在發明比較器之后可能不會太久，有人想把它們中的兩個放在一起制作一個窗口比較器。目前，半導體供應商在兩個比較器上的這種流行應用變得更加容易，他們在單個硅芯片上提供兩個比較器和一個電壓基準。本文采用ADI的代表性雙比較器，并展示如何在基本電路中添加外部控制測試功能，以測試電路是否正常工作。

圖1顯示ADCMP670低 - 電源雙比較器配置為窗口比較器，用于監控標稱電壓為3.6 V的鋰離子電池。通常，需要獨立監控過電壓和欠電壓電池偏移，并由于所需的不同響應而單獨報告。不同的情況。典型的過壓限制約為4.2 V，而典型的欠壓限制為2.3 V.

ADCMP670包含兩個低功耗比較器和一個共享的高精度400 mV參考電壓。每個比較器周圍的滯后固定為9 mV。在圖1中，通道A監視窗口的高側。要使電路在4.2 V時報警，所需的R1A / R2A比率為9.5。 B頻道觀看窗戶的低側。為使其在2.3 V時報警，所需的R1B / R2B比率為4.75。

當該電路正常工作時，OUTA和OUTB都為低，僅高警告條件時。在關鍵應用中，明智的做法是定期測試窗口比較器，看看事情是否還可以，并確保電路仍在工作。

圖2顯示了如何輕松添加此測試功能圖1的標準電路。晶體管QA與R2A串聯，通常 on 。晶體管QB與R2B并聯連接，通常 off 。將驅動信號反轉到這些晶體管會使上的QA 關閉和QB ，從而將兩個比較器同時驅動到其錯誤狀態的方式設置跳閘電平。如果兩個組件都正常工作，OUTA和OUTB將被驅動高。當QA和QB驅動電平恢復時，恢復正常跳變電平，輸出電平恢復正常工作狀態，窗口比較器顯示正常工作。

晶體管QA和QB可以是任何通用，低成本，低電壓，N溝道MOSFET。它們通常較低的導通電阻不會導致電路操作中的重大錯誤。

參考電路

比較器選擇指南2007