目前來看，在資本與技術拉高進入門檻下，GlobalFoundries(GF)退場、代工并非本業(yè)的英特爾則放棄代工業(yè)務，7納米以下先進工藝代工戰(zhàn)場已成為臺積電、三星晶圓代工雙雄對戰(zhàn)競況。

近日市場再度傳出英特爾(Intel)將退出晶圓代工市場，重新專注自家研發(fā)與制造事業(yè)。對此，半導體業(yè)者則表示，英特爾先前雖大張旗鼓進軍代工領域，但實際上，并無大客戶且訂單規(guī)模尚小，近年晶圓代工業(yè)務已名存實亡，接單實力與專注代工的對手群差甚大。

因此嚴格來說，英特爾雖投入晶圓代工多時，但并未真正專注且與三星電子(Samsung Electronics)、臺積電同場較勁，英特爾退出晶圓代工與否，對于自身產能調配及整體代工競況影響甚小，且放棄了不賺錢且分心的代工事業(yè)，在10納米以下先進工藝中，英特爾或可專注重新站穩(wěn)工藝領先地位。

事實上，英特爾投入多年的晶圓代工業(yè)務，近2年來已不斷傳出棄守消息，但英特爾對于市場傳聞均未有所回應。進一步觀察英特爾代工事業(yè)推展，自2010年全面進軍晶圓代工市場以來，英特爾在訂單及客戶爭取上并未見顯著斬獲。

雖在2017年技術及制造大會(Technology and Manufacturing Day)上，英特爾再次強調將協(xié)助客戶借由設計、晶圓制造、封裝及測試等統(tǒng)包式服務(turnkey services)，取得英特爾的技術與制造資源，并在22、14及10納米FinFET制程，開發(fā)出各種全功能設計平臺，提供客戶前所未有的效能與電源效益組合，但迄今依舊是未見效益顯現(xiàn)。

當中，英特爾代工業(yè)務就陸續(xù)揭露多家客戶合作消息，包括樂金電子(LG Electronics)會以英特爾10納米設計平臺為基礎，打造世界級的行動平臺，而展訊也采用英特爾的14納米晶圓鑄造平臺設計產品，Achronix則采用英特爾22納米Speedster 22i HD1000網絡硅芯片生產自家產品。

而隨著英特爾10納米工藝延遲，連英特爾自身新舊平臺轉換都受到嚴重沖擊，對于客戶而言，英特爾工藝轉換與產能調配大亂，恐將影響自家產品量產時程，因此已不會選擇下單英特爾，就以樂金來看，其行動平臺藍圖就受到英特爾10納米工藝推遲影響。

半導體業(yè)者對于英特爾傳將棄守晶圓代工市場均表示并不意外，且認為英特爾并未真正進入晶圓代工市場，其實也不算退場。業(yè)者進一步認為，英特爾當年搶進晶圓代工市場，首要目標其實應不是要與臺積電、三星等晶圓代工大廠搶生意，主要還是考慮產能調配最佳化。

進一步來看，英特爾一直以來保持工業(yè)技術領先，在14納米工藝世代之前，與對手一直保持2~3個世代差距，但其實欲進入全新先進工藝世代，光是興建新廠與購置設備，往往要耗資數(shù)十億美元，全面投入工藝研發(fā)后，人力與資金規(guī)模亦相當可觀，保持工藝領先的代價十分驚人，因此，為能填補產能，拉高各制程產能利用率，進而提升獲利，英特爾遂決定分身投入晶圓代工市場。

然而，英特爾進軍晶圓代工市場，成效并不佳，除了臺積電就穩(wěn)取逾5成市占，三星、GF等晶圓代工大廠也全力固守自身版圖外，英特爾代工報價偏高，且在整體供應鏈服務上不及臺積電、三星等對手亦是原因所在。

而始料未及的是，英特爾近2年10納米工藝嚴重推遲，直至2019年底才會面市，自身14、22納米產能需求吃緊，英特爾更無暇顧及代工訂單，也因此，英特爾放棄晶圓代工，業(yè)界并不意外。

另值得一提的是，英特爾2017年3月舉行技術及制造大會，英特爾負責制造營運及業(yè)務的執(zhí)行副總裁Stacy Smith于會中不僅宣布10納米Cannon Lake處理器將在2017年下半開始量產，亦說明最新客制化晶圓代工(custom foundry)策略，會以14納米及10納米全力搶進晶圓代工市場。

但原是下任執(zhí)行長熱門人選的Stacy Smith卻突然在2018年初轉戰(zhàn)東芝任職，離職原因雖說是退休，但由其在2017年技術及制造大會上所宣布的2大承諾均跳票，也顯見英特爾的制造業(yè)務正面臨前所未有的卡關危機，連本業(yè)都顧不好，更難同時發(fā)展代工事業(yè)。

半導體業(yè)者表示，晶圓代工競況就是資本競賽，如GlobalFoundries不堪巨額投資，先前就宣布擱置7納米工藝推進計劃，全面聚焦現(xiàn)有12納米及14納米工藝技術，而英特爾比較不同，其是自身10納米工藝出現(xiàn)問題，新舊工藝產能調配大亂，供不應求下，當然先顧本業(yè)，無力在代工事業(yè)有所發(fā)展，當然其原本就不具代工優(yōu)勢，報價與服務均不及對手群也是原因所在。

目前臺積電在2018年第2季就搶先進入7納米世代，至年底設計定案(Tape out)逾50個，7納米EUV工藝也準備就緒，5納米將在2019年第2季如期進行風險試產，2020年正式量產，南科廠區(qū)已開始移入機臺，而下世代3納米工藝則進入環(huán)評階段，另外，臺積電也再度重啟布局供需吃緊的8寸工藝。

對比之下，三星先前雖大動作宣布最新工藝大計，將直接推出采用EUV技術的7納米LPP工藝，現(xiàn)已研發(fā)完成，將進入商用化階段，不過，除三星自身產品外，并未見重要客戶大單落袋，目前蘋果2019年A13芯片仍是委由臺積電獨家代工。

盡管國際半導體產業(yè)協(xié)會日前公布全球晶圓廠預測報告，受到存儲器價格崩跌與美中貿易戰(zhàn)等影響，2019年全球晶圓廠設備投資金額預將由原先預估的年成長7%，下修15個百分點至年衰退8%，而***地區(qū)則是在臺積電積極布建5納米晶圓廠帶動下，***地區(qū)2019年晶圓廠支出金額將逆勢出現(xiàn)24%年成長率表現(xiàn)。

對比之下，受到NAND Flash價格下跌、DRAM價格近期也出現(xiàn)松動等影響，連2年的 DRAM 盛世將結束，存儲器業(yè)者快速反應市場情況，并減少資本支出，并暫緩所有已訂購設備出貨，使得2019年整體存儲器資本支出將年減19%，當中，韓國存儲器雙雄三星及SK海力士大砍資本支出為2019年全球晶圓廠設備投資金額大減的重要關鍵所在。