2018的全球封測領(lǐng)域擴(kuò)產(chǎn)不停，前十大封測廠積極拉充產(chǎn)能，代工商臺積電也積極擴(kuò)充高端封裝產(chǎn)能。

本期盤點(diǎn)文章，芯思想研究院將從營收、技術(shù)、建設(shè)（擴(kuò)產(chǎn)）、收購等方面對全球封測業(yè)進(jìn)行回顧。

1營收篇

2019年2月，芯思想研究院繼推出2017年全球前十大封測公司排名后，再次推出2018年排名。前十大公司名稱和去年沒有變化。

2018年產(chǎn)業(yè)集中度進(jìn)一步加劇

2018年全球封測總營收達(dá)281億美元，較2017年增長4.3%，前十大封測公司的收入占OSAT營收的80.9%，較2017年增加了1.2個百分點(diǎn)。值得慶賀的是，2018年前十大公司都取得了不同程度的增長。

芯思想研究院在2018年12月發(fā)布預(yù)估排名就表示，2018年前十大封測公司與2017年相比唯一的變化是，通富微電超越華天科技，由去年的第七上升至全球第六，華天科技則從第六位下滑一位成為第七。其他公司的排名沒有變化。

根據(jù)總部所在地劃分，前十大封測公司中，中國***有五家（日月光ASE、矽品精密SPIL、力成科技PTI、京元電子JYEC、頎邦Chipbond），市占率為42.1%，較去年增長1個百分點(diǎn)；中國大陸有三家（長電科技JCET、通富微電TF、華天科技HUATIAN），市占率為20.7%，較去年增長0.3個百分點(diǎn)；美國一家（安靠Amkor），市占率為15.4%，較去年增長0.1個百分點(diǎn)；新加坡一家（聯(lián)合科技UTAC），市占率為2.2%，和去年持平。

安靠（Amkor）依托中國上海工廠的快速增長，2018年上海工廠營收整體增幅達(dá)到30%，突破50億元關(guān)口，助力安靠全球整體錄得3.1%的增長。

長電科技受惠于SiP(系統(tǒng)級封裝)、eWLB(嵌入式晶圓級閘球陣列封裝)、TSV(硅穿孔封裝)、3D封裝技術(shù)等皆具備世界級實(shí)力的先進(jìn)封裝技術(shù)，取得2.3%的增長。

通富微電與AMD配套的7nm封測產(chǎn)品已經(jīng)具備量產(chǎn)實(shí)力，在高端市場有較大幅度地增長；蘇通工廠則持續(xù)聚焦于高端產(chǎn)品，預(yù)計(jì)整體產(chǎn)能利用率會逐漸提升；合肥工廠的產(chǎn)能利用率逐步提升，也為公司的營收增長提供了支持。2018年通富微電取得11.5%的增長率，在前十大封測公司中，增速排名第二。

受到指紋識別TSV封裝和比特幣礦機(jī)芯片封裝訂單下滑，CIS封裝價(jià)格下滑，導(dǎo)致華天科技2018年僅僅有2%的增長，這是華天科技自2007年上市以來錄得的最低的增速，2008年和2009年經(jīng)濟(jì)危機(jī)時(shí)，其增幅也有8.9%和4.7%。從2007年上市至今，公司年均增長率達(dá)20%。2018年華天科技營收逐季下滑，第四季較第一季下滑20%。

聯(lián)合科技（UTAC）于2018年初正式關(guān)閉上海工廠，產(chǎn)能轉(zhuǎn)移到泰國廠區(qū)，整合泰國工廠QFN產(chǎn)能，進(jìn)一步降低了運(yùn)營成本。不過在2018年4月傳出出售消息，擬10億美元出售。

京元電子（KYEC）受惠于面板驅(qū)動IC的成長，取得8.6%的增長率。

頎邦科技（Chipbond）受惠于子公司頎中科技，加大與面板大廠京東方的合作，公司COF產(chǎn)能爆滿。

營收增幅現(xiàn)疲態(tài)

值得慶賀的是，2018年前十大公司都取得了不同程度的增長。

2018年前十大公司合計(jì)營收較2017年成長4.3%，相較2017年的成長率10%來說稍顯疲態(tài)。

2018年前十大封測公司中，營收增幅最大的是力成科技的17.3%，增幅第二是通富微電的11.5%，增幅排名第三的是京元電子的8.6%。

而2017年的增幅前三確實(shí)驚人，通富微電、華天科技、長電科技分別以42%、28.04%、24.54%位居營收增幅前三位，而增幅排名第四位的力成科技也高達(dá)23.35%。

利潤率情況

根據(jù)芯思想研究院統(tǒng)計(jì)，凈利潤率排名前三名都來自中國***，分別是頎邦的20.6%、日月光投控（日月光+矽品）的11.4%、力成11.2%。

雖然聯(lián)合科技（UTAC）的全年凈利率超過25%，是由于其第一季凈利潤高達(dá)117%，但扣除其第一季度的營業(yè)外收入2.47億美元后，其第一季度的凈利潤是負(fù)數(shù)。其全年的凈利潤也是負(fù)數(shù)。所以其年凈利潤率不具備可比性。

而中國大陸凈利潤率最高的還是華天科技，約在5%左右，是自公司上市以來最低的一次。

2技術(shù)篇

隨著集成電路應(yīng)用多元化，智能手機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子、高性能計(jì)算、5G、人工智能等新興領(lǐng)域?qū)ο冗M(jìn)封裝提出更高要求，封裝技術(shù)發(fā)展迅速，創(chuàng)新特別活躍，競爭特別激烈。先進(jìn)封裝向著系統(tǒng)集成、高速、高頻、三維方向發(fā)展。當(dāng)前，高密度TSV技術(shù)/Fan-Out扇出技術(shù)由于其靈活、高密度、適于系統(tǒng)集成，而成為新時(shí)代先進(jìn)封裝的核心技術(shù)。

作為封測代工企業(yè)（OSAT），面臨前道企業(yè)在先進(jìn)封裝技術(shù)領(lǐng)域的競爭，必須尋求對應(yīng)低成本高性能封裝技術(shù)，展開差異化競爭，才能在激烈的競爭中不斷發(fā)展。

