半導體芯片制作分為 IC 設計、 IC 制造、 IC 封測三大環節， 光刻作為 IC 制造的核心環節，其主要作用是將掩模版上的芯片電路圖轉移到硅片上。 由于光刻的工藝水平直接決定芯片的制程水平和性能水平，光刻成為 IC 制造中最復雜、最關鍵的工藝步驟， 光刻的核心設備——***更是被譽為半導體工業皇冠上的明珠。

IC 制造工藝流程

什么是光刻？

光刻工藝是指光刻膠在光照作用下，將掩模版上的圖形轉移到硅片上的技術。 光刻的原理起源于印刷技術中的照相制版，是在一個平面上加工形成微圖形。 在半導體芯片制作過程中， 電路設計圖首先通過激光寫在光掩模版上，然后光源通過掩模版照射到附有光刻膠的硅片表面，引起曝光區域的光刻膠發生化學效應，再通過顯影技術溶解去除曝光區域或未曝光區域，使掩模版上的電路圖轉移到光刻膠上，最后利用刻蝕技術將圖形轉移到硅片上。

光刻膠極性與效果示意圖

光刻根據所采用正膠與負膠之分，劃分為正性光刻和負性光刻兩種基本工藝。 在正性光刻中，正膠的曝光部分結構被破壞，被溶劑洗掉，使得光刻膠上的圖形與掩模版上圖形相同。相反地，在負性光刻中，負膠的曝光部分會因硬化變得不可溶解，掩模部分則會被溶劑洗掉，使得光刻膠上的圖形與掩模版上圖形相反。

普通光刻技術（正性光刻）

為了追求更小的工藝節點，在普通光刻之上已開發出多重圖案光刻工藝，用來增加圖案密度， 最簡單的多重圖案工藝是雙重圖案，它將特征密度提高了兩倍。最廣泛采用的雙圖案化方案之一是雙曝光/雙蝕刻（LELE）。該技術將給定的圖案分成兩個密度較小的部分。通過在光刻工藝中曝光光刻膠，然后蝕刻硬掩模，將第一層圖案轉移到下面的硬掩模上。然后將第二層圖案與第一層圖案對準并通過第二次光刻曝光和刻蝕轉移到硬掩模上。最終在襯底上進行刻蝕，得到的圖案密度是原始圖案的兩倍。

雙重圖案技術

自對準雙重圖案(SADP)技術是通過沉積和刻蝕工藝在心軸側壁上形成的間隔物。然后通過一個額外的刻蝕步驟移除心軸，使用間隔物來定義所需的最終結構，因此特征密度增加了一倍。 SADP 技術主要用于 FinFET 技術中的鰭片形成、線的互連以及存儲設備中的位線/字線的形成，其關鍵的優點在于避免了在 LELE 期間時可能發生的掩模不對齊。

雙重圖案技術中的自對準間隔技術

將 SADP 加倍可以得到四重圖案化工藝 (SAQP)。 193nm 浸沒式光刻的 SADP 可以實現~20nm 的半間距分辨率，但是 SAQP 可以實現~10nm 的半間距分辨率。

自對準間隔技術的四重圖案化

光刻工藝定義了半導體器件的尺寸， 是 IC 制造中的關鍵環節。 作為芯片生產流程中最復雜、最關鍵的步驟，光刻工藝難度最大，耗時最長，芯片在生產過程中一般需要進行 20~30次光刻，耗費時間約占整個硅片工藝的 40～60%，成本極高，約為整個硅片制造工藝的 1/3。一般的光刻工藝要經歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準曝光、后烘、顯影、硬烘、 刻蝕、檢測等工序。

***：光刻工藝的核心設備

***是光刻工藝的核心設備，價值含量大、技術要求高。 光刻是 IC 制造中的關鍵環節，工藝難度最大，對技術和設備的要求也最高。***作為光刻環節的核心設備，也是所有半導體制造設備中技術含量最高的設備，涉及精密光學、精密運動、高精度環境控制等多項先進技術，其設備投入相應最多，目前世界上最先進的 ASML EUV ***單價達到近一億歐元。

