三星GalaxyFold閃存讀取速度達(dá)976MB/s 存儲性能魯大師跑分超5萬分
4月16日消息，魯大師公布了三星Galaxy Fold跑分。該機(jī)綜合性能跑分達(dá)到了417716分，其中存儲性能達(dá)到了新高度，超過了5萬分（具體為50977）。
如圖所示，三星Galaxy Fold閃存讀取速度達(dá)到了976MB/s，寫入速度達(dá)到了310MB/s。
該機(jī)搭載512GB UFS 3.0閃存，這是全球首款搭載UFS 3.0閃存的旗艦產(chǎn)品。其它規(guī)格方面，三星Galaxy Fold搭載高通驍龍855旗艦平臺，配備12GB LPDDR4X內(nèi)存，電池容量為4380mAh。
除了旗艦級配置，三星Galaxy Fold還配備了兩塊顯示屏。外屏尺寸為4.6英寸，分辨率為1680×720，屏幕縱橫比為21:9，內(nèi)屏尺寸為7.3英寸，分辨率為2152×1536，屏幕縱橫比為4.2:3。
此外，三星Galaxy Fold配備了多達(dá)六枚攝像頭，前置鏡頭為1000萬+800萬雙攝，后置1600萬（光圈為F/2.2、單位像素1.0μm）+1200萬（支持OIS光學(xué)防抖、單位像素1.4μm）+1200萬（光圈為F/2.4、單位像素1.0μm）三攝，折疊狀態(tài)下還有一枚1000萬像素自拍鏡頭。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
閃存
+關(guān)注
關(guān)注
16文章
1778瀏覽量
114816 -
三星電子
+關(guān)注
關(guān)注
34文章
15856瀏覽量
180929
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
三星存儲，開始反擊！
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃山明）近日，三星電子公布了其第三季度財(cái)報(bào)，顯示該公司芯片季度營業(yè)利潤達(dá)3.86萬億韓元，遠(yuǎn)低于上一季度的6.45萬億韓元，環(huán)比爆降近40%。顯然，這一輪業(yè)績的爆降與三星
紫光閃存UNIS UF200專業(yè)高速存儲卡有哪些亮點(diǎn)
紫光閃存UNIS UF200專業(yè)高速存儲卡，擁有180MB/S的順序讀取性能和160
英偉達(dá)加速認(rèn)證三星新型AI存儲芯片
正在積極考慮從三星采購8層和12層的HBM3E存儲芯片。這一新型存儲芯片以其卓越的性能和高效的能源利用，備受業(yè)界矚目。英偉達(dá)若能夠成功引入這
三星電子推出性能更強(qiáng)、容量更大的升級版1TB microSD 存儲卡
microSD 存儲卡 PRO Plus 和 EVO Plus 采用三星先進(jìn)的 V-NAND 技術(shù)，可安全可靠地捕捉和存儲日常瞬間 性能提升后，順序
NAS免費(fèi)用，Ai自己養(yǎng)，魯大師 AiNAS正式發(fā)布
AiNAS 將持續(xù)滿足現(xiàn)如今大眾對于數(shù)字化生活的全新需求，將「云存儲」的便捷與 NAS 的大容量、高私密性等特點(diǎn)相結(jié)合，并添加 AI 功能，在解決傳統(tǒng) NAS 設(shè)備硬件貴、調(diào)試難等問題的同時(shí)，探索全新的云數(shù)據(jù)生產(chǎn)力體驗(yàn)。 與傳統(tǒng) NAS 產(chǎn)品相比，魯
三星否認(rèn)HBM3E通過英偉達(dá)測試傳聞
近期，有媒體報(bào)道稱三星電子已成功通過英偉達(dá)（NVIDIA）的HBM3E（高帶寬內(nèi)存）質(zhì)量測試，并預(yù)計(jì)很快將啟動(dòng)量產(chǎn)流程，以滿足市場對高性能存儲解決方案的迫切需求。然而，這一消息迅速遭到
英偉達(dá)否認(rèn)三星HBM未通過測試
英偉達(dá)公司CEO黃仁勛近日就有關(guān)三星HBM（高帶寬內(nèi)存）的傳聞進(jìn)行了澄清。他明確表示，英偉達(dá)仍在認(rèn)證三星提供的HBM內(nèi)存，并否認(rèn)了三星HBM
三星HBM芯片因發(fā)熱和功耗問題影響測試，與英偉達(dá)合作暫時(shí)擱淺
這是三星首次公開承認(rèn)未能通過英偉達(dá)測試的原因。三星在聲明中表示，HBM是定制化存儲產(chǎn)品，需“依據(jù)客戶需求進(jìn)行優(yōu)化”，并強(qiáng)調(diào)正與客戶緊密合作以提升產(chǎn)品
三星九代V-NAND閃存或月底量產(chǎn)，堆疊層數(shù)將達(dá)290層
據(jù)韓媒Hankyung透露，第九代V-NAND閃存的堆疊層數(shù)將高達(dá)290層，但I(xiàn)T之家此前曾報(bào)道過，三星在學(xué)術(shù)會議上展示了280層堆疊的QLC閃存，其IO接口速度可達(dá)3.2GB/
三星發(fā)布2024年EVO Select系列microSD卡，速度達(dá)160MB/s
目前，三星德國官網(wǎng)上已經(jīng)公開了2024款EVO Plus microSD存儲卡的相關(guān)信息，而這款全新EVO Select系列的產(chǎn)品定位相對更加親民實(shí)惠。
求CS1238差分輸入的應(yīng)用電路圖+STM32F103的驅(qū)動(dòng)代碼，萬分感謝！
求CS1238差分輸入的應(yīng)用電路圖+STM32F103的驅(qū)動(dòng)代碼，請發(fā)送到郵箱1281509009@qq.com，萬分謝謝！！！
發(fā)表于 03-22 15:54
三星半導(dǎo)體在CFMS 2024展示創(chuàng)新技術(shù)和存儲解決方案
2024年CFMS閃存市場峰會成為了全球存儲技術(shù)發(fā)展的一個(gè)焦點(diǎn)，三星半導(dǎo)體在此次峰會上展示的一系列創(chuàng)新存儲解決方案引起了業(yè)界的廣泛關(guān)注。這次峰會不僅突顯了
三星面臨罷工，存儲市場供需引關(guān)注
三星電子與與“三星電子全國工會”代表之間的薪資談判破裂，以及工會可能發(fā)起的罷工行動(dòng)，確實(shí)引發(fā)了市場對存儲供需市場的關(guān)注。作為全球存儲龍頭廠商，三星
三星推出SD Express microSD存儲卡，最高順序讀取速度達(dá)800MB/s
三星電子全球品牌存儲事業(yè)部副總裁Hangu Sohn表示：“面對日益增長的移動(dòng)計(jì)算及端側(cè)人工智能應(yīng)用需求，三星最新款microSD卡為解決此問題提供了實(shí)用方案。
三星推出其首款256GB SD Express microSD存儲卡
2024年2月28日 - 三星電子今日宣布，已開始向客戶提供其256GB1 SD Express2 microSD存儲卡樣品，該款存儲卡順序讀取速
工商網(wǎng)監(jiān)
評論