我國封測公司都在加緊研發(fā)，并取得了相當(dāng)成績。

一、華進(jìn)半導(dǎo)體

華進(jìn)半導(dǎo)體成立SiP技術(shù)融合實(shí)驗(yàn)室，研發(fā)包括異質(zhì)混合集成、芯片埋入技術(shù)等。

1、基于III-V芯片的無源/有源多層混合埋入SiP先導(dǎo)技術(shù)研究

本項(xiàng)目實(shí)現(xiàn)100um Ⅲ-Ⅴ族GaAs超薄芯片埋入，所有埋入芯片完好無裂片；在不同Z軸高度埋入10個0201被動元件與2個PA/LNA放大器芯片，形成單一封裝體內(nèi)多層3D系統(tǒng)級埋入的全套工藝能力；三維系統(tǒng)級埋入因沒有焊料和引線鍵合，通過器件表面直接接觸薄介質(zhì)層與金屬層實(shí)現(xiàn)低熱阻的雙面散熱；封裝體表貼開關(guān)芯片、數(shù)控衰減芯片即可以實(shí)現(xiàn)極低Footprint的完整T/R模塊。

2、微波背金裸芯片混合三維微組裝工藝技術(shù)研究

本項(xiàng)目開發(fā)異形墊片，實(shí)現(xiàn)基于III-V族射頻收發(fā)模塊的三維堆疊；異形墊片可避免破壞芯片表面的空氣橋，同時(shí)不影響芯片表面微帶線的特征阻抗；異形墊片表面與頂層芯片背金鍵合，通過金線為頂層芯片提供良好接地；樣品通過TC、HAST、振動、加速度等航天可靠性測試。

3、全硅集成微系統(tǒng)用硅轉(zhuǎn)接板全套工藝研發(fā)完成，并開始小批量生產(chǎn)

本項(xiàng)目通過TSV轉(zhuǎn)接板實(shí)現(xiàn)多顆不同結(jié)構(gòu)或不同功能的芯片系統(tǒng)集成。TSV直徑小，間距很密，可以實(shí)現(xiàn)高密度芯片封裝。芯片與芯片之間的互連通過平面內(nèi)的線路來實(shí)現(xiàn)，可以重新分布電源、接地和信號引腳，這些電學(xué)信號可以通過TSV，在底部進(jìn)行信號輸入和輸出，從而明顯降低輸入輸出引腳數(shù)量。同時(shí)，轉(zhuǎn)接板還可以進(jìn)行散熱設(shè)計(jì)，來進(jìn)行熱管理。

功能芯片無需改變現(xiàn)有的結(jié)構(gòu)和設(shè)計(jì)，與不同芯片組合搭配，具有很高的靈活度和集成度，適合對尺寸有嚴(yán)苛要求的高頻高速的電子產(chǎn)品。同時(shí)，所有的芯片和互連線被密封，只有幾個端口裸露在外，整個系統(tǒng)有更好的密封性和可靠性

本項(xiàng)目可以用于射頻前端等場合，在提高電子系統(tǒng)性能同時(shí)大幅縮減系統(tǒng)體積、重量。可通過多層硅轉(zhuǎn)接板的堆疊實(shí)現(xiàn)更復(fù)雜的系統(tǒng)集成

4、五面塑封保護(hù)晶圓級芯片尺寸封裝技術(shù)

電子產(chǎn)品的進(jìn)化依賴于半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步，在更緊湊的面積內(nèi)集成更多功能的器件，IC器件的封裝在電子產(chǎn)品系統(tǒng)中扮演著越來越重要的角色。在移動終端中（如手機(jī)、平板電腦等）中廣泛使用的晶圓級芯片尺寸封裝（WLCSP），節(jié)約了移動終端的寶貴空間，但是WLCSP芯片裸露在外的本質(zhì)，很容易在后道組裝過程中被損壞。

為避免WLCSP裸片本身的損壞，開發(fā)五面塑封保護(hù)的WLCSP封裝技術(shù)，是解決目前WLCSP封裝產(chǎn)品缺陷，改善WLCSP Chipping異常，提高芯片良率和可靠性的創(chuàng)新思路。

五面塑封保護(hù)WLCSP整體封裝厚度≦0.5mm，側(cè)壁塑封體厚度≧10um。滿足封裝可靠性測試標(biāo)準(zhǔn)：濕氣敏感性等級MSL4、溫度循環(huán)500次、高溫存儲500小時(shí)等。

推廣五面塑封保護(hù)WLCSP封裝，有效解決芯片Chipping和Crack異常，拓展WLCSP封裝的應(yīng)用場景。

二、長電科技

2018 年長電科技在市場與技術(shù)的發(fā)展以及系統(tǒng)產(chǎn)品在不同功能要求的情況下，研發(fā)了數(shù)個封裝的新技術(shù)，尤其應(yīng)用在未來即將迅猛發(fā)展的5G通訊以及5G下的人工智能(AI)以及物聯(lián)網(wǎng) (IoT)，期望能夠全面跟上局部超越。

1、一種雙金屬板封裝結(jié)構(gòu)的制作方法

雙金屬板封裝結(jié)構(gòu)的制作方法的新技術(shù)可形成信號電磁屏蔽、高效功率散熱以及高密度線路的扇出等封裝技術(shù)。而這些效能可以是依據(jù)芯片所需功能單獨(dú)體現(xiàn)也可以融合這些技術(shù)綜合表現(xiàn)，尤其是應(yīng)用在 5G 通訊以及物聯(lián)網(wǎng)(IoT)所需要的信號屏蔽、基地臺功率放大要求所產(chǎn)生的功率散熱以及訊號高速傳輸所需要的快速反應(yīng)與數(shù)據(jù)計(jì)算等，都是非常好且高效的封裝技術(shù)。

（圖片提供：長電科技）

由上圖結(jié)構(gòu)圖我們可以清楚的看出各項(xiàng)功能所需要搭配的封裝結(jié)構(gòu)，而其封裝技術(shù)中亦包含了芯片正裝技術(shù)、芯片倒裝技術(shù)、線路印刷技術(shù)、表面貼裝技術(shù)、金屬絲正打以及倒打技術(shù)、功率所需要散熱裝置技術(shù)等等，在在都能充分的體現(xiàn)出芯片因系統(tǒng)產(chǎn)品所需要的屏蔽、散熱、高密度線路扇岀以及各項(xiàng)的混合功能的封裝結(jié)構(gòu)。

