根據消息報道,武漢長江存儲有望按計劃在今年年底投產32層3D NAND,力爭未來幾年實現30萬片每月的晶圓產能目標。
目前世界上存儲器芯片市場主要由美、日、韓主導,是高度壟斷的寡頭市場格局,長江存儲的成立就是希望打破這一行業壟斷。
資料顯示,長江存儲成立于2016年,總投資達40億美元。依照長江存儲的目標,2023年要實現每月30萬片晶圓的產能,年產值1000億元,快速提升國產自給率。
此外,也有業界人士透露長江存儲Xtacking?架構的64層NAND樣品已經送至合作伙伴進行測試,讀寫質量大致穩定,預計最快將在2019年第3季投產。長江存儲更計劃在2020年跳過96層3D NAND,直接進入128層堆疊。
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。
舉報投訴
-
NAND
+關注
關注
16文章
1678瀏覽量
136029 -
晶圓
+關注
關注
52文章
4851瀏覽量
127816 -
存儲
+關注
關注
13文章
4266瀏覽量
85686
原文標題:長江存儲即將投產!2020年直接上128層3D NAND
文章出處:【微信號:ICCapital,微信公眾號:芯資本】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。
發布評論請先 登錄
相關推薦
預期提前,鎧俠再次加速,3D NAND準備沖擊1000層
電子發燒友網報道(文/黃山明)近日,鎧俠再次宣布,將在2027年實現3D NAND的1000層堆疊,而此前鎧俠
鎧俠瞄準2027年:挑戰1000層堆疊的3D NAND閃存新高度
在全球半導體行業的激烈競爭中,日本知名存儲芯片制造商鎧俠(Kioxia)展現了其雄心壯志和堅定決心。在結束了長達20個月的NAND閃存減產計劃后,鎧俠的兩座日本工廠生產線開工率已提升至100%,同時上周還公布了其令人矚目的
SK海力士5層堆疊3D DRAM制造良率已達56.1%
在全球半導體技術的激烈競爭中,SK海力士再次展示了其卓越的研發實力與創新能力。近日,在美國夏威夷舉行的VLSI 2024峰會上,SK海力士宣布了其在3D DRAM技術領域的最新研究成果,其中5層堆疊的
3D NAND閃存來到290層,400層+不遠了
電子發燒友網報道(文/黃晶晶)早在2022年閃存芯片廠商紛紛發布200+層 3D NAND,并從TLC到QLC得以廣泛應用于消費電子、工業、數據中心等領域。來到2024
三星電子研發16層3D DRAM芯片及垂直堆疊單元晶體管
在今年的IEEE IMW 2024活動中,三星DRAM業務的資深副總裁Lee指出,已有多家科技巨頭如三星成功制造出16層3D DRAM,其中美光更是發展至8層水平。
三星宣布量產第九代V-NAND 1Tb TLC產品,采用290層雙重堆疊技術
作為九代V-NAND的核心技術,雙重堆疊技術使旗艦V8閃存的層數從236層增至290層,主要應用于大型企業服務器及人工智能與云計算領域。據了解,三星
三星量產第九代V-NAND閃存芯片,突破最高堆疊層數紀錄
三星公司預計將于今年四月份大批量生產目前行業內為止密度最大的290層第九代V-NAND (3D NAND) 閃存芯片,這是繼之前的236層第
三星九代V-NAND閃存或月底量產,堆疊層數將達290層
據韓媒Hankyung透露,第九代V-NAND閃存的堆疊層數將高達290層,但IT之家此前曾報道過,三星在學術會議上展示了280層堆疊的QL
鎧俠計劃2030-2031年推出千層級3D NAND閃存,并開發存儲級內存(SCM)
目前,鎧俠和西部數據共同研發NAND閃存技術,他們最杰出的作品便是218層堆疊的BICS8 3D閃存,這項產品能達到的傳輸速度高達3200MT/s。
三星將推出GDDR7產品及280層堆疊的3D QLC NAND技術
三星將在IEEE國際固態電路研討會上展示其GDDR7產品以及280層堆疊的3D QLC NAND技術。
ad中3d封裝放到哪個層
在廣告中,3D封裝通常放置在視覺設計層。視覺設計是廣告中至關重要的一個層面,通過圖像、顏色和排版等視覺元素來引起目標受眾的注意,并傳達廣告的信息。 3D封裝是指使用三維技術對產品、包裝或標志等進行
評論