知情人士表示,韓國三星電子(Samsung Electronics Co.)計劃明年限制內存芯片產量,從而在預計內存芯片需求放緩之際保持供需平衡。該知情人士說,此舉將有助于維持或推高半導體價格。他表示,三星目前預計動態隨機存取存儲器的位元成長率不到20%,而NAND閃存的位元成長率約為30%。三星今年早些時候表示,預計2018年DRAM內存和NAND閃存的位元成長率分別為20%和40%。
位元成長率是衡量內存芯片市場需求的一個關鍵晴雨表。較弱的預測可能導致芯片制造商削減諸如設備和材料訂單的投資,同時限制供應,推高價格。目前三星是全球最大的NAND和DRAM生產商,與海力士半導體和一起,主導著智能手機、電腦和其他存儲數字數據設備的關鍵原料供應。
如果三星真的削減DRAM內存的位元成長率,這表明該公司對目前的寡頭壟斷市場結構感到滿意。“它傾向于保持供應緊張和價格高企,而不是冒著價格下跌的風險搶占市場份額,因此DRAM內存價格保持強勁的概率更高。”
三星就此拒絕置評。
半導體業務目前是三星規模最大、最賺錢的業務,因為它為自己的設備生產芯片,同時向其他智能手機制造商銷售內存芯片。芯片業務在2017年創造了35.2萬億韓圓(合314億美元)的營業收入,較上年同期增長了一倍多,幫助推動該公司的盈利達到創紀錄水平。
在2017年創下歷史新高之后,三星的股價今年以來下跌了7.3%。
本月早些時候,摩根士丹利(Morgan Stanley)以肖恩?金(Shawn Kim)為首的分析師預測,服務器端DRAM內存芯片的前景趨弱,并對庫存增加發出警告。
根據市場研究公司IC Insights的數據,2017年內存芯片行業DRAM位元成長率為20%,僅為2016年40%的一半。雖然服務器推動了對內存的需求,但全球智能手機銷售的停滯卻引發了對半導體市場增長的擔憂。
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原文標題:消息稱三星將有意減緩明年內存芯片產出
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