4月15日,兆易創新(603986)發布2017年年報,公司2017年1-12月實現營業收入20.30億元,同比增長36.32%;半導體及元件行業平均營業收入增長率為22.78%;歸屬于上市公司股東的凈利潤3.97億元,同比增長125.26%,半導體及元件行業平均凈利潤增長率為28.02%,公司每股收益為1.99元。
公司表示,(一)主營業務影響:報告期內市場需求大幅增加、新產品的推出、銷售產品結構調整,從而使歸屬于上市公司股東的扣除非經常性損益的凈利潤與上年同期相比增加1.65億元1.95億元。(二)非經營性損益的影響:出售部分可供出售金融資產獲得的投資收益,以及對被投資企業不再具有重大影響導致長期股權投資轉為可供出售金融資產核算時確認的投資收益,帶來非經常性損益增加0.42億元。
“大基金”加持,兆易創新從非主流到主流
存儲芯片“NOR Flash” 領域躋身世界前三,兆易創新迅速成為資本市場追捧的香餑餑。
上市后連拉18個漲停板,2017年8月至今漲幅更是超過120%。股價大漲背后,是一連串運作——收購北京矽成(因北京矽成供應商原因最終終止),聯合合肥產投進軍DRAM領域,國家大基金受讓為公司第二大股東,入股中芯國際,擬收購上海思立微電子。
在國產芯片崛起,以及國家集成電路產業戰略逐步落地的背景下,兆易創新表現得十分搶眼。
但接受《英才》記者專訪時,董事長朱一明表示,兆易創新絕不單純搞資本。“兆易創新任何的投資,都不會是財務投資,兆易做的投資都是戰略投資。”
2017年可謂是中國半導體投資元年,各地掀起芯片投資熱潮,十余家產業鏈相關企業登陸資本市場。
資本火熱、產業沸騰,一家上市不久的公司如何利用資本市場快速崛起?在百舸爭流的半導體熱潮中,如何走出自己的發展道路?
世界前三受益于需求端大幅增長的影響,各大存儲芯片企業在2017年都取得了不俗的業績。據兆易創新三季報顯示,前三季度公司實現營收15.17億元,同比增長44.69%;歸母凈利潤3.39億元,同比增長134.74%。
按照此前NOR Flash競爭格局,美國企業賽普拉斯市占率為25%,排名第一;***兩大巨頭旺宏、美光市占率分別為24%、18%緊隨其后,之后才是華邦電子與兆易創新。
2017年2月,美光科技宣布剝離旗下NOR芯片業務,轉而全力沖刺DRAM和NAND Flash.4月,賽普拉斯表示,將退出中低容量的NOR Flash市場,專注高容量的車用和工規領域。
“這兩大公司退出既是意料之外也是意料之中。”朱一明對《英才》記者分析道,“美國公司更注重戰略聚焦以及毛利率。美光要專注于更大的市場,而賽普拉斯則更要聚焦于物聯網。”
美光、賽普拉斯兩大巨頭的退出,令兆易創新升至世界第三的位置。不過,競爭并非由此減弱。
由于起步早,規模大,***旺宏、華邦電子搶占先機。“整體來說,對***公司更有利。他們經營的時間更久,國際知名度更高。”
“但問題是你如何做到世界第一,這才是關鍵。”朱一明向《英才》記者指出,做成第一,才能夠具有一定地位。存儲芯片產業本身是全球產業,如何變成全球第一,永遠是我們需要考慮的問題。
由于市場環境趨嚴,兆易創新曾經試圖并購ISSI進而做大做強的計劃擱淺,但一步步挺進主流市場領域的戰略并沒有動搖。
“大基金”加持受全球閃存芯片供應偏緊及需求增長的影響,NOR Flash 產能供應也一度考驗著各參與者。
2017年11月29日,兆易創新公告顯示,以每股10.65港元的價格認購中芯國際(00981.HK)發行股份。認購成功后,公司約持有中芯國際1.02%的股份。
中芯國際是中國第一大晶圓代工企業,同時也是兆易創新最主要的代工廠。戰略入股中芯國際,顯然將有助于保障產能供應。
“這是一個起點,不是終點。”朱一明對《英才》記者表示,“跟晶圓制造廠的戰略關系會越來越緊密。而且,不僅僅是產能的合作,未來各種技術合作戰略合作會進一步深化。”
