國(guó)內(nèi)首款7納米通信芯片“麒麟980”可望下周面市，這款華為海思基于臺(tái)積電7nm FinFET制造工藝，八核CPU核心數(shù)量比上一代翻倍，肩負(fù)起華為旗艦級(jí)手機(jī)Mate 20 Pro上市奏捷的核心任務(wù)。

DIGITIMES Research分析認(rèn)為，由于麒麟980芯片到第四季出貨放量增長(zhǎng)，加上競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手也相繼推出，行業(yè)內(nèi)第四季7納米手機(jī)AP出貨比重超過(guò)18%，并一舉超過(guò)10納米級(jí)芯片。

“麒麟980” 制造工藝與規(guī)格曝光

“麒麟980”預(yù)計(jì)31日在華為旗艦機(jī)Mate 20 Pro手機(jī)IFA發(fā)布會(huì)上亮相， 由華為消費(fèi)事業(yè)部CEO余承東親自對(duì)外發(fā)布，不過(guò)外界幾乎已將這款“千呼萬(wàn)喚”芯片先行劇透的差不多。

根據(jù)華為規(guī)劃，新一代旗艦機(jī)Mate 20 Pro搭載“麒麟980”基于臺(tái)積電7nm FinFET制造工藝，4x Cortex-A77 + 4x Cortex-A55的4+4八核CPU，搭載Mali-G72 24核心GPU ，GPU核心數(shù)量較前代翻了一倍。主頻高達(dá)2.8GHz。而內(nèi)存方面則使用LPDDR4X。

另外，“麒麟980”使用 “寒武紀(jì)” 第二代神經(jīng)處理單元(NPU)，提升芯片人工智能和機(jī)器學(xué)習(xí)的能力。其他方面，麒麟980支持雙卡4G同時(shí)在線，網(wǎng)絡(luò)制式最高支持 LTE Cat. 19。Wifi支持2.4G/5G雙頻率，以及藍(lán)牙5.0。

DIGITIMES Research分析師胡明杰指出，目前執(zhí)行AI加速的解決方案主要分為硬件加速與軟件加速兩大陣營(yíng)。硬件加速即以蘋果、海思為代表，在AP中針對(duì)類神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)演算法進(jìn)行硬件定制，及增添硬件NPU(Neural Processing Unit)單元。

胡明杰認(rèn)為，雖然搭載AI加速器的AP成功帶動(dòng)市場(chǎng)話題，但目前智能手機(jī)AI使用場(chǎng)景大多在照相優(yōu)化處理，仍未有殺手級(jí)應(yīng)用，因而AI加速器AP出貨比重能否持續(xù)攀升，要看品牌能否推出更具吸引力的AI應(yīng)用。

華為藍(lán)圖跟臺(tái)積電走 下一階段5納米+5G

不過(guò)外界也好奇，華為7納米之后，如何規(guī)劃其下一步芯片藍(lán)圖路線?日前華為海思平臺(tái)與關(guān)鍵技術(shù)開發(fā)部部長(zhǎng)夏禹在公開演講時(shí)提到，因應(yīng)對(duì)大帶寬與大算力的要求節(jié)節(jié)攀升，對(duì)信息系統(tǒng)中的硬件平臺(tái)而言，只有延續(xù)摩爾定律，不斷提高集成度、增加功能、提升性能，才能滿足市場(chǎng)發(fā)展提出的新需求。以智能手機(jī)來(lái)說(shuō)，高性能移動(dòng)設(shè)備用芯片仍然緊跟摩爾定律腳步。

據(jù)悉，華為的規(guī)劃，7納米芯片之后將往下一代推進(jìn)5納米，若對(duì)照晶圓代工廠臺(tái)積電的技術(shù)規(guī)格設(shè)計(jì)，也不謀而合，臺(tái)積電未來(lái)工藝技術(shù)升級(jí)到5nm之后，芯片性能可望較7納米再提升15%，功耗約可降低20%。

夏禹表示，海思在網(wǎng)絡(luò)側(cè)單顆芯片集成度已經(jīng)達(dá)到單芯片500億顆晶體管，這是為了因應(yīng)在數(shù)據(jù)流量與帶寬方面的高性能要求，在固定網(wǎng)端，數(shù)據(jù)流量每年將保持23%的增長(zhǎng)，5年后數(shù)據(jù)流量需求將達(dá)到現(xiàn)在3倍左右;在移動(dòng)網(wǎng)端，將保持46%的增長(zhǎng)率，5年后數(shù)據(jù)流量將是現(xiàn)在的7倍;而在數(shù)據(jù)中心側(cè)，增長(zhǎng)速度更是驚人，每年翻倍，5年后數(shù)據(jù)流量將是現(xiàn)在的16倍。需要實(shí)現(xiàn)如此大的數(shù)據(jù)吞吐量，必須有高性能芯片。

越是逼近物理極限，每一代工藝節(jié)點(diǎn)演進(jìn)都要付出極大的代價(jià)，當(dāng)前，工藝演進(jìn)最大的障礙在于功耗密度，夏禹指出，芯片設(shè)計(jì)“如果16納米芯片功耗密度為1，那么到5納米功耗密度就可能是10，芯片如何散熱，整個(gè)系統(tǒng)如何散熱，都將是半導(dǎo)體行業(yè)未來(lái)面臨的巨大挑戰(zhàn)。”

同時(shí)，工業(yè)界也一直尋找引進(jìn)新材料與新結(jié)構(gòu)來(lái)突破傳統(tǒng)工藝限制;比如在互連上，傳統(tǒng)一直用銅線，但到5納米工藝后也將引入新材料，夏禹認(rèn)為，碳納米管和石墨烯機(jī)會(huì)很大。

她認(rèn)為，自從FinFET工藝出現(xiàn)以來(lái)，芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)得以讓摩爾定律延續(xù)，芯片仍有長(zhǎng)遠(yuǎn)的發(fā)展空間，“技術(shù)發(fā)展還沒有到達(dá)極限。”

若是華為下一階段推進(jìn)5納米通訊芯片，預(yù)計(jì)問世的時(shí)間點(diǎn)落在2019年，這也與華為其5G手機(jī)在2019年商用的規(guī)劃時(shí)間相契合。也就是說(shuō)，對(duì)于手機(jī)廠家來(lái)說(shuō)，7納米制程技術(shù)很可能是4G-5G之間的過(guò)渡，而下一世代的5G芯片真正會(huì)采用的很可能落在5納米節(jié)點(diǎn)。

日前，高通已正式宣布已經(jīng)開始出樣新一代驍龍SoC芯片，確認(rèn)則基于7納米工藝，并集成驍龍X50 5G基帶，成為其首批5G旗艦手機(jī)采用的平臺(tái)。