如果有幾個(gè)設(shè)置參數(shù)需要存儲(chǔ)到Flash中，我們一般會(huì)怎么存儲(chǔ)呢？將不同的參數(shù)都存儲(chǔ)到不同的頁中，還是將這幾個(gè)參數(shù)捆綁成一種結(jié)構(gòu)體，每次修改都同時(shí)寫入一次呢？

將參數(shù)存儲(chǔ)到固定的地址，則每個(gè)參數(shù)都將占用Flash的一個(gè)塊。而將全部參數(shù)捆綁一起存入Flash塊中，那么只有一個(gè)參數(shù)修改時(shí)，也需要將全部參數(shù)一起存一遍。那么有什么更好的方法嗎？

前段時(shí)間學(xué)習(xí)Msos，看到其中使用的參數(shù)存儲(chǔ)的方法設(shè)計(jì)的很好，它將參數(shù)的變量地址與值，一同存儲(chǔ)入Flash中。出彩之處是使用參數(shù)的變量地址來標(biāo)記不同的變量。

一、數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)

這種存儲(chǔ)方式使用兩個(gè)數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)：

typedef struct

{

uint Address; //參數(shù)變量的地址

uint Data; //參數(shù)變量的值

}CellStruct;

要存儲(chǔ)某個(gè)變量，需要將這個(gè)變量的地址和它的值一同存儲(chǔ)到存儲(chǔ)區(qū)。這種存儲(chǔ)方式的核心就是這個(gè)數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)。這樣就可以使用*((uint *)(Address)) = Data直接將存儲(chǔ)值賦值給對應(yīng)的變量。簡單的說就是根據(jù)地址值來標(biāo)記各個(gè)不同的參數(shù)。

二、代碼解析

這種存儲(chǔ)方式的使用兩個(gè)函數(shù)：

讀取存儲(chǔ)區(qū)中的變量值并更新變量的值

變量的存儲(chǔ)函數(shù)

2.1 參數(shù)的讀取

流程圖如上，主要步驟如下：

根據(jù)Flash中存寫的變量地址，更新變量的值；

將Flash中存寫的地址值存入臨時(shí)數(shù)組中，并根據(jù)地址值判斷是否存在重復(fù)存儲(chǔ)的無效數(shù)據(jù)，并將無效數(shù)組失效；

清空Flash存儲(chǔ)區(qū)，將臨時(shí)數(shù)組中有效的變量重新存入Flash中。

通過這些步驟，將存儲(chǔ)區(qū)中存儲(chǔ)的變量讀出，并將存儲(chǔ)區(qū)中的重復(fù)的無效數(shù)據(jù)清除。下面是源代碼：

#definepUint(address)*((uint*)(address))#definePageSize1024//Stm32F103R8T61Page=1024Byte#defineParameterAddress(FLASH_BASE+(63*1024))#defineParameterSpacePageSize/4/2staticvoidReadAllParameter(void){boolCleanFlag;inti,j;

2.2 參數(shù)的寫入

參數(shù)的寫入就很簡單了，根據(jù)數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)中的寫入點(diǎn)，將變量的地址與值寫入Flash中。

staticboolWriteParameter(void*dataPointer){

2.3 使用方法

每次上電啟動(dòng)時(shí)，調(diào)用讀取全部變量的函數(shù)；

修改某個(gè)參數(shù)的時(shí)候，調(diào)用寫參數(shù)函數(shù)。

三、注意事項(xiàng)

在讀取參數(shù)時(shí)，需要在RAM中建立一個(gè)ParameterSpace大小的數(shù)組，如果這個(gè)值太大，會(huì)超過棧的大小，使得內(nèi)存溢出。因此存儲(chǔ)區(qū)不能開辟的太大。

總結(jié)

這種方式使用簡便，尤其是在更新變量值時(shí)，根據(jù)存儲(chǔ)的變量地址更新相應(yīng)的值。其實(shí)其本質(zhì)與我們使用變量名來標(biāo)記不同的變量是一樣的。不過也有缺點(diǎn)：

首先其同時(shí)存儲(chǔ)變量的地址與變量的值，相當(dāng)于多使用一倍的存儲(chǔ)空間；像上面的注意事項(xiàng)中說的，存儲(chǔ)區(qū)不能開辟的過大，否則會(huì)使臨時(shí)數(shù)組超過棧的大小。