DIGITIMES Research觀察,隨節(jié)能減碳意識抬頭,短期內業(yè)者推行油電混合車(Hybrid Electric Vehicle;HEV)以降低排碳量,但長期而言仍傾向全面導入電動車(Electric Vehicle;EV),以確保生活環(huán)境的潔凈。以成本結構來看,半導體占單臺電動車超過1,000美元,其中,絕緣柵雙極晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor;IGBT)在車用半導體扮演關鍵角色。
電動車成本結構中最大者為電池,占比約40~50%,其次為電機驅動系統(tǒng),約占全車成本15%至20%,其中,IGBT占驅動系統(tǒng)一半左右,即IGBT占電動車約8%至10%成本,成電動車降價第二關鍵零組件。
IGBT不僅用于電動車內,攸關電動車普及的充電站,站內的高功率充電椿也會采用,因此IGBT的降價不僅有利于電動車普及,也有助于充電椿布建進度加速。
IGBT在制程上亦持續(xù)精進,同時,功率模塊業(yè)者也積極發(fā)展集成度更高、散熱性更佳的IGBT模塊,芯片商也為取得IGBT新制程及技術而發(fā)動購并。
估計未來IGBT與電動車的發(fā)展關連將日益密切,IGBT市場規(guī)模也深具成長潛力,2021年將較2015年成長151%。
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原文標題:【DIGITIMES Research】IGBT占電動車成本10% 至2021年市場成長1.5倍
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