隨著汽車產業加速朝向智慧化以及互聯系統的發展,強茂推出最新車規級60 V N通道MOSFETs系列,采用屏蔽柵槽溝技術(SGT)來支持汽車電力裝置。此系列產品具備卓越的性能指標(FOM)、超低導通電阻(RDS(ON))以及最小化的電容,能有效提升汽車電子系統的性能與能源效率,降低導通與切換的損耗,提供更卓越的電氣性能。
強茂的60 V N通道SGT-MOSFETs提供多種緊密且高效的封裝選擇,包括DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L、TO-252AA以及TO-220AB-L,為各類電力電子應用提供更為可靠的解決方案。這些MOSFETs皆通過AEC-Q101之認證,具備優異的導通和切換特性,在車用領域中是電源轉換、驅動與控制應用的理想選擇。此外,可承受結溫高達175°C,為現代電子產品提供最佳的設計彈性。
最重要的是強茂在SGT-MOSFETs的產品研發上,不僅推動電動/燃油汽車技術的發展,還致力于促進整個汽車產業鏈的持續成長與發展,服務廣泛涵蓋各終端之應用。此外,強茂的產品皆采用符合IEC 61249和EU RoHS 2.0標準的綠色材質,體現了強茂致力于為客戶提供高性能、可靠和環保產品的承諾。
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原文標題:強茂SGT MOSFET第一代系列:創新槽溝技術車規級60 V N通道 突破車用電子的高效表現
文章出處:【微信號:gh_1e4aac51a311,微信公眾號:強茂PANJIT】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。
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