而在雙金屬基板載體的善出封裝技術(shù)結(jié)構(gòu)中，我們由上圖可以明顯的看出其中可以融合 PiP 混合封裝技術(shù)、PiP 芯片各種方式堆棧封裝技術(shù)、PoP 塑封體與塑封體的堆棧封裝等等的技術(shù)，在這雙金屬板載體中充分的發(fā)揮出各種封裝技術(shù)與結(jié)構(gòu)的靈活性以及芯片所需要在系統(tǒng)產(chǎn)品上各項(xiàng)功能的追求。

2、一種選擇性局部塑封技術(shù)

主要是應(yīng)用在各類傳感以及MEMS的封裝技術(shù)上。而這種選擇性局部塑封技術(shù)，可根據(jù)需要自行調(diào)節(jié)選擇性地包封封裝結(jié)構(gòu)的任一部分，操作簡單相對也簡化很多繁雜工藝步驟與流程。

在這種”選擇性局部塑封技術(shù)”的研發(fā)中尚可以輕松體現(xiàn)出電磁屏蔽的功能，以及輕松的體現(xiàn)出”選擇性的電磁屏蔽”功能。

封裝結(jié)構(gòu)通常包括：基板、基板上方的元器件、用于封裝元器件的塑封料、需要包封的元器件以及無需包封的元器件，而通常情況下元器件為功能芯片和無源器件，功能芯片為有源電子元件，需要能量的來源而實(shí)現(xiàn)它特定的功能，一般用來信號的放大、轉(zhuǎn)換等。

無源器件是在不需要外加電源的條件下，就可以顯示其特性的電子元件，主要是電阻類、電感類和電容類器件，它們的共同特點(diǎn)是在電路中無需加電源即可在有信號時(shí)工作，例如：電阻，電容，電感，轉(zhuǎn)換器，漸變器，匹配網(wǎng)絡(luò)，諧振器，濾波器，混頻器和開關(guān)等，而采用了”選擇性局部塑封”的封裝技術(shù)將可輕松且靈活的表現(xiàn)出優(yōu)越的性能。

3、晶圓凸點(diǎn)及重布線晶圓級封裝技術(shù)

集成電路產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟創(chuàng)新獎

2018年3月，長電科技子公司江陰長電先進(jìn)封裝有限公司憑借“晶圓凸點(diǎn)及重布線晶圓級封裝技術(shù)”獲得“成果產(chǎn)業(yè)化獎”。長電先進(jìn)研團(tuán)隊(duì)通過在圓片級多層重布線封裝技術(shù)、嵌入式無源器件（IPD）封裝技術(shù)、高密度銅柱凸塊技術(shù)等方面的技術(shù)創(chuàng)新與突破， 開發(fā)了TI、博通、聯(lián)發(fā)科、海思、Intel、MPS、Onsemi等國際一流客戶，成功將項(xiàng)目技術(shù)應(yīng)用于IBM、三星、小米、OPPO、ViVO等國際知名企業(yè)的終端產(chǎn)品。創(chuàng)造了項(xiàng)目產(chǎn)品出貨量位居中國大陸第一，全球前列的佳績。

三、華天科技

華天科技（昆山）電子有限公司專注于晶圓級封裝技術(shù)研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，自2014年以來，通過創(chuàng)新發(fā)展，加大投入，開發(fā)了Bumping、TSV、WLCSP、WLP-FO等平臺技術(shù)，并實(shí)現(xiàn)了規(guī)模化量產(chǎn)。2018年，華天昆山在晶圓級封裝領(lǐng)域大踏步前進(jìn)，取得多個技術(shù)和產(chǎn)品突破。

應(yīng)用于圖像傳感器的CIS方面，率先完成了12吋BSI產(chǎn)品的驗(yàn)證，率先通過了12吋車載CIS產(chǎn)品驗(yàn)證，解決了一系列技術(shù)難題。

12吋車載封裝產(chǎn)品

開發(fā)了3P3M的WLP技術(shù)，產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

3P3M WLP產(chǎn)品

應(yīng)用于ESD芯片的晶圓級六面保護(hù)技術(shù)通過了包括三星、APPLE在內(nèi)眾多終端產(chǎn)品工藝稽核。

新型扇出型封裝技術(shù)在多個產(chǎn)品的成功應(yīng)用，無疑是2018年最鼓舞人心的成績。

集成電路產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟創(chuàng)新獎

2018年華天昆山開發(fā)的具有自主知識產(chǎn)權(quán)的埋入硅基板扇出型封裝技術(shù)eSiFO?（embedded Silicon Fan-out）進(jìn)入量產(chǎn)。該技術(shù)使用硅基板為載體，通過在硅基板上刻蝕凹槽，將芯片正面向上放置且固定于凹槽內(nèi)，芯片表面和硅圓片表面構(gòu)成了一個扇出面，在這個面上進(jìn)行多層布線，并制作引出端焊球，最后切割，分離、封裝。eSiFO?技術(shù)具有如下優(yōu)點(diǎn)：

1. 可以實(shí)現(xiàn)多芯片系統(tǒng)集成SiP，易于實(shí)現(xiàn)芯片異質(zhì)集成

2. 滿足超薄和超小芯片封裝要求

3. 與標(biāo)準(zhǔn)晶圓級封裝兼容性好，無污染

4. 良好的散熱性和電性

5. 可以在有源晶圓上集成

6. 工藝簡單，翹曲小，無塑封/臨時(shí)鍵合/拆鍵合

7. 封裝靈活：WLP/BGA/LGA/QFP等

8. 與TSV技術(shù)結(jié)合可實(shí)現(xiàn)高密度三維集成

由于技術(shù)的創(chuàng)新型和巨大應(yīng)用潛力，2018年3月獲評集成電路產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟創(chuàng)新獎。該技術(shù)目前有三個主要應(yīng)用領(lǐng)域，多芯片系統(tǒng)級封裝，5G毫米波射頻以及三維扇出堆疊。