***工作原理圖

***工作原理： ***是一種投影曝光系統，由紫外光源、光學鏡片、對準系統等部件組裝而成。在半導體制作過程中，光刻設備會投射光束，穿過印著圖案的掩模及光學鏡片，經物鏡補償各種光學誤差， 將線路圖曝光在帶有光感涂層的硅晶圓上， 然后使用化學方法顯影，得到刻在硅片上的電路圖。在***內部結構中，激光器作為光源發射光線，物鏡系統補償各種光學誤差，是***的核心設備，也是***造價昂貴的重要原因，***物鏡系統一般由 15～20 個直徑為 200～300mm 的透鏡組成。

***價格路線圖

按半導體制造工序分類，光刻設備有前道和后道之分。其中前道***又可根據下游適用產品分為面板***和芯片***，而后道***則為封裝***。封裝***對于光刻的精度要求遠遠低于前道光刻要求，因此價值量也較低，不屬于本文探討之列。而面板***與芯片***工藝類似，只不過不再作用于晶圓而是作用于薄膜晶體管，對技術精度要求不如后者，只需要達到微米級即可。本文主要關注 IC 前道制造光刻技術的演變。

尺寸更小的芯片，在電子速度一定的情況下，信號傳遞的速度就會越快，在一定時間內傳輸的信息就會越多。隨著芯片尺寸的變小，相同面積下可以承載更多的晶體管，高集成度則意味著芯片的高性能。可見晶體管的尺寸對于芯片的性能具有重大意義，而***決定了晶體管的尺寸。隨著半導體產業的向前發展，不斷追求著尺寸更小、速度更快、性能更強的芯片，摩爾定律提出：當價格不變時，集成電路上可容納的元器件的數目，約每隔 18-24 個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。正是半導體行業對于芯片的不斷追求推動了***產品的不斷升級與創新。

***曝光分類

按曝光方式分類， ***可分為直寫式光刻、 接近接觸式光刻和投影式光刻三種。 直寫式由于曝光場太小，通常用于制作掩模板；接近接觸式是指光刻膠與掩模板接觸或略有縫隙，受氣墊影響，成像精度較低；投影式是指在掩膜板與光刻膠之間使用光學系統聚集光實現曝光，進一步提高分辨率。芯片追求更快的處理速度，則需要縮短晶體管內部導電溝道的長度，而光刻設備的分辨率決定了 IC 的最小線寬。因而，***產品的升級就勢必要往更小分辨率水平上發展,***演進過程是隨著光源改進和工藝創新而不斷發展的。

***設備進階歷程

根據所用光源改進和工藝創新，***經歷了 5 代產品發展，每次改進和創新都顯著提升了***所能實現的最小工藝節點。 前兩代均為接觸接近式***，曝光方式為接觸接近式，使用光源分別為 g-line 和 i-line，接觸式***由于掩模與光刻膠直接接觸，所以易受污染，而接近式***由于氣墊影響，成像精度不高；第三代為掃描投影式***，利用光學透鏡可以聚集衍射光提高成像質量將曝光方式創新為光學投影式光刻，以掃描的方式實現曝光，光源也改進為 KrF 激光，實現了跨越式發展，將最小工藝推進至 180-130nm； 1986 年ASML 首先推出第四代步進式掃描投影***，采用 ArF 激光光源，通過實現光刻過程中掩模和硅片的同步移動和縮小投影鏡頭，將芯片的最小工藝節點提升一個臺階。

步進掃描投影式***

此外雙工作臺、沉浸式光刻等新型光刻技術的創新與發展也在不斷提升第四代***的工藝制程水平，以及生產效率。 2001 年 ASML 推出了雙工作臺系統（圖 5），將測量、對準與光刻流程相分離，實現曝光與預對準同時進行，大幅提高了生產效率。而浸沒式光刻工藝更成為 ASML 強勢崛起的轉折點。

光刻工藝結構對比簡圖

與傳統光刻技術相比，浸沒式光刻技術需要在***投影物鏡最后一個透鏡下表面與硅片光刻膠之間充滿高折射率的液體，以提高分辨率；目前主要有三種液體浸沒方法：硅片浸沒法，工作臺浸沒法，局部浸沒法，業界多采用局部浸沒法。

局部浸沒法示意圖

尼康、佳能由盛轉衰， ASML 強勢崛起。 在 45nm 制程下 ArF ***遇到了分辨率不足的問題，業內對下一代***的發展提出了兩種路線。一是開發波長更低的 157nmF2 準分子激光做為光源， 二是林本堅（臺積電研發副總經理）提出的浸沒式光刻。

