隨著2016年NB-IOT的R3核心標準凍結(jié),迎來了一波物聯(lián)網(wǎng)的熱,這一輪NB-IOT持續(xù)了一年多,很快就會進入下一個階段,在NB-IOT之后,物聯(lián)網(wǎng)領域哪些技術會有大機會?
當然物聯(lián)網(wǎng)平臺、邊緣計算一定都是未來的機會,這個稍微有點常識的都會知道這兩個是未來的機會,我就不在這里說了!根據(jù)NB-IOT特點尋找.
看一下NB-IOT包括五個特點:
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低功耗:10年電池壽命
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低成本:極低的模組成本
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廣覆蓋:20dB+增強,10公里覆蓋
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大容量:沒消去5萬終端。
抓住NB-IOT里兩個重要特點:低功耗,低成本。
未來設備通訊方式要求低功耗,低成本。他們未來的產(chǎn)品上低功耗,低成本都會是未來物聯(lián)網(wǎng)領域的主要特點。
看下物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展瓶頸.
從時間軸上看物聯(lián)網(wǎng)發(fā)展:首先遇到的瓶頸是連接的瓶頸
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第一步是解決連接問題,實現(xiàn)大量設備的連接。
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第二步會遇到感知的瓶頸,第二步會有更多物的狀態(tài)的感知,形成大數(shù)據(jù)。
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第三步會遇到智能的瓶頸,初始智能已經(jīng)實現(xiàn),未來自學習,雙向聯(lián)動智能化更為重要。
NB-IOT解決的是低功耗,低成本設備的連接問題,而低功耗,低成本設備的感知問題用什么解決?抓住三個關鍵詞:低功耗、低成本、感知,我認為MEMS會是下一輪爆發(fā)的物聯(lián)網(wǎng)技術。
什么是MEMS
微機電系統(tǒng)(MEMS)技術是特征尺度跨越微米和納米兩個鄰微小領域的高新技術,是武器裝備信息化的關鍵核心技術,包括:MEMS靜電馬達,硅微型傳動機構,MEMS智能微塵,硅微陀螺,芯片原子鐘。
隨著技術的發(fā)展,過去20年中一直遵循Moor定律:當價格不變時,集成電路上可容納的元器件的數(shù)目,約每隔18-24個月便會增加一倍,性能也將提升一倍。
隨著IC行業(yè)的發(fā)展,摩爾定律事否會失效?但超越摩爾定律,會有2個發(fā)展方向:
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特征尺寸繼續(xù)等比例縮小并立體化;
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集成電路(IC)將發(fā)展成為芯片系統(tǒng)(SoC);
微電子技術與其他領域相結(jié)合將產(chǎn)生新的產(chǎn)業(yè)和新的學科,MEMS為代表的微系統(tǒng)技術就是重要顛覆技術之一。MEMS與IC的區(qū)別是:MEMS具有可動結(jié)構,利用微納技術同時加工出機械結(jié)構和電路系統(tǒng)。
MEMS特點
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微型化、低成本、低功耗,高可靠。
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高精度。
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高集成度。
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高性能。
其他特點不虛多講,低成本、低功耗、高集成度,這三個特點值得關注。
在NB-IOT通訊完善之后,必然激發(fā)對低功耗、低成本、體積小的傳感器的需求。MEMS技術已經(jīng)發(fā)展很多年,廣泛存在,現(xiàn)在手機上已經(jīng)有很多MEMS傳感器。而物聯(lián)網(wǎng)的普及必然激發(fā)MEMS傳感器的需求。
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