FPGA SiP集成

在5G射頻領(lǐng)域，其中多芯片堆疊產(chǎn)品包括4G射頻前端，毫米波芯片。2018年11月，華天科技與微遠(yuǎn)芯發(fā)布新聞，成功完成40GHz毫米波eSiFO?封裝技術(shù)開發(fā)，性能優(yōu)異。

40GHz毫米波eSiFO?封裝產(chǎn)品

2018年華天昆山進(jìn)一步開發(fā)了基于硅基板的三維扇出技術(shù)，值得一體的是埋入硅基板扇出型3D封裝結(jié)構(gòu)已獲得國家發(fā)明專利授權(quán)（授權(quán)號CN105575913B）。該技術(shù)的特點(diǎn)是利用TSV作為垂直互聯(lián)，互連密度可以大大高于目前的臺積電InFO技術(shù)。目前工藝已經(jīng)開發(fā)完成，與國際客戶進(jìn)行的產(chǎn)品開發(fā)進(jìn)展順利。

埋入硅基板扇出型3D封裝結(jié)構(gòu)示意圖

埋入硅基板扇出型3D封裝結(jié)構(gòu)產(chǎn)品圖

華天昆山2018年的技術(shù)和產(chǎn)品突破，完成了技術(shù)轉(zhuǎn)型升級，同時(shí)，為后摩爾時(shí)代高性能芯片集成封裝提供了新的解決方案，隨著產(chǎn)品應(yīng)用的不斷豐富，必將推動整個行業(yè)的技術(shù)發(fā)展。

四、晶方半導(dǎo)體

2018年晶方半導(dǎo)充分利用自身擁有知識產(chǎn)權(quán)的傳感器和高密度封裝技術(shù)優(yōu)勢，上下游產(chǎn)業(yè)鏈合作伙伴資源，通過針對性解決AI產(chǎn)業(yè)發(fā)展相關(guān)半導(dǎo)體硬件制造難題進(jìn)行相關(guān)先進(jìn)封裝技術(shù)研發(fā)。

基于以上深厚的微型化傳感器制造工藝經(jīng)驗(yàn)、領(lǐng)先的市場優(yōu)勢與專利布局，完整的大規(guī)模量產(chǎn)制造能力，公司已具備實(shí)現(xiàn)人工智能應(yīng)用所需的關(guān)鍵核心技術(shù)儲備與先發(fā)優(yōu)勢，成為自主擁有相關(guān)核心制造技術(shù)完整開發(fā)能力與產(chǎn)業(yè)整合能力的企業(yè)。

WLCSP晶圓級先進(jìn)封裝

通過利用先進(jìn)的半導(dǎo)體中道技術(shù)（W2W Bonding，TSV, RDL, Bumping等），實(shí)現(xiàn)在3D表面的重布線，其實(shí)現(xiàn)的FAN-IN結(jié)構(gòu)很好的解決了傳感器芯片封裝正面開窗，并且尺寸小，低功耗和高密度集成化的要求。利用該技術(shù)的不同版本，可以針對例如CIS, MEMS，ALS和LED等不同種類芯片的小型化封裝。

WLO晶圓級光學(xué)器件

晶圓級WLO技術(shù)利用了半導(dǎo)體設(shè)備的精度和加工效率，在微鏡頭，微陣列，衍射器件等方面都由應(yīng)用，有效的縮小了光學(xué)系統(tǒng)的尺寸，使得光學(xué)器件產(chǎn)品設(shè)計(jì)可以無縫融入集成電路產(chǎn)品的封裝中，大大降低了模塊的尺寸和成本，在3D深度和AR/VR領(lǐng)域有廣泛的用途。

FAN/OUT封裝

在原有晶圓級技術(shù)基礎(chǔ)上，公司開發(fā)了針對大尺寸，多芯片封裝的F/O結(jié)構(gòu)封裝，將原來的FAN-IN RDL層重置到一塊玻璃或者有機(jī)基板上，并通過倒裝工藝，W/B工藝完成系統(tǒng)集成。該封裝的特點(diǎn)是可以實(shí)現(xiàn)高像素芯片，或者多芯片，或者高可靠性車用芯片的封裝，為系統(tǒng)化集成提供了一個靈活的平臺。

3D-TSV三維堆疊技術(shù)

目前公司依托核心的晶圓級TSV封裝工藝，正在與客戶合作開發(fā)拓展三維堆疊技術(shù)，形成完備的“CIS芯片+DRAM芯片+ISP芯片”三維堆疊設(shè)計(jì)與制造能力，以此為基礎(chǔ)并購整合人工智能應(yīng)用的軟件和算法，形成完整的“軟件+硬件”有機(jī)協(xié)同的系統(tǒng)集成服務(wù)能力。

五、通富微電

通富微電在2018年持續(xù)加大Bumping+FC為主的高端封測技術(shù)研發(fā)，包括：1、與AMD配套的7nm封測，已順利進(jìn)入量產(chǎn)階段；2、多芯片倒裝技術(shù)；3、扇出型封裝、2.5D和3D封裝、SiP系統(tǒng)級封裝等。

一、全新產(chǎn)品和全新技術(shù)的開發(fā)與應(yīng)用成為公司技術(shù)亮點(diǎn)，將培育成為公司新的增長點(diǎn)，為經(jīng)營業(yè)績的可持續(xù)發(fā)展奠定了基礎(chǔ)。

Gold bump

Gold bump順利導(dǎo)入和量產(chǎn)：完成先進(jìn)封裝生產(chǎn)線建置，國產(chǎn)設(shè)備超過50%（業(yè)界一般低于10%）。三季度順利通過多家客戶審核驗(yàn)證，四季度量產(chǎn)即產(chǎn)出兩千片，是中國顯示驅(qū)動芯片行業(yè)做強(qiáng)的堅(jiān)實(shí)一步；

Driver IC

2018年Driver IC CP完成產(chǎn)線建設(shè)并通過國際大客戶驗(yàn)證：完成業(yè)界領(lǐng)先的8寸和12寸產(chǎn)品測試能力建設(shè)，全球五大Driver IC廠商中已有兩家驗(yàn)證通過；

COF封裝產(chǎn)線試產(chǎn)成功：最嚴(yán)苛產(chǎn)品規(guī)格（芯片高長寬比等）試產(chǎn)成功，進(jìn)入高端顯示驅(qū)動芯片封裝領(lǐng)域。