45nm 制程下一代光刻技術兩種路線

2002 年以前，業界普遍認為 193nm 光刻無法延伸到 65nm 技術節點，而 157nm 將成為主流技術，但 157nm光刻技術同樣遭遇到了來自***透鏡的巨大挑戰。在時代的十字路口上， TSMC 提出了193nm 浸入式光刻的概念，尼康、佳能則倒向了開發波長更低的光源；隨著 ASML 與臺積電合作開發，于 2007 年成功推出第一臺浸沒式***。 193nm 光波在水中的等效波長縮短為 134nm，足可超越 157nm 的極限，193nm 浸入式光刻的研究隨即成為光刻界追逐的焦點。

到 2010 年， 193nm 液浸式光刻系統已能實現 32nm 制程產品，并在 20nm 以下節點發揮重要作用，浸沒式光刻技術憑借展現出巨大優勢，成為 EUV 之前能力最強且最成熟的技術。

從液浸式到 EUV，第五代***迎頭趕上。 前四代***使用都屬于深紫外光， ArF 已經最高可以實現 22nm 的芯片制程，但在摩爾定律的推動下，半導體產業對于芯片的需求已經發展到 14nm，甚至是 7nm，浸入式光刻面臨更為嚴峻的鏡頭孔徑和材料挑戰。第五代 EUV***，采用極紫外光，可將最小工藝節點推進至 7nm。

EUV 工作原理示意圖

EUV 的發展過程面臨有五大問題，這也是 EUV 造價極其昂貴的重要原因。

第一，真空環境約束。光蝕刻系統制造的精細程度取決于很多因素。但是實現跨越性進步的有效方法是降低使用光源的波長。幾十年來，***廠商的做法都是將晶圓曝光工具從人眼可見的藍光端開始逐漸減小波長，直到光譜上的紫外線端（UV）。ASML 最終選擇的 13.5nm 波長射線，可以輕易地被很多材料吸收，所以 EUV ***只能在真空下運行。

第二，彎曲射線。由于 EUV 能被玻璃吸收，所以必須在機器中改變其走向，如此一來則必須用反射鏡來代替透鏡，而且必須使用布拉格反射器（一種多層鏡面，可以將很多小的反射集中成一個單一而強大的反射）。

第三，強大光源。一個 EUV 光束在經過長途跋涉后，只有不到 2% 的光線能保留下來。為了減少成本，射線光源必須足夠強，這個強度需要達到中心焦點功率達到 250W。這種強度的光可以使機器每小時處理約 125 個晶片，其批量處理的效率僅有現今使用的高級193nm 技術的一半。目前全球最領先的技術也不過是能夠在實驗室中實現 200W 功率（ASML2017 年上半年實現）。

第四，獨特光刻膠。現有的光刻膠是化學放大光刻膠，由分子鏈聚合而成，可以增強入射光子的效果。但這些材料對 EUV 的吸收效果并不好。此外，由于入射光引起的放大反應在材料內部散射，光刻膠形成的圖像會有輕微模糊。

第五，保護掩模板。 在 193nm 液浸式***中，掩模版由一層被薄膜（即護膜）保護著，這層薄膜距離掩模版有一點懸空的距離，像保鮮膜一樣緊繃在上方，其作用在于當灰塵落在護膜上時影響聚焦而不能在晶圓上形成圖案，因此不會損壞整個晶圓。但 193nm 的護膜不適用于 13.5nm 的光， EUV 會損壞護膜，若不使用護膜則很可能是最終良率為 0。所以解決這個難題的關鍵在于研究制造出能夠抵抗 EUV 破壞的護膜。

EUV 研發五大難題

事實上， ASML 從 1999 年就已開始 EUV ***的研發工作，但由于上述五大難題，難以支付高昂的研發費用，其三大客戶三星、臺積電和英特爾加大投資 52 億歐元，積極支持 EUV 的研發和生產。原計劃在 2004 年推出產品，直到 2010 年 ASML 才研發出第一臺EUV 原型機， 2016 年才實現下游客戶的供貨，比預計時間晚了十幾年，也正是這一滯后使得摩爾定律的更替時間從理論上的 18-24 個月延長至 3-4 年。 目前， ASML 在 EUV 技術上具有絕對領先地位。

