兩年前的11月，ADI公司在MEMS技術(shù)領(lǐng)域取得的重大突破，宣布推出革命性的0Hz(DC)至GHz開(kāi)關(guān)解決方案——ADGM1304和ADGM1004 RF MEMS開(kāi)關(guān)。業(yè)界首次提供了一種可替代傳統(tǒng)繼電器方法的出色方案，將100多年前即被電子行業(yè)采用的機(jī)電繼電器突破性拓展——

同類最佳的0 Hz/dc至Ka波段及以上的性能；

比繼電器高出若干數(shù)量級(jí)的循環(huán)壽命；

出色的線性度；

超低功耗要求（繼電器的十分之一）；

芯片級(jí)封裝（體積縮小95%）；

速度提高30倍；

可靠性提高了10倍

……

兩年內(nèi)，MEMS開(kāi)關(guān)已經(jīng)幫助大量的自動(dòng)測(cè)試設(shè)備(ATE)以及其他儀器儀表現(xiàn)實(shí)精確性和多功能性，幫助客戶降低測(cè)試成本和功耗，縮短產(chǎn)品上市時(shí)間。MEMS開(kāi)關(guān)即將在航空航天和防務(wù)、醫(yī)療保健以及通信基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)備等行業(yè)內(nèi)取代繼電器。

百年繼電器就這樣被顛覆

ADI MEMS 開(kāi)關(guān)技術(shù)的關(guān)鍵是靜電驅(qū)動(dòng)的微加工懸臂梁開(kāi)關(guān)元件概念。本質(zhì)上可以將它視作微米尺度的機(jī)械開(kāi)關(guān)，其金屬對(duì)金屬觸點(diǎn)通過(guò)靜電驅(qū)動(dòng)。

開(kāi)關(guān)采用三端子配置進(jìn)行連接。功能上可以將這些端子視為源極、柵極和漏極。圖1是開(kāi)關(guān)的簡(jiǎn)化示意圖，情況A表示開(kāi)關(guān)處于斷開(kāi)位置。將一個(gè)直流電壓施加于柵極時(shí)，開(kāi)關(guān)梁上就會(huì)產(chǎn)生一個(gè)靜電下拉力。這種靜電力與平行板電容的正負(fù)帶電板之間的吸引力是相同的。當(dāng)柵極電壓斜升至足夠高的值時(shí)，它會(huì)產(chǎn)生足夠大的吸引力（紅色箭頭）來(lái)克服開(kāi)關(guān)梁的彈簧阻力，開(kāi)關(guān)梁開(kāi)始向下移動(dòng)，直至觸點(diǎn)接觸漏極。

圖1. MEMS開(kāi)關(guān)動(dòng)作過(guò)程，A和C表示開(kāi)關(guān)關(guān)斷，B表示開(kāi)關(guān)接通

該過(guò)程如圖1中的情況B所示。因此，源極和漏極之間的電路閉合，開(kāi)關(guān)現(xiàn)已接通。拉下開(kāi)關(guān)梁所需的實(shí)際力大小與懸臂梁的彈簧常數(shù)及其對(duì)運(yùn)動(dòng)的阻力有關(guān)。注意：即使在接通位置，開(kāi)關(guān)梁仍有上拉開(kāi)關(guān)的彈簧力（藍(lán)色箭頭），但只要下拉靜電力（紅色箭頭）更大，開(kāi)關(guān)就會(huì)保持接通狀態(tài)。最后，當(dāng)移除柵極電壓時(shí)（圖1中的情況C），即柵極電極上為0 V時(shí)，靜電吸引力消失，開(kāi)關(guān)梁作為彈簧具有足夠大的恢復(fù)力（藍(lán)色箭頭）來(lái)斷開(kāi)源極和漏極之間的連接，然后回到原始關(guān)斷位置。

