SRAM主要用于二級高速緩存。它利用晶體管來存儲數據。與DRAM相比,SRAM的速度快,但在相同面積中SRAM的容量要比其他類型的內存小。
SRAM的速度快但昂貴,一般用小容量的SRAM作為更高速CPU和較低速DRAM 之間的緩存.SRAM也有許多種,如AsyncSRAM (異步SRAM)、Sync SRAM (同步SRAM)、PBSRAM (流水式突發SRAM),還有INTEL沒有公布細節的CSRAM等。
基本的SRAM的架構如圖1所示,SRAM一般可分為五大部分:存儲單元陣列,行/列地址譯碼器,靈敏放大器,控制電路,緩沖/驅動電路。SRAM是靜態存儲方式,以雙穩態電路作為存儲單元,SRAM不像DRAM一樣需要不斷刷新,而且工作速度較快,但由于存儲單元器件較多,集成度不太高,功耗也較大。
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。
舉報投訴
-
sram
+關注
關注
6文章
763瀏覽量
114633
發布評論請先 登錄
相關推薦
SRAM和DRAM有什么區別
靜態隨機存儲器(Static Random Access Memory,簡稱SRAM)和動態隨機存儲器(Dynamic Random Access Memory,簡稱DRAM)是兩種不同類
請問如何使用片外SRAM?
Hi , 在項目中,我們需要增加片外SRAM,型號是IS62WVS5128GALL 大小是512kb,請問你們是否支持此IC,能否提供驅動或者demo?
發表于 06-25 08:01
Microchip推出容量更大、速度更快的串行SRAM產品線
為滿足客戶對更大更快的SRAM的普遍需求,MicrochipTechnology(微芯科技公司)擴展了旗下串行SRAM產品線,容量最高可達4Mb,并將串行外設接口/串行四通道輸入/輸出接口(SPI
Microchip推出容量更大、速度更快的串行 SRAM產品線
該產品線提供了并行SRAM的低成本替代方案,容量高達 4 Mb,具有143 MHz SPI/SQI? 通信功能 ? 為滿足客戶對更大更快的 SRAM 的普遍需求,Microchip
發表于 04-03 15:24
?1151次閱讀
STM32G4如何把所有程序都在SRAM中運行?
通過外部引腳可配置BOOT從SRAM中啟動,上電過程SRAM沒有初始化,BOOT從SRAM啟動的作用是什么,這個我不能理解。
我想實現所有程序都在S
發表于 03-12 07:30
GD32F4的TCMSRAM(緊耦合SRAM)該如何使用?
如下圖所示,GD32F4系列內部SRAM分為通用SRAM空間和TCMSRAM空間,其中通用SRAM為從0x20000000開始的空間,TCMSRAM為從0x10000000開始的64KB空間。大家
SRAM主示例在SDK 1.3.4的USB 2.0模式下不起作用是為什么?
嗨,你好,
SRAM Master GPIF 示例在 SDK 1.3.4 的 USB 2.0 模式下不起作用。 通過 USB 編程后,控制中心看不到設備(CYPRESS
發表于 02-22 07:40
SRAM CLA和SRAM有什么區別
每個SRAM單元的核心由兩個CMOS反相器構成,這兩個反相器相互連接,每個反相器的輸出電位被用作另一個反相器的輸入。這種結構使得每個SRAM單元都可以保存一個二進制位(0或1),直到它被新的數據覆蓋。
賽普拉斯的NV-SRAM接口解決方案
賽普拉斯的NV-SRAM將標準快速SRAM單元(訪問時間高達20 ns)與基于硅氧化物和亞硝酸鹽,氧化物硅(SONOS)的非易失性存儲元件相結合,可提供快速的異步讀寫訪問速度,并在其整個工作范圍內具有20年的數據保留。
sram讀寫電路設計
SRAM (Static Random Access Memory)是一種高速、隨機訪問的存儲器,它以其快速的讀寫操作和不需要刷新的特點而受到廣泛使用。本文將詳細介紹SRAM的讀寫電路設計,從
關于AI和SRAM的不確定未來思考
西門子 EDA的內存技術專家Jongsin Yun說, SRAM 的微縮滯后于邏輯收縮,主要是由于最新技術中嚴格的設計規則。過去,我們對 SRAM 有單獨的設計規則,這使我們能夠比基于邏輯晶體管
發表于 12-15 09:43
?448次閱讀
關于靜態存儲器SRAM的簡單介紹
SRAM是采用CMOS工藝的內存。自CMOS發展早期以來,SRAM一直是開發和轉移到任何新式CMOS工藝制造的技術驅動力。
評論