***上下游市場。 從***結構來看，它由光源、光學鏡片和對準系統等部件組成，其工藝中十分關鍵的兩個元素是光刻膠和掩膜版。而光刻處理后的晶圓片再經刻蝕和沉積等過程制成芯片成品，用于電腦、手機等各種設備之中。下游旺盛的終端市場需求決定了光刻設備必然也面臨巨大的需求。目前光刻系統市場供給遠遠不足需求，很重要的原因在于上游原材料/部件精度不符要求，譬如上文總結出的 EUV 面臨的五大問題（光源功率、掩膜版、光刻膠、鏡頭等）都是上游技術難關。

除了來自蔡司的鏡頭的供應不足之外，還有設備上的芯片保護膜仍需要改進。 此外，光刻作用基礎硅片/硅基材純度要求極高，通常 11 個 9（即99.999999999%）的級別以上。光刻設備廠商的下游客戶主要在于存儲和邏輯芯片制造商。我們認為未來下游內存市場需求將繼續保持強勁，存儲芯片尤其是 DRAM 價格仍然持續增長。

***上下游市場產業鏈及關鍵企業

全球局勢：三分天下，高端市場一家獨大

從全球角度來看， 高精度的 IC 芯片***長期由 ASML、尼康和佳能三家把持， 從2011-2017 歷年全球***出貨比例可以看出， ASML，尼康，佳能三家公司幾乎占據了 99%的市場份額，其中 ASML ***市場份額常年在 60%以上，市場地位極其穩固。

2011-2017 年全球***出貨比例

頂級***市場 ASML 一家獨大。 2011-2017 年頂級***累計出貨量中， EUV 完全由 ASML 壟斷，出貨來源達到 100%， ArFi ***超過 80%也都由 ASML 提供。英特爾、臺積電、三星用來加工 14/16nm 芯片的高端***均來自 ASML。 相對而言，尼康和佳能的先進制程遠落后于 ASML，主要市場在中低端，最大優勢僅在于成本，很多同類機型價格甚至低于 ASML 的 1/2。

2011-2017 年三大公司各品類累計出貨量（單位：臺）

2011-2017 年***各品類累計出貨量來源

2017 年***各品類出貨量及來源（單位：臺）

（一）ASML：高端***壟斷者

ASML Holding NV(ASML)是世界領先的半導體設備制造商之一，總部位于荷蘭，向全球復雜集成電路生產企業提供領先的綜合性關鍵設備。 它為亞洲， 歐洲和美國的半導體生產商提供提供***及相關服務。它還為客戶提供一系列的支持服務，包括先進的工藝和產品應用知識，并以二十四小時服務支持。 2006 年， ASML 交付第一臺***； 2007 年成功推出第一臺浸沒式*** TWINSCANXT:1990i，采用折射率達到 1.44 的去離子水做為媒介，實現了 45nm 的制程工藝，并一舉壟斷市場。當時的另兩大光刻巨頭尼康、佳能主推的157nm 光源干式***被市場拋棄。

ASML 產品升級歷程

外延并購，加速研發。 ASML 為加速 EUV 發展， ASML 于 2013 年 5 月以 31 億歐元收購 Cymer。 2016 年， ASML 終于實現首次發貨 EUV，并預計在 2018 年可實現最新的微處理器和存儲器的批量生產。同時， 2016 年 6 月收購擁有最先進的電子束檢測技術廠商 HMI，與 ASML 現有曝光技術互補，有助于控制半導體產業良率。 2017 年，以 24.8%股權收購鏡頭老字號生產商卡爾蔡司，進一步為其 EUV 光刻設備的鏡頭部分提供競爭力。

公司的主要產品是光刻系統，也稱為掃描儀，有 PAS5500 和 TWINSCAN 系列產品，從低端到高端系列依次為 XT， NXT 和 NXE。另外近年來還推出測量工具 YieldStar。 其技術實力在光刻設備領域遙遙領先， 根據半導體行業觀察數據， 45nm 以下的高端***的市場中，占據 80%以上的份額，尤其在極紫外光（EUV）領域，目前處于壟斷地位。

