采用氮化鎵應用模塊實現(xiàn)DCDC的設計
GaN材料系列具有低的熱產生率和高的擊穿電場，是研制高溫大功率電子器件和高頻微波器件的重要材料。目前，隨著 MBE技術在GaN材料應用中的進展和關鍵薄膜生長技術的突破，成功地生長出了GaN多種異質結構。用GaN材料制備出了金屬場效應晶體管（MESFET）、異質結場效應晶體管(HFET)、調制摻雜場效應晶體管（MODFET）等新型器件。
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
ti
+關注
關注
112文章
7966瀏覽量
212138 -
晶體管
+關注
關注
77文章
9634瀏覽量
137849 -
氮化鎵
+關注
關注
59文章
1613瀏覽量
116166
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
氮化鎵和砷化鎵哪個先進
氮化鎵（GaN）和砷化鎵（GaAs）都是半導體材料領域的重要成員，它們在各自的應用領域中都展現(xiàn)出了卓越的性能。然而，要判斷哪個更先進，并不是一個簡單的二元對立問題，因為它們的先進性取決于具體的應用場
氮化鎵（GaN）的最新技術進展
本文要點氮化鎵是一種晶體半導體，能夠承受更高的電壓。氮化鎵器件的開關速度更快、熱導率更高、導通電阻更低且擊穿強度更高。氮化
蘋果氮化鎵充電器和普通充電器區(qū)別
蘋果氮化鎵充電器是一種新型的充電器，它采用了氮化鎵材料來實現(xiàn)高效、節(jié)能的充電功能。與普通充電器相
氮化鎵是什么充電器類型
氮化鎵不是充電器類型，而是一種化合物。 氮化鎵（GaN）是一種重要的半導體材料，具有優(yōu)異的電學和光學特性。近年來，氮化
氮化鎵芯片研發(fā)過程
氮化鎵芯片（GaN芯片）是一種新型的半導體材料，在目前的電子設備中逐漸得到應用。它以其優(yōu)異的性能和特點備受研究人員的關注和追捧。在現(xiàn)代科技的進步中，氮化鎵芯片的研發(fā)過程至關重要。下面將
氮化鎵芯片生產工藝有哪些
氮化鎵芯片是一種新型的半導體材料，由于其優(yōu)良的電學性能，廣泛應用于高頻電子器件和光電器件中。在氮化鎵芯片的生產工藝中，主要包括以下幾個方面：材料準備、芯片制備、工廠測試和封裝等。 首先
氮化鎵芯片和硅芯片區(qū)別
氮化鎵芯片和硅芯片是兩種不同材料制成的半導體芯片，它們在性能、應用領域和制備工藝等方面都有明顯的差異。本文將從多個方面詳細比較氮化鎵芯片和硅芯片的特點和差異。 首先，從材料屬性上來看，
氮化鎵是什么晶體類型
氮化鎵是一種重要的半導體材料，屬于六方晶系晶體。在過去的幾十年里，氮化鎵作為一種有著廣泛應用前景的材料，受到了廣泛關注和研究。本文將會詳盡地介紹氮化
氮化鎵芯片的應用及比較分析
隨著信息技術和通信領域的不斷發(fā)展，對高性能芯片的需求也越來越大。作為半導體材料中的重要組成部分，氮化鎵芯片因其優(yōu)異的性能在近年來受到了廣泛關注。本文將詳細介紹氮化鎵芯片的基本原理及其應
氮化鎵功率器件結構和原理
晶體管）結構。GaN HEMT由以下主要部分組成： 襯底：氮化鎵功率器件的襯底采用高熱導率的材料，如氮化硅（Si3N4），以提高器件的熱擴散率和散熱能力。 二維電子氣層：
氮化鎵技術的用處是什么
氮化鎵技術（GaN技術）是一種基于氮化鎵材料的半導體技術，被廣泛應用于電子設備、光電子器件、能源、通信和國防等領域。本文將詳細介紹氮化
氮化鎵充電寶和普通充電寶區(qū)別
氮化鎵充電寶和普通充電寶是兩種不同類型的便攜式電池充電設備。它們之間的主要區(qū)別在于材料和性能，對比這兩種充電寶可以幫助用戶選擇適合自己需求的產品。 首先，氮化鎵充電寶
氮化鎵器件介紹與仿真
本推文簡述氮化鎵器件，主要包括GaN HEMT和二極管，幫助讀者了解Sentaurus TCAD仿真氮化鎵器件的相關內容。
工商網(wǎng)監(jiān)
評論