帶緩沖墊的四側引腳扁平封裝。QFP封裝之一,在封裝本體的四個角設置突起(緩沖墊)以防止在運送過程中引腳發生彎曲變形。美國半導體廠家主要在微處理器和ASIC等電路中采用 此封裝。引腳中心距0.635mm,引腳數從84到196左右(見QFP)。
2、C-(ceramic)表示陶瓷封裝的記號。例如,CDIP表示的是陶瓷DIP。是在實際中經常使用的記號。
3、Cerdip用玻璃密封的陶瓷雙列直插式封裝,用于ECLRAM,DSP(數字信號處理器)等電路。帶有玻璃窗口的Cerdip用于紫外線擦除型EPROM以及內部帶有EPROM的微機電路等。引腳中心 距2.54mm,引腳數從8到42。在japon,此封裝表示為DIP-G(G即玻璃密封的意思)。
4、Cerquad表面貼裝型封裝之一,即用下密封的陶瓷QFP,用于封裝DSP等的邏輯LSI電路。帶有窗口的Cerquad用于封裝EPROM電路。散熱性比塑料QFP好,在自然空冷條件下可容許1.5~2W的功率。但封裝成本比塑料QFP高3~5倍。引腳中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm等多種規格。引腳數從32到368。
5、CLCC(ceramicleaded chip carrier)
帶引腳的陶瓷芯片載體,表面貼裝型封裝之一,引腳從封裝的四個側面引出,呈丁字形。 帶有窗口的用于封裝紫外線擦除型EPROM以及帶有EPROM的微機電路等。此封裝也稱為QFJ、QFJ-G(見QFJ)。
6、DFP(dualflat package)雙側引腳扁平封裝。是SOP的別稱(見SOP)。以前曾有此稱法,現在已基本上不用。
7、DIC(dualin-line ceramic package)陶瓷DIP(含玻璃密封)的別稱(見DIP).
8、DIL(dualin-line)DIP 的別稱(見DIP)。歐洲半導體廠家多用此名稱。
9、DSO(dualsmall out-lint)雙側引腳小外形封裝。SOP的別稱(見SOP)。部分半導體廠家采用此名稱。
10、DICP(dualtape carrier package)雙側引腳帶載封裝。TCP(帶載封裝)之一。引腳制作在絕緣帶上并從封裝兩側引出。由于利 用的是TAB(自動帶載焊接)技術,封裝外形非常薄。常用于液晶顯示驅動LSI,但多數為定制品。 另外,0.5mm厚的存儲器LSI簿形封裝正處于開發階段。在japon,按照EIAJ(japon電子機械工 業)會標準規定,將DICP命名為DTP。
11、DIP(dualtape carrier package)同上。japon電子機械工業會標準對DTCP的命名(見DTCP)。
12、FP(flatpackage)扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。QFP或SOP(見QFP和SOP)的別稱。部分半導體廠家采用此名稱。
13、flip-chip倒焊芯片。裸芯片封裝技術之一,在LSI芯片的電極區制作好金屬凸點,然后把金屬凸點 與印刷基板上的電極區進行壓焊連接。封裝的占有面積基本上與芯片尺寸相同。是所有封裝技 術中體積最小、最薄的一種。 但如果基板的熱膨脹系數與LSI芯片不同,就會在接合處產生反應,從而影響連接的可靠 性。因此必須用樹脂來加固LSI芯片,并使用熱膨脹系數基本相同的基板材料。
14、FQFP(finepitch quad flat package)小引腳中心距QFP。通常指引腳中心距小于0.65mm的QFP(見QFP)。部分導導體廠家采用此名稱。
15、CPAC(globetop pad array carrier)美國Motorola公司對BGA的別稱(見BGA)。
16、CQFP(quadfiat package with guard ring)帶保護環的四側引腳扁平封裝。塑料QFP之一,引腳用樹脂保護環掩蔽,以防止彎曲變形。 在把LSI組裝在印刷基板上之前,從保護環處切斷引腳并使其成為海鷗翼狀(L形狀)。這種封裝 在美國Motorola公司已批量生產。引腳中心距0.5mm,引腳數最多為208左右。
17、H-(withheat sink)表示帶散熱器的標記。例如,HSOP表示帶散熱器的SOP。
18、pingrid array(surface mount type)表面貼裝型PGA。通常PGA為插裝型封裝,引腳長約3.4mm。表面貼裝型PGA在封裝的底面有陳列狀的引腳,其長度從1.5mm到2.0mm。貼裝采用與印刷基板碰焊的方法,因而也稱 為碰焊PGA。因為引腳中心距只有1.27mm,比插裝型PGA小一半,所以封裝本體可制作得不 怎么大,而引腳數比插裝型多(250~528),是大規模邏輯LSI用的封裝。封裝的基材有多層陶 瓷基板和玻璃環氧樹脂印刷基數。以多層陶瓷基材制作封裝已經實用化。
19、LQFP(lowprofile quad flat package)薄型QFP。指封裝本體厚度為1.4mm的QFP,是japon電子機械工業會根據制定的新QFP外形規格所用的名稱。
20、L-QUAD陶瓷QFP之一。封裝基板用氮化鋁,基導熱率比氧化鋁高7~8倍,具有較好的散熱性。封裝的框架用氧化鋁,芯片用灌封法密封,從而抑制了成本。是為邏輯LSI開發的一種封裝, 在自然空冷條件下可容許W3的功率。現已開發出了208引腳(0.5mm中心距)和160引腳(0.65mm中心距)的LSI邏輯用封裝,并于1993年10月開始投入批量生產。
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