由于在裸板或者在uboot存在的情況燒寫kernel以及yaffs2 fs的時候 Nand 中oob、bbt、ecc很大程度上影響了燒寫的成功率，所以我們下面進行沒含義進行了解：

芯片內部存儲布局及存儲操作特點:

一片Nandflash為一個設備(device), 其數據存儲分層為:

1 (Device) =4096 (Blocks)

1 (Block) -= 32 (Pages/Rows)頁與行是相同的意思,叫法不一樣

1(Page) = 528 (Bytes) =數據塊大小(512Bytes) + OOB 塊大小(16Bytes)

在每一頁中,最后16個字節(又稱OOB)用于NandFlash命令執行完后設置狀態用,剩余512個字節又分為前半部分和后半部分?？梢酝ㄟ^NandFlash命令00h/01h/50h分別對前半部、后半部、OOB進行定位通過

Nand Flash內置的指針指向各自的首地址。

存儲操作特點:

1.擦除操作的最小單位是塊。

2. NandFlash芯片每一位(bit)只能從1變為0,而不能從0變為1,所以在對其進行寫入操作之前要一定將相應塊擦除(擦除即是將相應塊得位全部變為1).

3.OOB部分的第六字節(即517字節)標志是否是壞塊,如果不是壞塊該值為FF,否則為壞塊。

4.除OOB第六字節外,通常至少把OOB的前3個字節存放Nand Flash硬件ECC碼。

BBT：bad blocktable，即壞塊表。各家對nand的壞塊管理方法都有差異。比如專門用nand做存儲的，會把bbt放到block0，因為第0塊一定是好的塊。但是如果nand本身被用來boot，那么第0塊就要存放程序，不能放bbt了。

有的把bbt放到最后一塊，當然，這一塊不能為壞塊。

有的bbt中用2個bits表示1個block的狀態,所以1個字節可以表示4個blocks。

bbt的大小跟nand大小有關，nand越大，需要的bbt也就越大。

所以具體代碼具體分析。

ECC:

NANDFlash出錯的時候一般不會造成整個Block或是Page不能讀取或是全部出錯，而是整個Page(例如512Bytes)中只有一個或幾個bit出錯。一般使用一種比較專用的校驗——ECC。ECC能糾正單比特錯誤和檢測雙比特錯誤，而且計算速度很快，但對1比特以上的錯誤無法糾正，對2比特以上的錯誤不保證能檢測。

ECC一般每256字節原始數據生成3字節ECC校驗數據，這三字節共24比特分成兩部分：6比特的列校驗和16比特的行校驗，多余的兩個比特置1.

當往NANDFlash的page中寫入數據的時候，每256字節我們生成一個ECC校驗和，稱之為原ECC校驗和，保存到PAGE的OOB(out-of-band)數據區中。其位置就是eccpos[]。

校驗的時候，根據上述ECC生成原理不難推斷：將從OOB區中讀出的原ECC校驗和新ECC校驗和按位異或，若結果為0，則表示不存在錯(或是出現了ECC無法檢測的錯誤);若3個字節異或結果中存在11個比特位為1，表示存在一個比特錯誤，且可糾正;若3個字節異或結果中只存在1個比特位為1，表示OOB區出錯;其他情況均表示出現了無法糾正的錯誤。