SiP

物聯(lián)網(wǎng)方案：NB-IoT面向物聯(lián)網(wǎng)行業(yè)領(lǐng)先SiP解決方案，2018年開發(fā)完成并成功招標(biāo)進(jìn)入中國電信等運(yùn)營商模組解決方案。

二、傳統(tǒng)產(chǎn)品持續(xù)開發(fā)業(yè)界領(lǐng)先的解決方案和技術(shù)，進(jìn)一步提升我司產(chǎn)品線的競爭優(yōu)勢。

QFN

Large Size Saw Type Dual Row QFN：業(yè)界主流高性能能低成本技術(shù)，業(yè)界首批完成自動化產(chǎn)線建立并具備大規(guī)模量產(chǎn)能力的封測企業(yè)。

車載側(cè)錫(Wettbale Flank)進(jìn)入考核：完成樣品進(jìn)入考核制作，成為大陸首家掌握此車載封裝技術(shù)的企業(yè)，夯實(shí)國產(chǎn)車載汽車芯片發(fā)展的根基。

POWER

大功率IPM-DBC：OSAT率先掌握單一40顆芯片產(chǎn)品技術(shù)，成功通過業(yè)界TOP客戶驗(yàn)證

uTOLL/LFPAK：持續(xù)啟動Power前沿產(chǎn)品，進(jìn)一步穩(wěn)固了通富業(yè)界Power封測領(lǐng)先地位。

FC

Exposed Die (露芯片) CUF和MUF解決方案：3個月內(nèi)建立能力并快速建成最大規(guī)模能力，并零質(zhì)量事故。

成功開發(fā)FCCSP背面金屬化工藝：全球首批家可提供高散熱性能FCCSP解決方案企業(yè)。

BGA

u5G射頻和觸控用薄FBGA：全球首批提供5G大功率射頻產(chǎn)品的封測企業(yè)，以及大陸首批高端旗艦手機(jī)觸控FBGA產(chǎn)品。

3建設(shè)篇

1、華進(jìn)半導(dǎo)體晶圓級扇出型封裝產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目

2018年3月，江蘇中科智芯集成科技有限公司成立，承接華進(jìn)半導(dǎo)體晶圓級扇出型封裝產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目。

據(jù)悉，主廠房于2018年11月底封頂；其他輔助建筑于2019年1月封頂。凈化裝修工作業(yè)已開始，計(jì)劃2019年5月全部完工，凈化間開始試運(yùn)行。建成后陸續(xù)投產(chǎn)12英寸晶圓級扇出型封裝，逐步實(shí)現(xiàn)單芯片扇出型封裝、2D多芯片扇出型封裝、3D多芯片扇出型封裝量產(chǎn)。

華進(jìn)半導(dǎo)體表示，中科智芯產(chǎn)品定位中高密度集成芯片扇出型（Fan-Out）封裝與測試，高頻率射頻芯片封裝的設(shè)計(jì)與制造。

晶圓級扇出型封裝是最高性價(jià)比的集成電路封裝技術(shù)，無須使用印刷電路板，可直接在晶圓上實(shí)現(xiàn)芯片封裝。具體來說，第一，結(jié)合內(nèi)嵌式印刷電路板技術(shù)的系統(tǒng)級封裝，雖符合移動設(shè)備小型化需求，然而供應(yīng)鏈、產(chǎn)品良率（成本）存在很多問題；第二，硅穿孔（TSV ）封裝技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品良率的問題，但設(shè)計(jì)難度較大、制造成本極高。與上述兩種方案不同的晶圓級扇出封裝（Fan-Out）技術(shù)，可在單芯至多芯片的封裝中做到更高的集成度，而具有更好的電氣屬性，不僅降低封裝成本，并且讓系統(tǒng)計(jì)算速度加快，產(chǎn)生的功耗更小，更為重要的是，該技術(shù)能夠提供更好的散熱性能，并可以整合射頻元件，使網(wǎng)絡(luò)基帶性能更加優(yōu)良。

2、中芯長電二期J2A封頂

2018年9月17日下午，中芯長電半導(dǎo)體（江陰）有限公司二期項(xiàng)目J2A主廠房榮耀封頂。

二期項(xiàng)目計(jì)劃新建三座大規(guī)模的現(xiàn)代化加工工廠，形成領(lǐng)先的中段硅片制造和先進(jìn)封裝的研發(fā)和制造基地。

J2A是二期項(xiàng)目第一座廠房，于2017年9月15日舉行了奠基儀式。

3、長電科技通信用高密度集成電路及模塊封裝項(xiàng)目

長電科技通信用高密度集成電路及模塊封裝項(xiàng)目擬投資17.3492億元，建成后將形成FBGA、PBGA、SiP模組、P-SiP模組、通訊模塊-LGA、高腳位通訊模塊、倒裝通訊模塊等通信用高密度集成電路及模塊封裝產(chǎn)品年產(chǎn)20億塊的生產(chǎn)能力。項(xiàng)目建設(shè)期3年。

4、長電科技通訊與物聯(lián)網(wǎng)集成電路中道封裝技術(shù)產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目

長電先進(jìn)主導(dǎo)的通訊與物聯(lián)網(wǎng)集成電路中道封裝技術(shù)產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目擬投資23.5億元，建成后將形成Bumping、WLCSP等通訊與物聯(lián)網(wǎng)集成電路中道封裝年產(chǎn)82萬片Bumping、47億顆芯片封裝的生產(chǎn)能力。項(xiàng)目建設(shè)期3年。

目前長電先進(jìn)中道封裝從技術(shù)到產(chǎn)能已具有較強(qiáng)的國際競爭能力，市場客戶端需求旺盛，產(chǎn)能利用率高。通訊與物聯(lián)網(wǎng)集成電路中道封裝技術(shù)產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目系長電先進(jìn)對現(xiàn)有技術(shù)、產(chǎn)能的擴(kuò)充，項(xiàng)目建成并完成達(dá)產(chǎn)后，將進(jìn)一步增加長電先進(jìn)中道封裝產(chǎn)能，增強(qiáng)國際競爭力。

