NAND Flash價格在經歷2年漲價的時期后,2018年回歸理性,截至到10月初,2018年NAND Flash價格指數已累積下滑高達57%,NAND Flash每GB價格下探至0.1美金,基本已回到了2016年漲價前的價格水平。近期,即使在傳統的Q3旺季,也依然未能扭轉NAND Flash價格下滑的頹勢,中國閃存市場ChinaFlashMarket預計,受傳統淡季需求減弱的影響,Q4 NAND Flash價格可能依然持續下滑的趨勢。
近5年NAND Flash綜合價格指數走勢
來源:中國閃存市場網www.chinaflashmarket.com
數據截止至2018年10月15日
2018年以來,由于NAND Flash價格持續下滑且跌幅超乎預期,相較于2016年和2017年NAND Flash漲價時期,部分存儲產業鏈企業營收和獲利均受到一定的影響,再加上國際原廠三星、東芝、西部數據、美光、英特爾、SK海力士等不僅3D技術快速迭代,而且加碼投資新建工廠,同時中國三大存儲基地之一的武漢存儲基地已進入投產初期階段。在多方因素影響下,部分市場業內人士紛紛看衰NAND Flash產業。中國閃存市場ChinaFlashMarket認為,NAND跌價是價格沖高回落的自然現象,不必過于擔憂。
2018年NAND價格“折腰”, 2019年跌勢難改,都是3D技術推進的必然走向
NAND Flash價格走勢是由市場供需決定的,2016年和2017年由于處于原廠2D NAND向3D NAND切換的空窗期,使得NAND Flash供應減少,而需求端智能型手機和SSD容量需求依然在增長,導致市場供不應求,同時NAND Flash價漲一倍多。2018年原廠不斷擴大64層/72層3D NAND產出量,目前三星、東芝/西部數據、美光/英特爾等3D NAND占比已達到80%,美光甚至可以達到90%,3D NAND產能增加,導致市場供過于求。
中國閃存市場ChinaFlashMarket進一步分析,以目前主流的64層3D NAND技術為例,一片Wafer晶圓(12英寸)大約可以切割出1000顆256Gbit的Die。相較于1znm工藝2D技術所切割出的600多顆128Gbit的Die,不僅容量翻倍,單顆Die的總數更是增加了60%,這是導致NAND Flash相關產品價格下滑的主要因素。
12英寸Wafer晶圓產能分析
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展望2019年,在2018下半年三星、東芝/西部數據、美光/英特爾、SK海力士等均已發布了其新一代96層3D NAND技術,且三星、東芝/西部數、美光等已開始量產。根據各原廠技術規劃,預計96層3D NAND將在2019上半年規模化量產。據了解,96層3D NAND由于初期良率較低,相較于64層3D NAND沒有成本優勢,但隨著良率的不斷提高,成本優勢將逐漸顯現,中國閃存市場ChinaFlashMarket預計2019年NAND Flash價格將會進一步下滑。
國際原廠NAND拼擴產,DRAM保守以待,如何解讀存儲市場行情?