一個(gè)MEMS懸臂開(kāi)關(guān)梁

（其中可看到并聯(lián)的的五個(gè)觸點(diǎn)和具有下面有空隙的鉸鏈結(jié)構(gòu)。）

MEMS開(kāi)關(guān)需要高直流驅(qū)動(dòng)電壓來(lái)以靜電力驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)。為使器件盡可能容易使用并進(jìn)一步保障性能，ADI公司設(shè)計(jì)了配套驅(qū)動(dòng)器集成電路來(lái)產(chǎn)生高直流電壓，其與MEMS開(kāi)關(guān)共同封裝于QFN規(guī)格尺寸中。此外，所產(chǎn)生的高驅(qū)動(dòng)電壓以受控方式施加于開(kāi)關(guān)的柵極電極。它以微秒級(jí)時(shí)間斜升至高電壓。斜升有助于控制開(kāi)關(guān)梁的吸引和下拉，改善開(kāi)關(guān)的動(dòng)作性能、可靠性和使用壽命。驅(qū)動(dòng)器IC僅需要一個(gè)低電壓、低電流電源，可與標(biāo)準(zhǔn)CMOS邏輯驅(qū)動(dòng)電壓兼容。這種一同封裝的驅(qū)動(dòng)器使得開(kāi)關(guān)非常容易使用，并且其功耗要求非常低，大約在10 mW到20 mW范圍內(nèi)。

實(shí)力擔(dān)當(dāng)——ADGM1304和ADGM1004

ADGM1304是一款寬帶、單刀四擲(SP4T)開(kāi)關(guān)，其工作頻率可低至0 Hz/DC，是各種RF應(yīng)用的理想開(kāi)關(guān)解決方案。實(shí)現(xiàn)更小、更靈活和更可靠的低插入損耗開(kāi)關(guān)大幅減小尺寸和元件數(shù)量，并顯著降低成本。

ADGM1304 實(shí)力對(duì)比

與固態(tài)繼電器等其他開(kāi)關(guān)替代產(chǎn)品不同，ADGM1304具備出色的精度，并提供從0 Hz (DC)到14 GHz的RF性能；

與機(jī)電繼電器相比，高度可靠的ADGM1304可將冷開(kāi)關(guān)生命周期提高10倍，同時(shí)延長(zhǎng)ATE系統(tǒng)工作壽命，減少由于繼電器故障導(dǎo)致的代價(jià)高昂的停機(jī)；

與DPDT繼電器設(shè)計(jì)相比，集成式電荷泵無(wú)需外部驅(qū)動(dòng)器，這進(jìn)一步減小了ATE系統(tǒng)尺寸，而多路復(fù)用器配置也可簡(jiǎn)化扇出式結(jié)構(gòu)。

借助ADGM1304 MEMS開(kāi)關(guān)產(chǎn)品，ADI開(kāi)發(fā)了ADGM1004 MEMS開(kāi)關(guān)，通過(guò)集成固態(tài)ESD保護(hù)技術(shù)來(lái)增強(qiáng)RF端口ESD性能。ADGM1004開(kāi)關(guān)的RF端口人體模型 (HBM) ESD額定值已增加到5 kV。這個(gè)級(jí)別的ESD保護(hù)可謂MEMS開(kāi)關(guān)行業(yè)首創(chuàng)。

ADGM1004與典型機(jī)電式RF繼電器（四開(kāi)關(guān)）的尺寸比較

集成式固態(tài)ESD保護(hù)是專有的ADI技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)非常高的ESD保護(hù)同時(shí)對(duì)MEMS開(kāi)關(guān)RF性能影響最小。圖3顯示了采用SMD QFN封裝的ESD保護(hù)元件。其中，芯片安放在MEMS芯片上，通過(guò)焊線連接至封裝的RF引腳。這些都是針對(duì)RF和ESD性能進(jìn)行了優(yōu)化。

為了實(shí)現(xiàn)ADGM1004產(chǎn)品，不僅繼承了ADGM1304的所有性能，ADI更是將三種專有光刻技術(shù)與組裝和MEMS封蓋技術(shù)相結(jié)合，以實(shí)現(xiàn)這一性能突破。

ADGM1304:https://www.analog.com/cn/products/ADGM1304.html

ADGM1004:https://www.analog.com/cn/products/ADGM1004.html

與機(jī)電繼電器相比，高度可靠的ADGM1304和ADGM1004可將冷開(kāi)關(guān)生命周期提高10倍，同時(shí)延長(zhǎng)ATE系統(tǒng)工作壽命，減少由于繼電器故障導(dǎo)致的代價(jià)高昂的停機(jī)。此外，ADGM1304和ADGM1004 MEMS開(kāi)關(guān)封裝高度極低，設(shè)計(jì)人員可以在ATE測(cè)試板兩側(cè)表面貼裝器件，以提高通道密度并降低成本，且不會(huì)增加設(shè)備體積。

距離這兩款革命性突破的 MEMS 開(kāi)關(guān)的發(fā)布已經(jīng)過(guò)去兩年了，ADI 也一直致力于 MEMS 技術(shù)的發(fā)展