當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時，薄片的兩端就會產生電位差，這種現象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U，其表達式為U=Kk·I·B/d。其中K為霍爾系數，I為薄片中通過的電流，B為外加磁場（洛倫茲力Lorrentz）的磁感應強度，d是薄片的厚度。

由此可見，霍爾效應的靈敏度高低與外加磁場的磁感應強度成正比的關系。霍爾開關就屬于這種有源磁電轉換器件，它是在霍爾效應原理的基礎上，利用集成封裝和組裝工藝制作而成，它可方便的把磁輸入信號轉換成實際應用中的電信號，同時又具備工業場合實際應用易操作和可靠性的要求。

霍爾開關的輸入端是以磁感應強度B 來表征的，當B值達到一定的程度（如B1）時，霍爾開關內部的觸發器翻轉，霍爾開關的輸出電平狀態也隨之翻轉。輸出端一般采用晶體管輸出，和接近開關類似有NPN、PNP、常開型、常閉型、鎖存型（雙極性）、雙信號輸出之分。

作為在目前全球通用的工藝模式為：

作為國產新型接近式開關芯片

擁有更為合理的生產工藝做為擁有更新專利的M7101N

并且作為國產的科技企業

在眾多領域國產的電源芯片都有很優秀的產品

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單片機I/O 接口的收發電路（三線連接）。該電路能自動識

別外接負載類型，自動切換高端輸出或低端輸出。電路有過

溫保護，輸入過壓保護，輸出短路保護，短路后限流保護，

防逆流反向保護，外接傳感器短路保護，反接保護,輸出短路

示警提示.。

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