2018年新一輪NAND擴產開始,三星除了Fab 18這個大型工廠外,還開始新建西安工廠二期工程,東芝除了新工廠Fab 6開始投產96層3D NAND,又新建Fab 7,SK海力士M15和英特爾大連二期工廠都開始投產96層3D NAND,還有美光新建的Fab10三期工廠。另外,長江存儲武漢基地也開始逐步生產,滿載產能可達到15萬片/月。
根據規劃,各家原廠新工廠都將在2019年陸續提高生產量。NAND Flash產能大幅度增加,一是填補2016年和2017年市場供應的缺口,二是為了新一代96層3D技術投產,滿足智能型手機和SSD對大容量不斷增長的需求。
國際原廠新工廠投產情況
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反觀DRAM市場,相較于NAND Flash產業不斷增加的產能,三星、美光、SK海力士三大原廠對DRAM增產持保守態度,三星、美光、SK海力士受惠于兩年持續走高的DRAM價格,營收和獲利持續走高,所以各家都不急于擴建DRAM工廠,以免產能過剩導致價格慘跌,影響獲利。市場數據反饋DRAM在服務器、PC和智能手機的應用沒有很大增幅,而DRAM工藝從2017年2xnm提升到2018年1xnm,增加40%的產能。三星原訂每月增產DRAM計劃已延期,同時為避免DRAM價格下滑,計劃下修2019年2成的DRAM投資額,SK海力士也推遲了DRAM擴產計劃。但是DRAM的壓力還是與日俱增,形成DRAM堰塞湖。
NAND和DRAM兩行情與市場需求有關,首先DRAM在智能型手機上的平均LPDDR容量3.2GB,而NAND Flash平均需求則超過80GB;其次PC出貨持續萎縮,又遇英特爾處理器缺貨,DRAM標配4GB,高配也僅16GB,而PC搭載的SSD容量則在240GB以上,第三:在服務器市場,IBM、百度、阿里、華為等正在部署英特爾傲騰技術和三星Z-NAND來滿足大數據存儲需求,取代部分DRAM的應用。Optane內存雖然有“內存”之名,但它并非是我們通常理解的DRAM內存。它主要作用是作為緩存設備對硬盤(包括HDD和SSD)進行加速。
3D XPoint的優勢。按官方數據,3D XPoint的讀寫速度和壽命均為NAND Flash的1000倍,延遲是NAND Flash的千分之一,DRAM的10倍;存儲密度則是內存的10倍。
智能手機和SSD主力市場合計消耗85%以上的產能,未來NAND產業依然好光景
在國際原廠3D技術和產能增加的推動下,2018年NAND Flash存儲密度預計將較2017年增長42%,達到2300億GB當量。需求端,2018年全球智能型手機出貨將達14.6億臺,高端手機蘋果、三星等旗艦機搭載Flash容量由256GB向512GB提升,華為、OPPO、VIVO、小米等從64GB/128GB向128GB/256GB,甚至512GB容量轉移,以手機為主的嵌入式產品消耗了43%的NAND產能。
2018年高端旗艦機容量成倍增加
SSD在消費類、數據中心以及行業應用需求強勁,2018年全球SSD的出貨量將達1.92億臺,相較于2017年增長22%。全球SSD市場所消耗的產能已從2016年的38%上升到43%,尤其是企業級SSD,2018年平均容量已經達到2TB/臺,僅企業級市場就消耗了25%的NAND Flash產能。2018年SSD與嵌入式產品合計消耗85%以上的NAND Flash產能,2019年仍然是主力需求市場。
全球SSD出貨量增長走勢(百萬/臺)
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全球企業級SSD出貨量增長走勢(百萬/臺)
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SSD搶占的是HDD市場,SSD價格下滑是其成長的最大動力,尤其是在消費類市場,2016年和2017年因為NAND Flash缺貨,SSD價格大幅上漲,同時也抑制了市場需求的增長。2018年以來SSD價格持續下滑,目前價格已跌破2016年所創下的歷史低點,其中240GB和480GB價格在2018年累積跌幅分別達45%、52%,部分240GB價格已跌破30美金,也正因為價格的下滑大大的刺激了市場需求向更大容量的240GB、480GB、960GB普及。
2018年1-10月240GB TLC SSD價格走勢
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數據截止至2018年10月
2018年1-10月480GB TLC SSD價格走勢
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數據截止至2018年10月
NAND跌價時期,是對存儲企業綜合實力的考驗
在智能型手機和SSD需求帶動下,NAND Flash產業呈現健康的發展趨勢,而且隨著物聯網、人工智能、汽車電子等領域的崛起,將會產生更多的數據量,且要求高速、復雜的處理數據,對NAND Flash的需求不斷增加。
當下NAND Flash價格下滑,更多的是對企業綜合實力的考驗,也會加速淘汰沒有競爭力的企業,資源會向有競爭力的公司匯聚,2008年市場惡劣的時候,市場存儲企業從幾百家淘汰到幾十家,現在的情況也是類似。
“最重要的還是技術創新”這是企業必須一直具備的精神。中國作為存儲產業重要的應用市場,需求多樣而多變,通過提高企業自身自主創新技術,充分理解本土客戶需求,厚積薄發,實現企業的成長。
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