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      意法半導體650V高頻IGBT采用最新高速開關技術提升應用性能

      電子工程師 ? 來源：yxw ? 2019-05-14 11:38 ? 次閱讀

      意法半導體的HB2 650V IGBT系列采用最新的第三代溝柵場截止（TFS）技術，可提高PFC轉換器、電焊機、不間斷電源（UPS）、太陽能逆變器等中高速應用設計的能效和性能。該系列還包括符合AEC-Q101 Rev. D標準的汽車級產品。

      新HB2系列屬于STPOWER?產品家族，更低（1.55V）的VCEsat飽和電壓確保導通性能極其出色；更低的柵極電荷使其能夠在低柵極電流條件下快速開關，提高動態開關性能；出色的熱性能有助于最大限度地提高可靠性和功率密度，同時新系列還是市場上極具競爭力的產品。

      HB2系列IGBT提供三個內部二極管選項：全額定二極管、半額定二極管或防止意外反向偏置的保護二極管，從而為開發者提供更多的自由設計權，根據特定應用需求優化動態性能。

      新650V器件的首款產品40A STGWA40HP65FB2現已上市，采用TO-247長引腳封裝。

      聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。 舉報投訴
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