上世紀四五十年代，以硅(Si)和鍺(Ge)為代表的第一代半導體材料奠定了微電子產(chǎn)業(yè)的基礎。經(jīng)過幾十年的發(fā)展，硅材料的制備與工藝日臻完美，Si基器件的設計和開發(fā)也經(jīng)過了多次迭代和優(yōu)化，正在逐漸接近硅材料的極限，Si基器件性能提高的潛力愈來愈小。現(xiàn)代電子技術對半導體材料提出了高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等新要求，而寬帶隙第三代半導體材料SiC擁有非常高的擊穿場強、卓越的開關性能和良好的熱導率，極其適合下一代電源轉換應用，如太陽能逆變器、UPS、電動汽車和工業(yè)傳動等。

SiC功率器件的研發(fā)始于1970年代，80年代SiC晶體質量和制造工藝獲得大幅改進，隨著90年代高品質6H-SiC和4H-SiC外延層生長技術的成功應用，各種SiC功率器件的研究和開發(fā)進入迅速發(fā)展時期。

SiC是由硅和碳組成的化合物半導體材料，C原子和Si原子不同的結合方式使SiC擁有多種晶格結構，如4H,6H,3C等等。4H-SiC因為其較高的載流子遷移率，能夠提供較高的電流密度，常被用來做功率器件。下表是4H-SiC與Si物理特性對比。我們可以清楚地看到4H-SiC禁帶寬度為Si的3倍，擊穿場強為Si的10倍，漂移率為Si的2倍，熱導率為Si的2.5倍。這些優(yōu)異的特性是如何帶來功率器件的改變呢？我們接下來分三個方面詳細地分析一下。

擊穿電壓與通態(tài)電阻

擊穿電壓是功率器件的一個重要指標。功率開關器件的正向電壓承受能力與其漂移區(qū)的長度和電阻率有關，而單極功率開關器件的通態(tài)電阻又直接決定于漂移區(qū)的長度和電阻率，與其制造材料擊穿電場強度的立方成反比。因為4H-SiC有10倍于Si的擊穿電場強度，因此基于SiC的功率器件允許使用更薄的漂移區(qū)來維持更高的阻斷電壓，從而顯著降低了正向壓降以及導通損耗。由下圖可見，如果要獲得5000V的耐壓，使用摻雜為2.5e13/cm3的襯底材料，Si基功率器件需要漂移層厚度0.5mm，單位面積電阻為10Ωcm2；SiC MOSFET使用摻雜為2.0e15/cm3的漂移層，需要的厚度僅有0.05mm，單位面積電阻僅為0.02Ωcm2。

開關頻率

使用SiC代替Si，不但其通態(tài)比電阻會大大降低，動態(tài)損耗也會大大降低,。這是因為碳化硅的擊穿電場強度是硅的10倍，其電子飽和漂移速度也是硅的2倍，更有利于提高器件的工作頻率。傳統(tǒng)的硅基高頻功率器件比如MOSFET和肖特基二極管，在獲得更高耐壓的同時正向壓降也會成倍增加，因此不適合高壓應用，目前常見的MOSFET耐壓都在900V以下。因此目前高壓領域主要使用Si IGBT，但IGBT是雙極型器件，在關斷時存在拖尾電流，造成比較大的關斷損耗。SiC MOSFET能夠承受相當高的阻斷電壓，并且因為是單極器件，不存在拖尾電流。SiC的出現(xiàn)將使MOSFET和肖特基二極管的應用拓展到更高的電壓等級。SiC單位面積的導通電阻非常低，與功率等級相當?shù)腟i器件相比，SiC器件的芯片尺寸可以大幅縮小，因此寄生電容更低，使器件的驅動更容易，且開關速度更快。因為SiC器件的高頻工作特性，在系統(tǒng)中可以使用更小變壓器，從而降低開關損耗和提高效率，并且大大降低了系統(tǒng)的體積。

熱特性

SiC的禁帶寬度3.23ev，相應的本征溫度可高達800攝氏度。如果能夠突破材料及封裝的溫度瓶頸，則功率器件的工作溫度將會提升到一個全新的高度。SiC材料擁有3.7W/cm/K的熱導率，而硅材料的熱導率僅有1.5W/cm/K，更高的熱導率可以帶來功率密度的顯著提升，同時散熱系統(tǒng)的設計更簡單，或者直接采用自然冷卻。

挑戰(zhàn)與展望

SiC雖然擁有卓越的性能，但離廣泛普及的應用，還存在著一些挑戰(zhàn)。例如SiC-SiO2界面電荷密度大大高于Si-SiO2，受此影響，SiC MOSFET的溝道電子等效遷移率遠低于體電子遷移率，使溝道電阻遠大于漂移區(qū)電阻，成為決定器件通態(tài)比電阻大小的主要成分。為了獲得合理的通態(tài)電阻，一般驅動SiC MOSFET會選擇更高的門極電壓，而使用更高的門極電壓將會增加柵氧化層的電應力，從而對器件的長期可靠性造成不良影響。為了解決這些困擾，一方面SiC襯底處理、外延生長和制備工藝等方面的進展將會大大降低缺陷密度；另一方面器件結構方面的改進也有助于降低柵極驅動電壓，延長器件壽命，比如英飛凌CoolSiCTM MOSFET采用的溝槽柵結構，在SiC晶體的C-面形成導電溝道。在這個晶面上，缺陷較少，界面電荷密度較低，因而允許更高的電子遷移率，從而使得器件可以采用與硅基IGBT及MOSFET相當?shù)尿寗与妷海s15V。

綜上，憑借禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導率大等特性，在可以預見的未來，我們將看到SiC對電力電子行業(yè)產(chǎn)生的革命性影響。SiC MOSFET用于太陽能，UPS，工業(yè)傳動等應用時，可以使得逆變器效率更高，輸出功率更大，系統(tǒng)尺寸更小，冷卻系統(tǒng)更簡單（散熱器體積更小或采用自然冷卻）。英飛凌一直在不斷開發(fā)碳化硅最前沿的技術，產(chǎn)品以及解決方案，致力于滿足用戶對節(jié)能，提升效率、縮減尺寸、系統(tǒng)集成和提高可靠性的需求。

碳化硅應用市場的未來已經(jīng)到來，但面對新技術，新應用，總會有新的挑戰(zhàn)，比如可靠性，高成本，應用技術門檻高等。那么，如何應對技術挑戰(zhàn)？如何擁抱和迎接新一輪的技術浪潮？