精品国产人成在线_亚洲高清无码在线观看_国产在线视频国产永久2021_国产AV综合第一页一个的一区免费影院黑人_最近中文字幕MV高清在线视频

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

安森美半導(dǎo)體發(fā)布汽車應(yīng)用碳化硅(SiC)二極管

kus1_iawbs2016 ? 來(lái)源:未知 ? 作者:胡薇 ? 2018-06-21 16:08 ? 次閱讀

2018年6月5日 —推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體 (ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ON),發(fā)布了碳化硅 (SiC) 肖特基二極管的擴(kuò)展系列,包括專門用于要求嚴(yán)苛的汽車應(yīng)用的器件。新的符合 AEC-Q101車規(guī)的汽車級(jí) SiC 二極管提供現(xiàn)代汽車應(yīng)用所需的可靠性和強(qiáng)固性,以及等同于寬禁隙 (WBG) 技術(shù)的眾多性能優(yōu)勢(shì)。

SiC 技術(shù)提供比硅器件更佳的開(kāi)關(guān)性能和更高的可靠性。SiC 二極管沒(méi)有反向恢復(fù)電流,開(kāi)關(guān)性能與溫度無(wú)關(guān)。極佳的熱性能、增加的功率密度和降低的電磁干擾(EMI),減小的系統(tǒng)尺寸和降低的成本使 SiC 成為越來(lái)越多的高性能汽車應(yīng)用的極佳選擇。

安森美半導(dǎo)體的新的 SiC 二極管采用流行的表面貼裝和通孔封裝,包括 TO-247、D2PAK 和 DPAK。FFSHx0120 1200伏特 (V) 第一代器件和 FFSHx065 650 V 第二代器件提供零反向恢復(fù)、低正向電壓、與溫度無(wú)關(guān)的電流穩(wěn)定性、極低漏電流、高浪涌電容和正溫度系數(shù)。它們提供更高的能效,而更快的恢復(fù)則提高了開(kāi)關(guān)速度,從而減小了所需的磁性元件的尺寸。

為了滿足強(qiáng)固性要求,并在汽車應(yīng)用惡劣的電氣環(huán)境中可靠地工作,二極管的設(shè)計(jì)能夠承受大的浪涌電流。它們還包含一種提高可靠性和增強(qiáng)穩(wěn)定性的獨(dú)特專利終端結(jié)構(gòu)。工作溫度范圍為-55℃ 至175℃。

安森美半導(dǎo)體高級(jí)總監(jiān) Fabio Necco 說(shuō):“安森美半導(dǎo)體推出符合 AEC 車規(guī)的器件,擴(kuò)展了肖特基二極管系列,為汽車應(yīng)用帶來(lái) SiC 技術(shù)的顯著優(yōu)勢(shì),使客戶能夠達(dá)到這一行業(yè)對(duì)性能的嚴(yán)苛要求。SiC 技術(shù)非常適用于汽車環(huán)境,提供更高的能效、更快的開(kāi)關(guān)、更好的熱性能和更高的強(qiáng)固性。在講究節(jié)省空間和重量的領(lǐng)域,SiC 更高的功率密度有助于減少整體方案的尺寸,以及更小的磁性器件帶來(lái)的相關(guān)優(yōu)勢(shì),受客戶所歡迎。”

安森美半導(dǎo)體將在 PCIM 期間展示這些新的器件以及公司在寬禁帶、汽車、電機(jī)控制USB-C 供電LED 照明等領(lǐng)域的方案和用于工業(yè)預(yù)測(cè)性維護(hù)應(yīng)用的智能無(wú)源傳感器 (SPS)。

安森美半導(dǎo)體還將展示領(lǐng)先行業(yè)的先進(jìn) SPICE 模型,該模型易于受到程序參數(shù)和電路布局?jǐn)_動(dòng)的影響,因此相對(duì)于當(dāng)前行業(yè)建模能力是一大進(jìn)步。使用該工具,電路設(shè)計(jì)人員可提早在仿真過(guò)程評(píng)估技術(shù),而無(wú)需經(jīng)過(guò)昂貴和耗時(shí)的制造迭代。安森美半導(dǎo)體強(qiáng)固的 SPICE 預(yù)測(cè)模型的另一個(gè)好處是它可連接到多種行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的仿真平臺(tái)端口

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 二極管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    147

    文章

    9575

    瀏覽量

    165905
  • 安森美半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    17

    文章

    565

    瀏覽量

    60963

原文標(biāo)題:安森美半導(dǎo)體發(fā)布碳化硅 (SiC) 二極管用于要求嚴(yán)苛的汽車應(yīng)用

文章出處:【微信號(hào):iawbs2016,微信公眾號(hào):寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    碳化硅SiC材料應(yīng)用 碳化硅SiC的優(yōu)勢(shì)與性能

    碳化硅SiC材料應(yīng)用 1. 半導(dǎo)體領(lǐng)域 碳化硅是制造高性能半導(dǎo)體器件的理想材料,尤其是在高頻、高溫、高壓和高功率的應(yīng)用中。
    的頭像 發(fā)表于 11-25 16:28 ?174次閱讀

