上海伯東 IBE 離子束刻蝕機可用于反應離子刻蝕 RIE 不能很好刻蝕的材料。是一種干法物理納米級別的刻蝕, 刻蝕均勻性 ≤±5%(部分材料 ±3%)。
IBE 刻蝕機幾乎滿足所有材料的刻蝕。 例如磁性材料, 黃金 Au, 鉑 Pt, 合金等金屬及復合半導體材料, 廣泛應用于 RF 射頻器件, MEMS 傳感器, 磁性器件 … 等研究。
對于“難去除”的材料比如貴金屬(如金和鉑), 壓電材料(鋯鈦酸鉛 PZT , 鈮酸鋰 LiNbO3 和 氮化鋁鈧 AlScN, 或用于 MRAM 和 STT-MRAM 的材料(如 Al2O3 , Ni, Fe, Cr, Co, Cu, Mn 和 Pd 等)上海伯東 IBE 離子束刻蝕機同樣有著穩定的刻蝕均勻性。
上海伯東 IBE 離子束刻蝕機優勢
1. 滿足刻蝕的線條寬度要求
2. 滿足刻蝕準直度要求
3. 可以實現 ICP 和 RIE 無法進行的刻蝕
4. 離子束角度可以±90°任意調整, 蝕刻可以根據需要做垂直, 斜面等等加工形狀
IBE 離子束刻蝕機, 刻蝕材料和速率一覽表
自 1970年至今, Hakuto 伯東已累計交付約 500套離子刻蝕機。 刻蝕機配置德國 Pfeiffer 渦輪分子泵和 KRi 考夫曼離子源, 適用于 4英寸, 6英寸, 8英寸刻蝕。 伯東公司超過 50年的 IBE 離子束刻蝕市場經驗, 擁有龐大的安裝基礎和經過市場驗證的刻蝕技術!
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原文標題:IBE 離子束刻蝕機刻蝕材料和速率
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