一些STM32產品能夠使能/失能內部電源監視器，通過PDR_ON引腳電平進行控制實現。PDR_ON引腳電平為低時，內部電源監視器關閉；當PDR_ON引腳電平為高時，內部電源監視器使能。

內部電源監視器影響的功能包括：POR（上電復位）、PDR（掉電復位）、BOR（欠壓復位）、PVD（可編程電位檢測）、VBAT功能。其中，VBAT功能包括：維持后備寄存器/存儲器，為RTC、LSE振蕩器提供后備供電和維持其在掉電時工作。

在使用低電壓電源的低功耗應用中，當VDD低至最低供電電壓附近時，PDR_ON管腳需要進行合理配置。一般當VDD在1.7V~1.9V之間時【不同系列可能略有差異，以手冊中VDD范圍為準】，可以考慮通過拉低PDR_ON管腳關閉內部電源監視器。當PDR_ON拉低時，內部電源管理器被關閉，POR和PDR功能停止工作，這樣可以避免由于供電在POR/PDR閾值附近的電壓波動而引起頻繁的POR/PDR復位。當然，如果VDD一定不低于1.8V，則可將PDR_ON置高，不必關閉內部電源管理器。

如下電氣參數表，摘自

DS11189（STM32F469xx）。當VDD較低時，在VDD紋波下，可能出現滿足POR/PDR的觸發條件。 例如1.8V供電，紋波在60mV，則VDD供電在1.74~1.86V之間波動，反復出現POR/PDR，這種情況就一定要考慮PDR_ON功能，將其下拉，關閉內部電源管理器。

PDR_ON拉低時，內部電源管理器失能，需要添加外部電源管理器。具體實現電路可參考AN4488。

注：僅在具有PDR_ON引腳封裝的STM32產品才能關閉電源監視器。沒有PDR_ON功能的STM32，默認使用內部電源監視器工作。

異常現象描述

客戶應用中，采用的電源為1.86V左右。根據上述分析，客戶考慮到VDD波動低至1.8V（更準確來說，對應PDR域的最大值1.76V）的情況。將PDR_ON引腳下拉，關閉了內部電源管理器。

在壓力測試環節，發現設備快速掉電重啟時，MCU工作異常。異常后，即使通過熱重啟，MCU無法恢復工作，只能通過冷重啟使其恢復。 如果設備掉電重啟間隔時間長，則不存在這種問題。

原因分析

在展開分析時，先看一下采用電路的示意圖，如下。

其中，PDR_ON采用下拉形式，根據上面介紹，內部電源管理器失能（內部的POR/PDR功能關閉）。

上圖為NRST部分電路示意圖，外部NRST引腳外接了100nF電容，與內部上拉電阻組成阻容電路，上電和下電時VDD和NRST信號如下圖所示。在上電過程中，VDD有效時，NRST依然處于使能狀態（低電位），起到了上電復位效果。但是能夠看出，這種電路實現不會達到快速掉電復位效果。

經過與客戶溝通，應用中存在掉電重啟間隔非常短的情況。同時，由于VDD耦合電容的存在，VDD掉電同樣是一個放電過程，存在如下波形圖。

圖中紅框內，VDD電壓已經下降到遠低于MCU的正常供電范圍（1.7~3.6V）。但是由于缺乏PDR，盡管NRST也在下降，但總體仍然處于非激活狀態（高電位）。這會導致MCU運行在非正常供電下，甚至是VDD很低的情況下工作，而這種情況在產品的數據表中明確表示，運行在工作范圍外，MCU無法正常工作。而紅色部分，就是由于MCU工作已經異常，所以在再次上電時，MCU已經無法正常工作， tRSTTEMPO部分也無法正常生效（tRSTTEMPO對應部分如下圖介紹）。

掉電重啟間隔時間長，VDD放電充分，即使MCU工作異常，在充分掉電后，MCU也完全停止工作。再次上電時，則不會受到影響。

根據分析，異常出現的原因：在低電壓供電需求下，關閉內部電源管理器時，并沒有在外部增加電源管理單元實現類似功能。使MCU在極低供電電壓下依然工作，引發MCU工作異常。

注：經過實測，STM32F469內部電源管理器的關閉，并不影響上圖中tRSTTEMPO部分的功能。

總結及建議

MCU電源電路相對簡單。但是在實際開發中，建議完全參考數據手冊和《Getting started with xxxx MCU hardware development》中電源部分設計，避免由于對ST MCU不熟悉引發的硬件設計問題。