5、長電科技宿遷廠擴(kuò)建

2018年5月23日，長電科技集成電路封測基地項(xiàng)目正式開工。宿遷廠以腳數(shù)較低的IC和功率器件為主，低成本是其競爭優(yōu)勢。

6、通富廈門一期工程主廠房封頂

2018年12月14日，廈門通富微電子有限公司一期工程主廠房成功封頂。

2018年8月，廈門通富微電子有限公司一期工程主廠房完成樁基工程。

207年8月21日，廈門通富微電子有限公司一期工程奠基。目一期投資13.8億元，一期用地約100畝，規(guī)劃建設(shè)2萬片Bumping、CP以及2萬片WLCSP、SiP中試線。

207年8月17日，通富微電發(fā)布公告，稱計(jì)劃與廈門半導(dǎo)體投資集團(tuán)有限公司共同出資在廈門市海滄區(qū)投資項(xiàng)目公司，成立廈門通富微電子有限公司，注冊資本為7億元人民幣。從公告內(nèi)容知道，通富微電雖然僅出資7000萬元人民幣，在合資公司中占股為10%，但在3個董事會席位中占有2席。

2017年6月26日，廈門市海滄區(qū)人民政府與通富微電簽署了共建集成電路先進(jìn)封測生產(chǎn)線的戰(zhàn)略合作協(xié)議。按協(xié)議約定，項(xiàng)目總投資70億元，規(guī)劃建設(shè)以Bumping、WLCSP、CP、FC、SiP及三、五族化合物為主的先進(jìn)封裝測試產(chǎn)業(yè)化基地，重點(diǎn)服務(wù)于“福、廈、漳、泉”及華南地區(qū)的區(qū)域市場和重點(diǎn)企業(yè)，項(xiàng)目分三期實(shí)施。

7、南通通富二期工程

2017年11月18日，南通通富微電子有限公司舉行二期工程奠基暨開工典禮。

經(jīng)過2018年全年的建設(shè)，2019年1月30日上午，南通通富微電子有限公司二期工程成功封頂。

8、合肥通富增設(shè)驅(qū)動芯片封裝和存儲封測項(xiàng)目

2018年4月16日，在“國家集成電路重大專項(xiàng)走進(jìn)安徽活動”中，通富微電表示，將在合肥設(shè)驅(qū)動芯片封裝和存儲封測項(xiàng)目。

驅(qū)動芯片封裝項(xiàng)目將建成一條世界先進(jìn)的包含10多種12英寸國產(chǎn)裝備的液晶驅(qū)動芯片封裝測試生產(chǎn)線。該項(xiàng)目的研發(fā)整整已經(jīng)在通富總部完成，將很快在合肥通富進(jìn)行量產(chǎn)線建設(shè)。

通富微電的存儲封測已經(jīng)具備4層堆疊量產(chǎn)能力，正在和合肥睿力合作開展應(yīng)用于高端DRAM產(chǎn)品的WBGA和FCBGA封裝測試，組裝測試團(tuán)隊(duì)已經(jīng)全部到位。

9、華天科技設(shè)立南京基地

2018年7月7日，華天科技發(fā)布公告，董事會同意投資南京集成電路先進(jìn)封測產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目，并與南京浦口經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)管理委員會簽訂南京集成電路先進(jìn)封測產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目《投資協(xié)議》。項(xiàng)目分三期建設(shè)完成，全部項(xiàng)目計(jì)劃不晚于2028年12月31日建成運(yùn)營。項(xiàng)目投資總額80億元。

最新消息：2019年1月24日上午，華天科技（南京）有限公司集成電路先進(jìn)封測產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目開工儀式在浦口區(qū)舉行。

10、華天高可靠性車用晶圓級先進(jìn)封裝生產(chǎn)線項(xiàng)目落戶昆山

2018年11月7日，華天科技控股子公司華天科技（昆山）電子有限公司高可靠性車用晶圓級先進(jìn)封裝生產(chǎn)線項(xiàng)目簽約儀式在昆山開發(fā)區(qū)成功舉行，至此華天科技在昆山布局了三條技術(shù)領(lǐng)先的高端封測量產(chǎn)產(chǎn)線。

11、日月光K24廠投產(chǎn)，K25開工建設(shè)

2018年6月，日月光高雄K24廠投產(chǎn)。K24廠于2016年10月6日開工，地下二層、地上八層的建筑，廠房以芯片的圖騰進(jìn)行設(shè)計(jì)。

K25于2018年4月3日動工至今，一切進(jìn)展順利。K25廠總投資金額達(dá)新臺幣125億元，預(yù)計(jì)2020年完工。

日月光表示，K25廠房是日月光推動的5年6廠投資計(jì)劃之一，將專攻高端的3C、通信、車用、消費(fèi)性電子、以及繪圖芯片等應(yīng)用領(lǐng)域。

目前楠梓加工區(qū)第二園區(qū)K21廠、K22廠、K23廠已完工進(jìn)駐；K24廠已經(jīng)投產(chǎn)，到2019年第一季全部完工；K26廠也于2017年1月份購入大樓。

12、日月光新加坡廠擴(kuò)產(chǎn)WLCSP產(chǎn)能

2018年，日月光新加坡廠WLCSP的月產(chǎn)能達(dá)1億顆規(guī)模，較2017年7000萬顆的產(chǎn)能擴(kuò)產(chǎn)幅度達(dá)5成，強(qiáng)化日月光在通訊芯片WLCSP封測領(lǐng)域的競爭力。

日月光新加坡廠前身是ISELabs Singapore，成立于1998年，日月光在1999年并購該廠后，2003年正式更名為日月光新加坡廠。而日月光2010年收購EEMS Singapore公司后，再強(qiáng)化半導(dǎo)體測試業(yè)務(wù)。并于2014年建設(shè)了WLCSP封裝產(chǎn)能。

13、日月光馬來西亞基地?cái)U(kuò)產(chǎn)

日月光馬來西亞基地積極搶進(jìn)汽車電子市場，于2018年再擴(kuò)充一個新廠區(qū)。

馬來西亞基地是日月光第一個在海外設(shè)立的封測廠，目前是汽車電子芯片封測重鎮(zhèn)，營收占比達(dá)20～25%，同時(shí)也是電動車與資料中心專用大電流銅制彈片（copper clips）制程主要據(jù)點(diǎn)。