作為全球領先的閃存芯片及MCU供應商,國家集成電路產業投資基金也在資本市場給予了兆易創新實質性的認可。
通過股份轉讓,國家大基金受讓啟迪中海和盈富泰克持有的公司股份。目前,大基金持有兆易創新11%的股份,為公司第二大股東。
國家大基金的戰略入股,使兆易創新成為國家集成電路戰略落地的產業平臺。朱一明表示,“國家大基金投我們,絕對不僅為了拿股權,也不單純為了賺錢。從產業布局上來說,希望兆易能夠在國家戰略里扮演更大的作用。”
從非主流到主流全球來看,NOR Flash 市場規模僅有30億美元,和DRAM、NAND Flash 動輒300億-400億美元的量級相去甚遠。要想深入掘金,就必須聚焦于更廣闊的市場。
2017年10月26日,兆易創新與合肥產投簽署了合作協議,雙方合作開發19nm的12英寸晶圓存儲器(含DRAM等)研發,項目預算約為180億元。
但這一行業長期處于高度壟斷的狀態,三星、海力士和美光三家幾乎壟斷了全球DRAM 98%的市場。
進軍DRAM領域,意味著要和世界巨頭搶食吃。市場不免擔心,布局如此高門檻的領域,兆易創新的底氣何來。
按照計劃,該項目資金由兆易創新與合肥產投根據1:4的比例負責籌集,即兆易創新出資36億元,余下的144億元由合肥產投出資。
對比IPO時募資的5.17億元,資金缺口還是比較大。但朱一明告訴《英才》記者:“公司融資渠道豐富,并不是難事。合肥項目,我們說的少,做得多,目前進展還是非常快的。”
對比其他城市,朱一明更加看好合肥的發展前景。尤其是京東方投資458億元建設的合肥10.5代線提前投產,令他觸動頗深。
朱一明相信,京東方的成功可以復制。而且和曾經布局集成電路產業最終失敗的城市相比,“合肥沒有歷史包袱,地方政府沒有投資失敗的陰影。因此成功率更高一些。”
他認為,中國芯片企業對標的目標是三星、SK海力士等巨頭,但商業競爭的方案要考慮自身的盈利能力,并多次強調了現金流的重要性。
“要把階段性的事情做好,是不是有市場,市場階段性是不是能養活你,有沒有足夠多的現金?能否自我造血?如果說你不能活,你越活越差,不停要靠輸血,最后都可能會失敗。這不就是下一個樂視嗎?”
“畢竟,能夠活下去,才有動力往前走”,朱一明補充道。
天時地利人和,兆易創新深度布局存儲芯片產業鏈
在半導體領域“得存儲者,得天下”,這句話一點都不夸張。2017年三星正是借著全球存儲芯片大漲價之際,一舉將英特爾挑下臺,成為了全球最大芯片制造商。
根據SIA公布的數據顯示,2017年全球半導體銷售金額為4200億美金,其中僅存儲芯片銷售就達1200億美金。這也意味著,存儲芯片占據整個半導體領域三分之一市場。
在相當長的一段時間里,受限于技術、資金、專利、人才等制約,中國在存儲芯片領域基本處于空白。不過,近幾年這一情況正在發生變化,以兆易創新為代表的中國公司正在快速崛起。
兆易創新NOR Flash打進三星旗艦機供應鏈背后
就在本月初,來自拆解網站iFixit拆解報告顯示,兆易創新已成功打進三星旗艦智能手機供應鏈,旗下32Mb的序列式NOR Flash獲三星的Galaxy S9采用。
有行業人士表示,雖然在存儲芯片中NOR Flash是相對門檻較低的一類,但此次兆易創新進入三星旗艦機供應鏈仍能說明兆易的技術與供應鏈保證能力。
過去幾年,兆易創新在NOR Flash領域上演逆襲之路。2005年朱一明從美國硅谷回到中國后創辦了兆易創新,一開始就選擇了中國處于空白地位的存儲芯片領域。在他的帶領下,公司在技術和市場領域飛速發展,先后推出國內第一顆 Serial Flash產品、第一顆靜態存儲器及IP技術、第一款 GigaROM 產品,開創了中國存儲器制造先河。
