當(dāng)MOSFET關(guān)斷時，就會有一個高壓尖刺出現(xiàn)在其漏極上。這是由于主變壓器的漏感和MOSFET輸出電容諧振造成的，在漏極上過高的電壓可能會擊穿MOSFET，為此就必須增加一個附加電路來鉗制這個電壓。在此技術(shù)范圍，我們介紹反激變換器的RCD吸收回路。

一、簡介

反激變換器是結(jié)構(gòu)最簡單的電路拓?fù)渲弧Ｋ苯訌囊粋€Buck￣Boost變換器放一個電感與之耦合而成，也就是一個加入氣隙的變壓器。當(dāng)主功率開關(guān)導(dǎo)通時，能量存在變壓器中，在開關(guān)關(guān)斷時，又將能量送到輸出級。由于在主功率開關(guān)導(dǎo)通時變壓器需要儲能，因而磁心要加氣隙。由于反激式需要的元器件很少，因而是中小功率電源常用的電路拓?fù)洹＠纾撼潆娖鳌⑦m配器及DVD播放機(jī)等。

圖1 給出反激變換器在連續(xù)導(dǎo)通型工作（CCM）和斷續(xù)導(dǎo)通型工作（DCM）的幾個寄生元器件。如一次級間漏感、MOSFET的輸出電容、二次側(cè)二極管的結(jié)電容等。當(dāng)MOSFET關(guān)斷時，一次電流Id給MOSFET的Coss充電，此電壓力加在Coss上，Vds超過輸入電壓，加上了折返的輸出電壓VIN＋Nv。，二次側(cè)二極管導(dǎo)通。電感Lm上的電壓鉗在Nvo，也就是LIK1與Coss之間的高頻諧振及高浪涌，在CCM工作模式下，二次側(cè)二極管一直導(dǎo)通，直到MOSFET再次導(dǎo)通。因此當(dāng)MOSFET導(dǎo)通時，二次側(cè)二極管的反轉(zhuǎn)恢復(fù)電流要疊加到一次電流上。于是，在一次就有一個大的浪涌出現(xiàn)在導(dǎo)通時，此即意味著對于DCM工作情況，因二次側(cè)電流在一個開關(guān)周期結(jié)束之前已經(jīng)干涸。所以Lm與Coss之前才有一個諧振。

二、吸收回路設(shè)計

由于LIK1與Coss之間的諧振造成的過度高電壓必須為電路元器件能接受的水平，為此必須加入一個電路，以保護(hù)主開關(guān)MOSFET。RCD吸收回路及關(guān)鍵波形示于圖2和圖3所示。它當(dāng)Vds超出VIN+nV時，RCD吸收回路使吸收二極管VDsn導(dǎo)通的方法來吸收漏感的電流。假設(shè)吸收回路電容足夠太，其電壓就不會超出。

當(dāng)MOSFET關(guān)斷時，Vds充電升到VIN+nV。一次電流通過二極管VDsn到達(dá)吸收回路的電容Csn處，二次側(cè)的整流管在同時導(dǎo)通。因此其上的電壓為Vsn-nV，Isn的斜率如下：

圖2反激變換器的RCD吸收回路

圖3加入吸收回路的DCM關(guān)鍵波形

式中：isn是流進(jìn)吸回路的電流；Vsn是吸收回路電容上的電壓；n是主變壓器匝數(shù)；LIK1是主變壓器的漏感。因此，時時TS可以從下式求出：

式中：Ipeak是一次電流的峰值。

吸收回路電容電壓，Vsn在最低輸人電壓及滿載條件下決定。－旦Vsn定了，則吸收回路的功耗在最低輸人電壓及滿載條件下為：

式中：fs是開關(guān)頻率；Vsn為2～2．5倍的nVo，從公式中看出非常小的Vsn使吸收回路損耗也減小。

另一方面，由于吸收回路電Rsn的功耗為，我們可以求得電阻：

然后吸收回路的電阻選用合適的功率來消耗此能量，電容上的最太紋波電壓用下式求出：

通常5％ － 10％的紋波是可以允許的，困此，吸收回路的電容也可用上式求出。

當(dāng)變換器設(shè)計在CCM工作模式下時，峰值漏電流與吸收回路電容電壓一起隨輸入電壓增加而減少。吸收回路電容電壓在最高輸入電壓和滿戴時可由下式求出：

式中：fs為開關(guān)頻率；LIK1為一次漏感；n為變壓器匝數(shù)比；Rsn為吸收回路電阻；Ipeak2為一次在最高輸入電壓和滿載時的峰值電流。當(dāng)變換器工作在CCM狀態(tài)，又是最高輸入電壓及滿載條件Ipeak2表示如下：

如果在瞬間過渡時及穩(wěn)態(tài)時Vds的最高值低于MOSFET 的BVdss電壓的90％和80％，則吸收回路二極管的耐壓要高于BVdss，可以選用一個超快恢復(fù)二極管為1A電流，耐壓120％BVdss。