公司主要系統型號及其工藝特征

ASML 2018Q1 實現營收 22.85 億歐元，主要來自系統銷售，占比 73%；其中 ArF 浸沒式設備貢獻 72%的營收， KrF 型以 14%的貢獻居于第二。 平均來說， ASML 中高端設備單臺售價超過 7000 萬美元，高端 EUV 設備單臺售價超過 1 億美元。 從 Q1 業務拆分情況看出，高價值的 EUV 銷售量僅一臺就貢獻 7%的營收，公司預計 2018 全年 EUV 收入將達到 21 億歐元。從終端市場看來，主要下游市場在于存儲芯片，營收 1227 百萬歐元，占比達 53.7%，較之 2017 年的 32.8%有很大提升。

FY2017 前三大下游市場是韓國、***、美國，占比分別達到 34%、 24%、 17%，主要原因在于 ASML 的三大主要客戶為三星、臺積電和英特爾。 大陸市場位居第四，營收占比為 10%，達 9.21 億歐元。到 2018Q1， 格局發生了較大變化， 韓國市場比重躍升到 51%，主要原因在于三星加大 EUV 投資。大陸市場購買高端機型的限制逐漸放開，占比提升到 20%，美國和***市場占比有較大下滑。

ASML 2013 年以來毛利率和凈利率

公司營業收入和凈利潤始終保持較高水平，但變化幅度較大。 自 2016 年真正意義上推出 EUV 設備后，營收和凈利潤實現大幅增長。自 2013 年以來毛利率和凈利率均實現穩步增長， 18Q1 毛利率達 48.7%，凈利率達 23.6%。

其中系統設備尤其是光刻設備貢獻在各個季度均超過 60%， 2018Q1 設備營收環比有所下降， 但同比實現 37.2%增長 YoY。***訂單量與訂單額有類似的趨勢。

ASML 在光刻設備市場具有不可撼動的霸主地位，尼康和佳能難以與之抗衡的一大重要原因在于其積極研發和開放式創新發展思路，在新品研發和工藝改進上充分發揮其網絡創新優勢，比佳能和尼康的“孤島式”研發模式更具效率和靈活性。

（二）尼康：發揮面板光刻比較優勢

尼康是日本的一家著名相機制造商，成立于 1917 年，當時名為日本光學工業株式會社。 1988 年該公司依托其照相機品牌，更名為尼康株式會社。最早通過相機和光學技術發家， 1980 年開始半導體光刻設備研究， 1986 年推出第一款 FPD 光刻設備，如今業務線覆蓋范圍廣泛。尼康既是半導體和面板光刻設備制造商，同時還生產護目鏡，眼科檢查設備，雙筒望遠鏡，顯微鏡，勘測器材等健康醫療和工業度量設備。

在 FPD 光刻方面，尼康則可發揮其比較優勢， 尼康的機器范圍廣泛，從采用獨特的多鏡頭投影光學系統處理大型面板到制造智能設備中的中小型面板，為全球領先的制造商提供多樣化的機器。

尼康主要光刻設備產品及工藝

尼康 FY2017 營收 5.25 千億日元，同比下降 7.2%，在成像產品和精密設備（光刻設備）領域利潤均有增長，經營利潤達 4.15 百億日元，增長 123.2%，歸母凈利潤達 2.23 百億日元，增長 56.7%。 2018Q3 營收下降 11%，由于成像產品和 FPD 及芯片光刻設備單位產品銷售額下降，但成像產品業務高附加值產品和精密設備領域的重大技術突破帶來了經營利潤上漲。預計全年營收下降 7%，主要在于 FPD 光刻設備單位產品銷售額下降，但成像產品和芯片光刻設備扭轉了上半年的敗局，使得經營利潤增加 124%。

尼康 FY2008 以來光刻設備營收及占比

尼康雖然在芯片光刻技術上遠不及 ASML，目前的產品還停留在 ArF 和 KrF 光源， 且售價也遠低于 ASML，和 EUV 更加難以相提并論。但目前其盈利性也很大程度上依賴光刻設備，尤其是芯片光刻設備。雖然研發投入也持續增長，但其中對于光刻設備的投入比重卻在下降。

（三）佳能：光電為主，光刻為輔

佳能是日本的一家全球領先的生產影像與信息產品的綜合集團， 1937 年憑借光學技術起家、并以制造世界一流相機作為目標，此后逐漸進入復印機、打印機、光刻設備和機器視覺市場，如今業務已經擴展到各個領域并成功全球化。佳能目前有四大業務線，即辦公設備（包括打印機、復印機等）、成像系統（相機及其零配件）、工業設備（包括芯片***、面板***、網絡攝像頭和商用打印機等）以及醫療系統（包括視網膜相機、角膜曲率機等）。佳能最早從 1970 年開始光刻相關業務，但近幾年來并無技術突破，推出的新產品均非光刻設備領域。

