軟開關分為ZVS（零電壓開關）和ZCS（零電流開關），由于ZVS一般無需外加輔助器件，容易實現所以在隔離DC-DC變換器中得到了廣泛的運用（以移相全橋（Full Bridge Phase-shift）和LLC為代表）。

下面主要來講講開關管ZVS的實現，下圖是MOSFET及其在分析ZVS時的等效模型。全控開關用一個理想開關及一個串聯導通內阻RDS_on代替。無論是移相全橋（FBPS）還是諧振變換器（LLC），其ZVS短暫的過程都是一樣的，均是利用諧振電感Lr有序地“充”/“放”橋臂上下管MOSFET結電容上的電荷。

為了便于理解，此處簡化講解ZVS橋臂上下管MOSFET的換流過程： 1、[~,t0]穩態 t0之前，MOS管S1一直通，S2一直斷。電流流經RDSon1和諧振電感Lr。

2、[t0,t1]橋臂換流 t0時刻，MOS管S1關斷，此時S1、S2均關斷，沒有通路。諧振電流iLr被迫給S1結電容C1充電，并抽走S2結電容C2上的電荷。直到Vc1被充到Vin，Vc2被抽到0V，一旦Vc2降到0V，諧振電流iLr就流經S2的體二極管（續流），此時諧振電流iLr才重新找到一條穩定的通路。

3、[t1,~]——t1 時刻S2軟開（ZVS零電壓開通），維持穩態 t1時刻，S1的驅動電平變高，此時MOS管S2合上，由于RDSon2上的壓降要比體二極管的導通壓降更小，所以電流流經RDSon2（MOSFET具有雙向導電性，此時MOSFET工作在同步整流狀態，這個特性是IGBT所不具備的，這也是MOSFET在ZVS變換器中的天然優勢，電流幾乎時時刻刻都流經RDSon，通態損耗很?。?/p>

到此，S1關斷到S2開通的過程已經講完，分析整個過程可以發現，是S1的關斷成全了S2的軟開，要是沒有S1的關斷，迫使諧振電流iLr為找到新的通路而“充”/“放”橋臂上下管結電容電荷，S2的續流二極管也不可能在S2驅動高電平（t1時刻）來之前就導通續流。所以S2的軟開全靠S1的硬關成全（ZVS的特點，硬關軟開）。 送一幅MOSFET的ZVS波形圖（Vgs&Vds），可以清楚地看清軟開（開通無米勒平臺）硬關（關斷有米勒平臺）。

而S2關斷到S1開通的過程與上述過程完全一致，不在重復。

關于硬開，硬開是在MOSFET關斷的情況下（Vc1=Vin），直接通過RDSon把結電容上的電荷消耗掉，從而導通管子，顯然要比軟開EMI及開通損耗要大很多。