14、矽品晉江廠動工

2018年4月，矽品電子（福建）有限公司晉江新廠動工。投資金額2500萬美元，主攻存儲器和邏輯產(chǎn)品封裝與測試。

原希望拿下晉華存儲封測訂單。

15、力成竹科三廠開工

2018年9月25日力成竹科三廠開工；總投資金額達(dá)新臺幣500億元，預(yù)計(jì)2020年上半年完工、同年下半年裝機(jī)量產(chǎn)，基地面積約8000坪，規(guī)劃興建為地上8層、地下2層廠房。

竹科三廠將成為全球首座面板級扇出型封裝制程的量產(chǎn)基地，預(yù)期月產(chǎn)能將可達(dá)約5萬片，約與15萬片12英寸晶圓相當(dāng)。

力成表示，面板級扇出型封裝可降低封裝厚度、增加導(dǎo)線密度、提升產(chǎn)品電性，面板大工作平臺可提高生產(chǎn)效率，可運(yùn)用于5G、AI、自動駕駛、生物技術(shù)及物聯(lián)網(wǎng)等相關(guān)產(chǎn)品。

16、京元電子興建銅鑼三廠、蘇州B廠

2018年京元電子資本支出達(dá)新臺幣75億元，以滿足銅鑼、蘇州擴(kuò)建新廠及采購測試設(shè)備。

2018年4月23日，京元電子舉行銅鑼三廠動土典禮，預(yù)計(jì)2020年首季完工啟用。

京元電子表示，此次興建銅鑼三廠，主要為滿足各大客戶在人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、微機(jī)電、移動通訊、電競和車用電子產(chǎn)品測試業(yè)務(wù)需求持續(xù)增加，以及因應(yīng)IDM廠測試委外加速趨勢。

京元電銅鑼三廠規(guī)劃為地上5層、地下1層的RC結(jié)構(gòu)建筑，單層面積約2,700坪，總樓地板面積約1.63萬坪。由于銅鑼廠區(qū)的生產(chǎn)設(shè)備配置，主要以自行開發(fā)的測試設(shè)備為主，未來新廠依不同測試平臺需求，預(yù)期可增設(shè)800至1000臺測試設(shè)備。

子公司京隆科技（蘇州）有限公司在蘇州運(yùn)營A廠，始建于2002年，目前產(chǎn)能滿載。公司于2018年開始擴(kuò)充產(chǎn)產(chǎn)能，在原先建好的B廠房中安裝設(shè)備調(diào)試，預(yù)計(jì)2019年3月投產(chǎn)。

另外，2019年蘇州震坤科技有限公司將并入京隆科技（蘇州）有限公司，實(shí)現(xiàn)蘇州廠封裝測試一體化運(yùn)營。

17、安靠***T6廠投產(chǎn)

2018年9月10日，安靠***T6廠正式投產(chǎn)，總投資新臺幣23億元。

這是安靠在中國***的第4座先進(jìn)封測廠，落腳于龍?zhí)秷@區(qū)。T6廠也是安靠在***建設(shè)的唯一新廠，原有3個廠房都是收購而來。

安靠于2001年在***合并上寶半導(dǎo)體與臺宏半導(dǎo)體，成立安靠***分公司，2004年并購眾晶科技湖口廠，同年入主悠立半導(dǎo)體，2010年進(jìn)駐竹科龍?zhí)丁?為因應(yīng)訂單需求增加，安靠于2017年4月收購原諾發(fā)光電廠房，將2層廠房改造為現(xiàn)代化的3層高新封測廠，并引進(jìn)晶圓測試（Wafer Probe）及裸晶切割封裝（DPS）設(shè)備，結(jié)合既有龍?zhí)禩1廠產(chǎn)能，提供客戶晶圓級封裝（WLSCP）、先進(jìn)測試，bump-probe-DPS一條龍服務(wù)。

18、欣銓科技南京測試廠投產(chǎn)

2018年3月，欣銓科技南京測試基地投產(chǎn)。

2017年5月欣銓科技南京測試基地廠房開工，12月開始移入設(shè)備。

19、SFA菲律賓、韓國新廠相繼投產(chǎn)

2018年2月27日，SFA旗下菲律賓子公司（SFA Semicon Philippines Corp.）位于菲律賓邦板牙省的克拉克自的新工廠P2投產(chǎn)，主要生產(chǎn)eMMC芯片。2017年2月動工，總投資達(dá)5500萬美元。

2018年5月，SFA韓國天安二廠K2投產(chǎn)。

在OSAT擴(kuò)大產(chǎn)能的同時(shí)，晶圓代工公司臺積電也在擴(kuò)大其先進(jìn)封裝產(chǎn)能。

20、臺積電擴(kuò)大InFO產(chǎn)能

2018年3月，臺積電龍?zhí)稄SInFO后段高階封測月產(chǎn)能從10萬片到13萬片，已經(jīng)量產(chǎn)。并增購龍?zhí)抖谟玫亍?/span>

臺積電除在龍?zhí)稊U(kuò)產(chǎn)先進(jìn)封裝，也在中科10納米重鎮(zhèn)FAB15廠區(qū)旁的原臺積太陽能廠增加InFO新廠，整體產(chǎn)能可望倍增。

2018年9月，臺積電在竹南實(shí)施先進(jìn)封測廠建廠計(jì)劃，已開始進(jìn)行建廠環(huán)評作業(yè)，預(yù)估半年內(nèi)完成相關(guān)程序，并預(yù)計(jì)在2020年完成設(shè)廠。

4收購篇

1、華天宣布收購Unisem

2018年9月12日，華天科技發(fā)布公告稱，公司擬與控股股東天水華天電子集團(tuán)、馬來西亞主板上市公司Unisem股東John Chia Sin Tet等聯(lián)合要約人，收購除馬來西亞聯(lián)合要約人直接持有Unisem公司股份以外的股份，約占Unisem公司流通股總額的75.72%。

2018年11月16日，要約已在國家發(fā)改委完成境外投資備案，取得商務(wù)部門頒發(fā)的《企業(yè)境外投資證書》并完成相關(guān)外匯登記。

