昨日，國產(chǎn)存儲傳來了一條重大好消息！

知情人士告訴半導(dǎo)體行業(yè)觀察記者，國產(chǎn)存儲三大勢力之一的合肥長鑫正式投片，產(chǎn)品規(guī)格為8Gb LPDDR4，這是國產(chǎn)DRAM產(chǎn)業(yè)的一個(gè)里程碑，加上早前宣布在3D NAND Flash取得進(jìn)展的長江存儲，國內(nèi)企業(yè)在國際主流存儲器上都取得了重大突破，為推動存儲國產(chǎn)化掀開了重要一頁。

無獨(dú)有偶，合肥長鑫合作方兆易創(chuàng)新的創(chuàng)始人朱一明先生在昨晚宣布辭去公司總經(jīng)理職務(wù)，但將繼續(xù)擔(dān)任公司董事長及董事會相關(guān)職業(yè)委員會職務(wù)。雖然公告沒有透露朱一明先生的下一步動向，但據(jù)知情人士告訴半導(dǎo)體行業(yè)觀察記者，朱一明下一步赴合肥長鑫擔(dān)任重要職位，推動國產(chǎn)DRAM的發(fā)展。這進(jìn)一步夯實(shí)了國內(nèi)企業(yè)攻堅(jiān)DRAM的決心。而這也是中國電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展到今天必須要推進(jìn)的一個(gè)領(lǐng)域。

打造國產(chǎn)DRAM勢在必行

DRAM因?yàn)槠鋺?yīng)用的廣泛性和重要性，是電子產(chǎn)品必不可少的一種重要半導(dǎo)體元件。也是原器件領(lǐng)域的一個(gè)重要組成部分。根據(jù)IHS Markit的數(shù)據(jù)，去年（2017）全球動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）的市場規(guī)模為722億美元，較2016年的415億美元增長了74%。更重要的一點(diǎn)的是，從2016年開始，DRAM的價(jià)格多次提高，2017年的價(jià)格漲幅更是高達(dá)40%。讓一些終端廠商，尤其是國內(nèi)的廠商叫苦不堪。這一方面是因?yàn)閲鴥?nèi)在這方面的缺失。

過往的經(jīng)驗(yàn)表明，無論是面板、指紋識別芯片，還是CIS，只要有國產(chǎn)參與其中，他們不但能把產(chǎn)品的價(jià)格拉的比較低，還能倒逼國外的供應(yīng)商降低價(jià)格，利好于終端廠商。但在DRAM這個(gè)領(lǐng)域，國內(nèi)幾近一片空白。

IHS Markit的數(shù)據(jù)顯示，在2017年的DRAM市場，三星電子以44.5%的市場份額穩(wěn)居市場第一，SK海力士則以27.9%的市場份額緊追其后。美光科技（22.9%）、南亞科技（2.2%）、華邦電子（0.8%）分列其后。這幾家?guī)缀跄依巳蛩械腄RAM供應(yīng)。

如果說他們能夠公平地做生意，在一個(gè)全球分工的時(shí)代，這也是個(gè)能被勉強(qiáng)接受的局面。但最新消息顯示，作為DRAM龍頭的三星，在過去一年的DRAM上漲過程中，似乎耍了一些手段。

據(jù)騰訊科技昨日的報(bào)道，因?yàn)闈q價(jià)的影響，包括DRAM和NAND Flash在內(nèi)的存儲產(chǎn)品在2017年較之2016年的800億美元暴漲了65%。但進(jìn)入今年NAND Flash開始走弱，但是DRAM還價(jià)格還在持續(xù)上揚(yáng)，據(jù)透露，三星的蓄意減產(chǎn)是造成這個(gè)結(jié)局的一個(gè)重要原因。

在之前，市場還傳出了三星18nm工藝的內(nèi)存芯片遭遇良率問題，需要兩三個(gè)月時(shí)間才能解決，這或?qū)?dǎo)致高端市場內(nèi)存缺貨，但這是在三星18nm產(chǎn)品亮相兩年后出現(xiàn)的傳聞，這就讓人對三星的操作有所懷疑。瑞銀分析師Timothy Arcuri更是表示，三星18nm芯片良率導(dǎo)致減產(chǎn)問題，可能只是暫停生產(chǎn)以控制產(chǎn)品供應(yīng)量。他指出三星在內(nèi)存價(jià)格下跌之前就延遲增產(chǎn)，這個(gè)舉動不尋常，他認(rèn)為三星此舉是貫徹了過去幾年中該公司“利潤第一”的管理方式。

況且，數(shù)據(jù)顯示，DRAM需求在未來幾年會迅速增長。國內(nèi)作為主要的制造大國，對其需求有增無減。多方面的因素綜合，迫使中國去打造自主可控的DRAM企業(yè)。

