重慶市大足區(qū)人民政府官網(wǎng)信息顯示，近日，聚力成半導(dǎo)體（重慶）有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“聚力成半導(dǎo)體”）一期廠房正式啟用，計(jì)劃10月開(kāi)始外延片的量產(chǎn)，生產(chǎn)線達(dá)21條，年產(chǎn)能達(dá)12萬(wàn)片。

資料顯示，聚力成半導(dǎo)體是由重慶捷舜科技有限公司投資設(shè)立。2018年9月，重慶大足區(qū)人民政府與重慶捷舜科技有限公司正式簽約聚力成外延片和芯片產(chǎn)線項(xiàng)目（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“聚力成半導(dǎo)體項(xiàng)目”），該項(xiàng)目以研發(fā)、生產(chǎn)第三代半導(dǎo)體氮化鎵外延片、芯片為主。

據(jù)介紹，聚力成半導(dǎo)體項(xiàng)目占地500畝，擬投資50億元，將在大足區(qū)打造集氮化鎵外延片制造、晶圓制造、芯片設(shè)計(jì)、封裝、測(cè)試、產(chǎn)品應(yīng)用設(shè)計(jì)于一體的全產(chǎn)業(yè)鏈基地，項(xiàng)目建成達(dá)產(chǎn)后可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)值100億元以上。此外，聚力成半導(dǎo)體還將在大足建設(shè)中國(guó)區(qū)總部、科研及高管配套項(xiàng)目等。

簽約兩個(gè)月后，該項(xiàng)目于2018年11月正式開(kāi)工奠基，今年4月26日舉行工廠上梁儀式。如今項(xiàng)目一期廠房正式啟用，啟用后將進(jìn)行試生產(chǎn)，建設(shè)21條生產(chǎn)線、年產(chǎn)能12萬(wàn)片，預(yù)計(jì)10月開(kāi)始外延片的量產(chǎn)，主要應(yīng)用于5G與消費(fèi)市場(chǎng)、車(chē)用市場(chǎng)、數(shù)據(jù)中心和工業(yè)應(yīng)用。

大足區(qū)政府信息顯示，目前聚力成半導(dǎo)體已擁有富士通電子元器件、中芯國(guó)際、聯(lián)穎光電、晶成半導(dǎo)體等多家合作伙伴。今年4月初，聚力成半導(dǎo)體官網(wǎng)發(fā)布消息稱(chēng)，其與戰(zhàn)略伙伴聯(lián)穎光電，依照客戶定制要求，正式產(chǎn)出新一代半導(dǎo)體材料氮化鎵功率芯片。

據(jù)了解，第三代半導(dǎo)體性能優(yōu)越，被業(yè)內(nèi)譽(yù)為固態(tài)光源、電力電子、微波射頻器件的“核芯”以及光電子和微電子等產(chǎn)業(yè)的“新發(fā)動(dòng)機(jī)”，是近年來(lái)全球半導(dǎo)體研究的前沿和熱點(diǎn)，我國(guó)亦對(duì)其高度重視，國(guó)家和各地政府陸續(xù)推出相關(guān)政策推動(dòng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

作為第三代半導(dǎo)體的代表之一，氮化鎵具有寬帶隙、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)、高電子飽和漂移速度、強(qiáng)抗輻射能力和良好化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越物理化學(xué)性質(zhì)，在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊的前景。

目前，國(guó)內(nèi)已有多家企業(yè)布局氮化鎵產(chǎn)業(yè)，除了聚力成半導(dǎo)體外，還有江蘇能華、英諾賽科、三安集成、海威華芯、江蘇華功、大連芯冠等，其中江蘇能華和英諾賽科的8英寸Si基GaN生產(chǎn)線相繼開(kāi)始啟用，如今聚力成半導(dǎo)體亦即將量產(chǎn)，將有望進(jìn)一步推動(dòng)國(guó)內(nèi)氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展。