最新消息：2019年1月11日，華天科技與控股股東天水華天電子集團(tuán)要約的股份占Unisem公司流通股總額的58.94%，聯(lián)合要約人已持有的股份占流通股總額的24.28%。聯(lián)合要約人已持有和有效接受要約股份數(shù)合計(jì)占Unisem公司流通股總額的83.22%。此次要約股份交割工作正在進(jìn)行中，預(yù)計(jì)交易對價(jià)約合人民幣23.32億元。

2、通富微電宣布收購FABTRONIC

2018年11月29日，通富微電發(fā)布公告稱，公司下屬控股子公司通富超威檳城（TF AMD MICROELECTRONICS（PENANG）SDN BHD）與CYBERVIEW SDN BHD簽署了收購協(xié)議，通富超威檳城擬不超過2205萬元人民幣購買CYBERVIEW SDN BHD持有的FABTRONIC SDN BHD的100%股份。

3、紫光完成收購矽品蘇州30%股權(quán)

2018年1月8日，紫光完成收購矽品科技（蘇州）有限公司30%的股權(quán)，矽品科技（蘇州）有限公司是矽品精密工業(yè)股份有限公司（SPIL）2001年在蘇州設(shè)立的獨(dú)資子公司。2017年11月紫光宣布經(jīng)10.26億元收購矽品科技（蘇州）有限公司30%股權(quán)。此收購案發(fā)生在2017年11月24日中國商務(wù)部有條件通過日月光與矽品精密的合并案之后的新動作。

4、奕斯偉完成收購頎中科技68.15%股權(quán)

2018年2月2日，合肥奕斯偉封測技術(shù)有限公司完成收購頎中科技（蘇州）有限公司，頎中科技（蘇州）有限公司是頎邦科技股份有限公司（Chipbond）2004年在蘇州設(shè)立的獨(dú)資子公司。

2017年12月14日，頎邦科技宣布出售子公司頎中科技（蘇州）有限公司部份股權(quán)予合肥地方政府基金、京東方旗下北京芯動能投資基金及北京奕斯偉科技。交易總金額約1.66億美元。

2018年1月18日，合肥奕斯偉封測控股有限公司、頎中控股有限公司、合肥芯屏產(chǎn)業(yè)投資基金（有限合伙）、北京芯動能投資基金（有限合伙）、CTC INVESTMENT COMPANY LIMITED聯(lián)合組建合肥奕斯偉封測技術(shù)有限公司。

5、日月光收購恩智浦在日月新的40%股權(quán)

2018年8月15日，日月光（ASE）完成收購NXP（恩智浦）在蘇州日月新半導(dǎo)體有限公司所持股權(quán)。

2018年3月，日月光宣布1.27億美元收購了NXP（恩智浦）在蘇州日月新半導(dǎo)體所持40%股權(quán)，以此持有蘇州日月新半導(dǎo)體100%股權(quán)。

6、紫光收購蘇州日月新30%股權(quán)

2018年11月1日，紫光完成收購蘇州日月新半導(dǎo)體有限公司（ASEN）30%股權(quán)。

2018年8月，紫光宣布以29.18億元新臺幣（約9534萬美元）收購蘇州日月新半導(dǎo)體有限公司30%股權(quán)。此收購案發(fā)生在2017年11月24日中國商務(wù)部有條件通過日月光與矽品精密的合并案之后的第二個收購動作。之前是紫光收購矽品科技（蘇州）有限公司30%的股權(quán)。

7、京元電收購東琳精密

2018年11月1日，京元電完成對從事IC封裝和記憶卡封裝服務(wù)商東琳精密的合并（京元電持股約33.5%）

2018年8月7日，京元電子（KYEC）董事會通過現(xiàn)金對價(jià)與東琳精密進(jìn)行合并案，合并對價(jià)金額為4.56億元。

東琳精密從事IC封裝和記憶卡封裝服務(wù)，以竹南為營運(yùn)據(jù)點(diǎn)，股東京元電（33.50%）、聯(lián)電旗下宏誠創(chuàng)投、存儲器模組大廠威剛等。

京元電子完成收購東琳精密后，將在***擁有第一座專業(yè)封裝廠，之前其封裝主要在蘇州子公司--蘇州震坤科技有限公司。

8、蘇州固锝完成收購AICS剩余股份

2018年12月29日，蘇州固锝收購馬來西亞AIC Semiconductor SDN BHD（AICS）公司100%股權(quán)交割工作已完成。

蘇州固锝于2017年1月13日，經(jīng)公司第五屆董事會第四次臨時(shí)會議審議通過，公司與馬來西亞公司AIC Semiconductor SDN BHD的股東AIC CORPORATION SDN BH、AIC TECHNOLOGY SDN BHD和ATMEL CORPORATION共同簽署了《關(guān)于92%股權(quán)的轉(zhuǎn)讓協(xié)議書》。

2017年3月完成相關(guān)變更手續(xù)，2017年4月1日起，AIC Semiconductor SDN BHD.納入公司合并報(bào)表范圍內(nèi)。

2018年10月24日，蘇州固锝經(jīng)公司第六屆董事會第七次會議審議通過，與AICS的股東AICC簽署了《關(guān)于8%股權(quán)的轉(zhuǎn)讓協(xié)議》，本次收購?fù)瓿珊螅境钟?span style="">AIC Semiconductor SDN BHD（AICS）100%的股權(quán)，AICS成為公司的全資子公司。

AICS被收購后目前主要提供SOIC、PDIP、QFN、SmartCard、氣壓傳感器等產(chǎn)品封裝測試業(yè)務(wù)。

蘇州固锝表示，整合標(biāo)的公司擁有20多年經(jīng)驗(yàn)的管理團(tuán)隊(duì)，以及馬來西亞良好的半導(dǎo)體生產(chǎn)制造環(huán)境，在海外建立半導(dǎo)體封裝測試生產(chǎn)基地，有利于蘇州固锝提升國際影響力及行業(yè)地位。同時(shí)，標(biāo)的公司的封裝產(chǎn)品也增加了公司集成電路的封裝品種，有利于蘇州固锝獲得先進(jìn)封裝技術(shù)，提升研發(fā)實(shí)力，躋身全球一流封測企業(yè)。