì)于明年HBM會(huì)否供過(guò)于求的問(wèn)題，吳雅婷表示，我們始終認(rèn)為明年HBM的需求非常旺盛，HBM的研發(fā)歷程以及良率提升的難度會(huì)遠(yuǎn)高于之前的產(chǎn)品，因此目前預(yù)測(cè)的成長(zhǎng)數(shù)字有可能會(huì)下修的。換言之，不會(huì)出現(xiàn)供過(guò)于求的情況。

吳雅婷指出，HBM的議價(jià)方式是一年一次，大約會(huì)在每年4月份發(fā)生，由于HBM還是比較熱門(mén)，因此整體來(lái)看明年HBM不太會(huì)有缺貨的情況，并且價(jià)格會(huì)持續(xù)上漲。

2024年HBM3的占比持續(xù)提升，而這個(gè)現(xiàn)象在明年會(huì)更加明顯，預(yù)計(jì)HBM3e在明年將占所有HBM產(chǎn)出的85%。

三星HBM給英偉達(dá)的供貨主要是配合H20，目前GB200還沒(méi)有應(yīng)用，此外三星HBM也為谷歌供貨。SK海力士在今年下半年主力提供HBM給英偉達(dá)H200、GB200產(chǎn)品。美光HBM供應(yīng)在明年主要集中在MI325和GB300。

2024年的內(nèi)存供應(yīng)，一方面是全球DRAM產(chǎn)能沒(méi)有增加，而HBM快速滲透，HBM相比于DDR5需要用到更多wafer，因此影響內(nèi)存供應(yīng)量，從而帶動(dòng)內(nèi)存價(jià)格上漲。

另一方面，疫情之后整個(gè)智能手機(jī)的出貨量增速放緩，2024年由于內(nèi)存價(jià)格上漲，各家廠商在手機(jī)中增加更多內(nèi)存的意愿降低。若明年增長(zhǎng)，則寄希望于AI手機(jī)的普及帶動(dòng)單機(jī)搭配容量的上升。

吳雅婷指出，明年LPDDR5將成為主流，其中LPDDR5在智能手機(jī)上的占比會(huì)提升到55%。

需求端：AI LPDDR 和 AI Server DRAM高成長(zhǎng)

通用型Server DRAM 和 Mobile DRAM需求量占比最高，但AI LPDDR 和 AI Server DRAM成長(zhǎng)性更好，正在成為市場(chǎng)下一個(gè)引領(lǐng)力量。

至于為何AI用LPDDR5越來(lái)越多，吳雅婷解釋說(shuō)，英偉達(dá)的Grace CPU制造工藝是用onboard的方式打在板子上，后續(xù)英偉達(dá)會(huì)將LPDDR5X以模組形式出貨。預(yù)測(cè)算明年LPDDR5X 在 AI Server上的成長(zhǎng)率會(huì)超過(guò)40%。同時(shí)，這將排擠 LPDDR5應(yīng)用于智能手機(jī)的出貨量。總體，明年LPDDR5的價(jià)格表現(xiàn)會(huì)比LPDDR4更有支撐度。

HBM需求方面，英偉達(dá)仍然是最大采購(gòu)客戶，今年占比達(dá)58%，明年預(yù)計(jì)是73%。在HBM價(jià)格堅(jiān)挺，如若有價(jià)格弱化的情況也主要是BM2e或HBM3。隨著HBM3E的持續(xù)滲透，明年有望占比超過(guò)8成。價(jià)格方面，HBM3e 12hi以每字節(jié)的價(jià)格來(lái)看，相比8hi的產(chǎn)品價(jià)格要貴10%到 15%。

集邦咨詢認(rèn)為明年HBM的產(chǎn)品均價(jià)成長(zhǎng)會(huì)接近18%，當(dāng)然并非每家廠商都有如此增長(zhǎng)，要視廠商拿到的英偉達(dá)份額多少來(lái)看。

值得注意的是LPDDR的價(jià)格有向下的趨勢(shì)，過(guò)去兩三季度智能手機(jī)廠商積極消化庫(kù)存，采購(gòu)LPDDR4、LPDDR5意愿不強(qiáng)，不過(guò)隨著庫(kù)存水位的下降，有望在明年一季度開(kāi)始暢旺地采購(gòu)，從而拉動(dòng)LPDDR的價(jià)格。

明年內(nèi)存行情如何？

吳雅婷表示，預(yù)計(jì)2025年DRAM產(chǎn)值仍創(chuàng)歷史新高，主要原因是HBM這一高價(jià)產(chǎn)品的滲透率提升。總體上明年供給位元成長(zhǎng)25%，需求成長(zhǎng)23%，因此每一家供應(yīng)商對(duì)于明年的產(chǎn)能規(guī)劃需要非常謹(jǐn)慎。

2025年HBM占內(nèi)存整體市場(chǎng)份額接近9%，但由于價(jià)格高，對(duì)整個(gè)營(yíng)收貢獻(xiàn)達(dá)34%，甚至40%。如果DRAM價(jià)格跌幅進(jìn)一步加深，HBM的占比相應(yīng)會(huì)提高。而幾家內(nèi)存大廠的獲利情況要視其在HBM上的競(jìng)爭(zhēng)力以及HBM的供給量而定。

價(jià)格方面，2024年第四季度，終端廠商一直庫(kù)存去化，造成一般型DRAM（Conventional DRAM）價(jià)格下降，每季大概下跌3%到8%，即便加上HBM 7個(gè)季度的表現(xiàn)，整體的DRAM價(jià)格仍有1%到 5%的下跌。明年上半年，因?yàn)橄M(fèi)型需求沒(méi)有大回溫的跡象，需求仍比較弱，整體的價(jià)格主要靠HBM支撐，預(yù)計(jì)整體DRAM在明年一季度的下跌會(huì)到10%，第二季度、第三季度跌幅縮小。

如若Conventional DRAM 的需求減少的同時(shí)，供應(yīng)商壓縮產(chǎn)能，那么明年下半年情況可能會(huì)有所改變。預(yù)計(jì)第三季、第四季整體 DRAM 的價(jià)格上漲。

Mobile DRAM方面，LPDDR4X和LPDDR5X市場(chǎng)表現(xiàn)不同，LPDDR4X供應(yīng)量大，隨著智能手機(jī)向 LPDDR5遷移，LPDDR4的價(jià)格走勢(shì)面臨挑戰(zhàn)。而LPDDR5X在AI上應(yīng)用越來(lái)越廣泛，表現(xiàn)更穩(wěn)健。

HBM3e依舊是明年的重點(diǎn)，占比到80%以上，尤其在12hi的產(chǎn)品，至于三大廠商的市場(chǎng)份額競(jìng)爭(zhēng)，還得看部分廠商在英偉達(dá)的推進(jìn)進(jìn)度。

總體上，AI、通用服務(wù)器的內(nèi)存需求表現(xiàn)良好，期待消費(fèi)電子的需求增長(zhǎng)，同時(shí)內(nèi)存廠商調(diào)控Conventional DRAM的產(chǎn)能需因時(shí)而動(dòng)。