不僅在技術上,在市場上兆易創新也獲得認可。據IHS的最新數據顯示,截止到2017年第三季度,兆易創新的NOR Flash市場份額高達8%,全球排名第五。在序列式NOR Flash領域,公司更是從2013年就已經成為了全球三大供應商之一,累計出貨量達到100億顆。
“在技術和市場成熟的NOR Flash領域,兆易創新的取勝秘訣絕不僅僅是性價比。比如,當前供應鏈保證能力也是公司的核心競爭力之一。”一位行業人士說道。
事實上,去年開始存儲芯片行業大的背景是缺貨與漲價。而兆易創新憑借與外協廠商多年積累的良好協作關系,優化供應鏈管理,調配各供應商產能,同時強化供應鏈各環節的產銷銜接,針對新產品、新應用開發、新技術和新流程,降低成本,提高良率,維持穩定供貨。
例如,在去年9月兆易創新為保障長期穩定的產能供應,進一步增強競爭優勢,與中芯國際簽署《戰略合作協議》。該協議為供貨合作協議,合同標的為原材料晶圓,協議約定至2018年底采購金額為12億元或以上。
IoT浪潮爆發將繼續推動兆易NOR Flash成長
除了自身實力不斷提升外,兆易創新NOR Flash 業務高成長還受到巨頭的退出與產業環境利好多種因素疊加。
2017年2月,美光科技宣布剝離旗下NOR芯片業務,轉而全力沖刺DRAM和NAND Flash。4月,賽普拉斯表示,將退出中低容量的NOR Flash市場,專注高容量的車用和工規領域。
美光與賽普拉斯逐步退出不僅推動2017年NOR Flash 市場的價格,而且也給兆易創新來了更多的市場空間。分析師預測,NOR Flash國產滲透的空間足夠滿足兆易創新未來3年預測期出貨量15%、20%和25%的成長。
當然,行業要發展最根本還是要有市場需求推動,這一輪存儲芯片漲價缺貨潮根本還是IoT產業的爆發。
NOR Flash作為代碼型閃存芯片,主要用來存儲代碼及部分數據。目前除了傳統的應用領域如手機、機頂盒、電視等提供穩定需求之外,智能家居、智能建筑、智能車輛和無人機等新興的應用領域也在大舉導入NOR Flash作為存儲驅動程序代碼的存儲設備,為NOR Flash帶來新的需求增量。
而兆易創新很早就看到了這一市場趨勢。此前公司公告稱,針對物聯網(IoT)市場,公司推出了超低功耗的NOR Flash 產品;適用性廣泛的1.65V~3.6V寬電源電壓 NOR Flash 產品實現量產;適用車載和高性能市場,支持 DDR 接口的高速度傳輸速率 NOR Flash 研發成功并量產;公司持續推進先進工藝技術,NOR Flash 穩步推進 45nm NOR Flash 產品研發,保持在 NOR Flash 技術的業界領先,為公司在高容量產品的市場擴大和產品競爭力做好技術儲備。
NOR+NAND+DRAM全產業鏈布局,打造全球存儲芯片龍頭
在NOR Flash領域站穩只是兆易創新的第一步。相比NOR Flash 市場規模僅有30億美元,DRAM、NAND Flash 動輒300億-400億美元的量級,這一領域才是兆易創新未來重點開拓的市場。
在NAND Flash業務方面,公司自研NAND Flash已在2017年Q3季度量產,目前產品性能和可靠性超過一般市面同類產品。同時,公司還在研發不斷推進24nm NAND。
在DRAM領域,2017年10月26日,兆易創新與合肥產投簽署了合作協議,雙方合作開發19nm的12英寸晶圓存儲器研發,項目預算約為180億元。依據1:4負責籌集資金,目標是在2018年12月31日前研發成功,即實現產品良率(測試電性良好的晶片占整個晶圓的比例)不低于10%。
從大的方向上看,目前兆易創新正在構建NOR+NAND+DRAM 全存儲芯片產品體系。在國家產業政策的支持、市場與資本助力下,兆易創新正處于天時、地利、人和的絕佳歷史窗口期,相信經過這一輪的產業發展與變革,兆易創新有望成長為全球存儲芯片龍頭。
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