單看佳能工業設備銷售業績，整體上處于上升態勢，但光刻設備的比重越來越低，盡管從 2016 年到 2018 年光刻設備尤其是芯片光刻設備的銷售量有顯著上升，但價值量貢獻卻并無相同趨勢。 FY2017，其他工業設備如網絡攝像頭、商用打印機和三維機器視覺系統加總銷售額貢獻超過 80%，反映出佳能在光刻設備市場上議價能力不足，深層原因還是技術精度未能達到高端市場要求，僅能通過價格優勢獲得銷售量的提升。

佳能 FY2008-2017 ***銷售額及其部門占比

國產化進程：前路漫漫，曙光微現

***研發的技術門檻和資金門檻非常高， 也正是因此，能生產高端***的廠商非常少，到最先進的 14-7nm ***就只剩下 ASML 能生產，日本佳能和尼康已經基本放棄 EUV***的研發。***國產化仍有很長的路要走，處于技術領先的上海微電子裝備有限公司已量產的***中性能最好的是 90nm ***，制程上的差距非常大， 國內晶圓廠所需的高端***只能完全依賴進口。多種原因造成自主技術成長困難重重，光刻設備國產化，前路漫漫。上海微電子則是國產***的星星之火。

目前國內***設備商較少，在技術上與國外還存在巨大差距， 且大多以激光成像技術為主，在 IC 前道光刻設備方面， 上海微電子裝備（集團）股份有限公司（SMEE） 代表了國內頂尖水平。

公司主要致力于半導體裝備、泛半導體裝備、高端智能裝備的開發、設計、制造、銷售及技術服務。設備廣泛于集成電路前道、先進封裝、 FPD 面板、 MEMS、 LED、 Power Devices等制造領域。 公司的封裝***在國內市占率高達 80%，全球市占率也可達到 40%；前道制造***最高可實現 90nm 制程，有望快速將產品延伸至 65nm 和 45nm。上海微電子承擔著多項國家重大科技專項以及 02 專項***科研任務，有望實現國產光刻設備的重大突破。

SMEE 前道光刻產品為 660 系列，為步進掃描投影型， 采用四倍縮小倍率的投影物鏡、工藝自適應調焦調平技術，以及高速高精的自減振六自由度工件臺掩模臺技術， 曝光光源有ArF、 KrF 和 i-line，目前只能達到 90nm 制程，與國際先進水平差距較大。

上海微電子公司 IC 前道制造用光刻設備

500 系列步進投影***不僅適用于晶圓級封裝的重新布線以及 Flip Chip 工藝中常用的金凸塊、焊料凸塊、銅柱等先進封裝光刻工藝，還可以通過選配背面對準模塊，滿足 MEMS和 2.5D/3D 封裝的 TSV 光刻工藝需求。

上海微電子公司 IC 后道封裝用光刻設備

除芯片光刻設備，公司還有 FPD 光刻設備。 200 系列投影***采用先進的投影***平臺技術，專用于 AMOLED 和 LCD 顯示屏 TFT 電路制造，可應用于 2.5 代～6 代的 TFT 顯示屏量產線。該系列設備具備高分辨率、高套刻精度等特性，支持 6 英寸掩模，顯著降低用戶使用成本。

上海微電子公司 TFT 曝光設備

另外， SSB300/30 投影***適用于 2-6 英寸基底 LED 的 PSS 和電極光刻工藝，該設備具有高分辨率、高線寬均勻性等特點； SSB320/10 投影***專用于 LED 生產中芯片制作光刻工藝，采用超大曝光視場，通過掩模優化設計減少曝光場，減少重復芯片損失，顯著提高產能。

上海微電子公司 LED、 MEMS、 Power Devices 制造用光刻設備

截至 2018 年 1 月， SMEE 直接持有各類專利及專利申請超過 2000 項，同時通過建設并參與產業知識產權聯盟，進一步整合共享了大量聯盟成員知識產權資源，涉及光刻設備、激光應用、檢測類、特殊應用類等各大產品技術領域，全面覆蓋了 SMEE 產品的主要銷售地域，上海微電子公司承接著我國光刻設備星火燎原的希望。

上海微電子公司主要設備產品及工藝