作為全球知名的存儲器廠商，近日，美光召開了2019年投資者大會，在大會中上，美光展示了DRAM和NAND Flash下一代技術的發(fā)展以及規(guī)劃。

據悉，美光的技術研發(fā)和Fab制造工廠遍布全球，其中核心技術研發(fā)主要集中在美國的愛達荷州（Idaho）基地。Fab工廠分布上，日本主要負責生產DRAM，新加坡主要生產NAND Flash，3D Xpoint工廠則設在美國的猶他州（Utah），中國***則負責封裝。

此外，為了滿足汽車市場需求，美光還在美國弗吉尼亞州（Virginia）設立了工廠。

最值得關注的是，美光在此次投資者大會上公布了DRAM和NAND Flash的最新技術線路圖。

DRAM方面，美光將持續(xù)推進1Znm DRAM技術，并且還將基于該先進技術推出16Gb LPDDR4。而在1Znm DRAM技術之后，美光還將發(fā)展1α、1β、1γ。

未來美光DRAM產品研發(fā)計劃采用EUV技術。美光表示，其擁有從1Znm至1ynm的成熟的技術和成本效益，而多重曝光微影技術是它的戰(zhàn)略性優(yōu)勢。目前，DRAM的EUV光刻技術正在進行評估中，準備在合適的時候實現對EUV技術的應用。

NAND Flash方面，繼96層3D NAND之后，美光計劃下一代研發(fā)128層3D NAND，采用64+64層的結構。

另外，為了在芯片尺寸、連續(xù)寫入性能、寫入功耗方面領先，美光研發(fā)128層3D NAND時，將實現從Floating Gate技術向Replacement Gate技術過渡的重大進展，以及對CuA（CMOS under Array）技術的持續(xù)利用。