聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
Intersil
+關(guān)注
關(guān)注
5文章
229瀏覽量
72266 -
器件
+關(guān)注
關(guān)注
4文章
307瀏覽量
27796
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(一)——功率半導(dǎo)體的熱阻
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(六)——瞬態(tài)熱測(cè)量
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高
功率器件熱設(shè)計(jì)及散熱計(jì)算
本文介紹了功率器件的熱性能參數(shù),并根據(jù)實(shí)際工作經(jīng)驗(yàn),闡述了功率器件的熱設(shè)計(jì)方法和散熱器的合理選擇。
發(fā)表于 06-20 10:56
?14次下載
選擇接線端子時(shí)要考慮的功率處理因素
選擇接線端子時(shí)要考慮的功率處理因素,目前,UL、IEC、CSA、DIN等機(jī)構(gòu)在確定接線端子產(chǎn)品的功率和性能規(guī)格時(shí),并沒(méi)有統(tǒng)一的標(biāo)準(zhǔn)。用戶需要
功率器件選購(gòu)須知要素
功率器件的選擇要根據(jù)應(yīng)用環(huán)境、工作條件和性能要求等因素進(jìn)行綜合考慮。首先,要考慮
發(fā)表于 02-16 14:11
?691次閱讀
MOSFET選型原則,mosfet選型要考慮哪些因素
MOSFET是電路中非常常見(jiàn)的元件,常用于信號(hào)開(kāi)關(guān)、功率開(kāi)關(guān)、電平轉(zhuǎn)換等各種用途。由于MOSFET的型號(hào)眾多,應(yīng)用面廣,本文將詳細(xì)介紹MOSFET選型原則以及mosfet選型要考慮的因素
為什么PCB設(shè)計(jì)時(shí)要考慮熱設(shè)計(jì)?
到電路板的物理、電學(xué)和熱學(xué)等因素,其中熱設(shè)計(jì)也是其中一個(gè)很重要的方面。在下面的文章中,我們將詳細(xì)介紹為什么PCB設(shè)計(jì)時(shí)需要考慮熱設(shè)計(jì)。 1. PCB在工作過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生熱量 當(dāng)電子
功率器件的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(二)——熱阻的串聯(lián)和并聯(lián)
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高
評(píng)論