    碳化硅(SiC)肖特基二極管行業(yè)全景調(diào)研及投資價(jià)值戰(zhàn)略咨詢報(bào)告

    根據(jù)Global Info Research項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)最新調(diào)研,預(yù)計(jì)2030年全球碳化硅 (SiC) 肖特基二極管產(chǎn)值達(dá)到2249百萬(wàn)美元,2024-2030年期間年復(fù)合增長(zhǎng)率CAGR為23.5%。
    的頭像 發(fā)表于 10-15 16:44 ?235次閱讀

    光伏板碳化硅二極管怎么選

    選擇光伏板碳化硅二極管需考慮以下因素。
    的頭像 發(fā)表于 09-29 14:33 ?288次閱讀
    光伏板<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>二極管</b>怎么選

    SiC二極管的工作原理和結(jié)構(gòu)

    SiC二極管,即碳化硅二極管,作為第三代半導(dǎo)體材料的重要應(yīng)用之一,其工作原理和結(jié)構(gòu)在電力電子領(lǐng)域具有獨(dú)特的重要性。以下將詳細(xì)闡述
    的頭像 發(fā)表于 09-10 15:09 ?716次閱讀

    SiC二極管概述和技術(shù)參數(shù)

    SiC二極管,全稱SiC碳化硅勢(shì)壘二極管,也被稱為SiC碳化
    的頭像 發(fā)表于 09-10 14:55 ?856次閱讀

    安森美與Entegris達(dá)成碳化硅半導(dǎo)體供應(yīng)協(xié)議

    近日,工業(yè)材料領(lǐng)域的佼佼者Entegris宣布與知名芯片制造商安森美半導(dǎo)體簽署了一項(xiàng)長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議。根據(jù)協(xié)議內(nèi)容,Entegris將為安森美提供制造碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 08-09 10:39 ?451次閱讀

    華燊泰:碳化硅二極管低能耗和高效率的秘密#SiC碳化硅 #第三代半導(dǎo)體 #肖特基二極管

    肖特基二極管碳化硅
    秦仲弘
    發(fā)布于 :2024年07月19日 16:54:37

    SemiQ推出高性能1700V SiC肖特基二極管和雙二極管模塊

    近日,半導(dǎo)體器件領(lǐng)域企業(yè)SemiQ宣布,其QSiC?產(chǎn)品系列中新增了1700VSiC(碳化硅)肖特基分立二極管和雙二極管模塊。這一創(chuàng)新舉措旨在滿足包括開(kāi)關(guān)電源(SMPS)、不間斷電源(
    的頭像 發(fā)表于 06-14 11:36 ?362次閱讀
    SemiQ推出高性能1700V <b class='flag-5'>SiC</b>肖特基<b class='flag-5'>二極管</b>和雙<b class='flag-5'>二極管</b>模塊

    瑞能半導(dǎo)體推出一種帶隙大于傳統(tǒng)硅基肖特基二極管半導(dǎo)體器件

    碳化硅SiC)肖特基二極管是一種帶隙大于傳統(tǒng)硅基肖特基二極管半導(dǎo)體器件。
    的頭像 發(fā)表于 04-11 10:27 ?707次閱讀
    瑞能<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>推出一種帶隙大于傳統(tǒng)硅基肖特基<b class='flag-5'>二極管</b>的<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>器件

    安森美發(fā)布了第代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET—M3S

    安森美(onsemi)發(fā)布了第代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET,命名為M3S,其中S代表開(kāi)關(guān)。
    的頭像 發(fā)表于 03-26 09:57 ?1498次閱讀
    <b class='flag-5'>安森美發(fā)布</b>了第<b class='flag-5'>二</b>代1200V<b class='flag-5'>碳化硅</b> (<b class='flag-5'>SiC</b>) MOSFET—M3S

    碳化硅功率器件簡(jiǎn)介、優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用

    碳化硅二極管碳化硅晶體。由于其出色的性能,碳化硅功率器件在電動(dòng)汽車、可再生能源系統(tǒng)、智能電網(wǎng)
    的頭像 發(fā)表于 01-09 09:26 ?2749次閱讀

    碳化硅肖特基二極管的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域

    在當(dāng)今快速發(fā)展的電力電子領(lǐng)域,碳化硅SiC)材料因其出色的物理性能而備受關(guān)注。作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,碳化硅在制造高效、高溫和高速的電子器件方面具有巨大潛力。其中,
    的頭像 發(fā)表于 12-29 09:54 ?617次閱讀

    碳化硅二極管的優(yōu)點(diǎn)和局限性分析

    碳化硅二極管的優(yōu)點(diǎn)和局限性分析 碳化硅SiC二極管是一種新型半導(dǎo)體材料,在高頻電源電子裝置中
    的頭像 發(fā)表于 12-21 11:31 ?2280次閱讀

    SiC極管SiC二極管的區(qū)別

    SiC極管SiC二極管的區(qū)別? SiC極管SiC
    的頭像 發(fā)表于 12-21 11:31 ?763次閱讀