合肥長鑫將扮演重要角色

安徽合肥和福建晉華兩個(gè)地方政府和相關(guān)人士看到了國產(chǎn)DRAM的不足，就投入了相關(guān)相關(guān)的DRAM的研發(fā)，這次投片的合肥長鑫將扮演國產(chǎn)DRAM的一個(gè)重要角色。

據(jù)天眼查資料顯示，合肥長鑫集成電路有限責(zé)任公司是由合肥市產(chǎn)業(yè)投資控股（集團(tuán)）有限公司和合肥產(chǎn)投新興戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)發(fā)展合伙企業(yè)（有限合伙）投資建立的。公司成立于2016年，由中芯國際前CEO王寧國主導(dǎo)。

2017年5月25日，長鑫宣布，預(yù)計(jì)由合肥長鑫投資72億美元，興建12寸晶圓廠以發(fā)展DRAM產(chǎn)品，未來完成后，預(yù)計(jì)最大月產(chǎn)將高達(dá)12.5萬片規(guī)模。

這邊廂合肥長鑫做的如火如荼，另一邊廂，國內(nèi)Nor Flash龍頭兆易創(chuàng)新也在尋找DRAM的破局之法。

2016年，他們宣布欲以65億元的價(jià)格收購北京矽成（ISSI）。因?yàn)樵摴驹贒RAM方面有不錯的積累，兆易創(chuàng)新就想借助這個(gè)企業(yè)涉足DRAM。但到了2017年年初，兆易創(chuàng)新宣布終止了這單交易，這就宣告了兆易創(chuàng)新第一次布局DRAM的出師未捷。

到了2017年10月，兆易創(chuàng)新再次宣布，將與合肥市產(chǎn)業(yè)投資控股（集團(tuán)）有限公司合作開展工藝制程19nm存儲器的12英寸晶圓存儲器（含DRAM等）研發(fā)項(xiàng)目。據(jù)公告規(guī)定，本項(xiàng)目內(nèi)容為在合肥市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)空港經(jīng)濟(jì)示范區(qū)內(nèi)開展工藝制程19nm 存儲器的 12 英寸晶圓存儲器（含 DRAM 等）的研發(fā)，目標(biāo)是在 2018 年12 月 31 日前研發(fā)成功，即實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品良率（測試電性良好的芯片占整個(gè)晶圓的比例）不低于 10%。

按照項(xiàng)目產(chǎn)能的約定。在保證合法合規(guī)的前提下，項(xiàng)目研發(fā)及生產(chǎn)的 DRAM 產(chǎn)品優(yōu)先供本公司銷售并滿足本公司客戶的市場需求，價(jià)格參照市場行情且給予最佳優(yōu)惠。項(xiàng)目優(yōu)先承接本公司 DRAM 產(chǎn)品的代工需求，為本公司設(shè)計(jì)產(chǎn)品的流片、生產(chǎn)提供支持與便利，價(jià)格參照市場行情且給予最佳優(yōu)惠。

從目前的發(fā)展上看，兆易創(chuàng)新和合肥長鑫的這次合作非常順利。

據(jù)集微網(wǎng)報(bào)道，王寧國今年四月在出席合肥舉辦的“國家集成電路重大專項(xiàng)走進(jìn)安徽活動”上表示，合肥長鑫的一廠廠房已經(jīng)于2018年1月建設(shè)完成，設(shè)備也開始安裝。根據(jù)計(jì)劃，長鑫將于2018年年底推出8Gb DDR4工程樣品，2019年三季度推出8Gb LPDDR4，到2019年年底，產(chǎn)能將達(dá)到2萬片一個(gè)月。從2020年開始，公司則開始規(guī)劃二廠，2021年則完成17nn的研發(fā)。

從這次投產(chǎn)時(shí)間來看，一切都在計(jì)劃之內(nèi)。而在短短兩年的發(fā)展中，公司方面也獲得了不少的積累。王寧國同時(shí)指出，合肥長鑫在短短的兩年內(nèi)，在元件、設(shè)計(jì)、光罩、制造和測試領(lǐng)域都做了不少的積累。截至2017年底，已申請專利354件，2018年計(jì)劃申請專利1155件：其中計(jì)劃申請?jiān)＠?26件、設(shè)計(jì)專利144件、成像專利224件。計(jì)劃至2018年底，申請專利數(shù)量總計(jì)達(dá)到1509件。

雖然合肥長鑫已經(jīng)邁出了重要一步，但在強(qiáng)敵環(huán)伺下，他們未來還有很長的一段路要走。同時(shí)希望福建晉華的DRAM項(xiàng)目也能及時(shí)傳來好消息。