精品国产人成在线_亚洲高清无码在线观看_国产在线视频国产永久2021_国产AV综合第一页一个的一区免费影院黑人_最近中文字幕MV高清在线视频

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

IGBT的定義及特性

模擬對話 ? 來源:x'x ? 2019-06-25 18:27 ? 次閱讀

IGBT是一種功率開關晶體管,它結合了MOSFET和BJT的優點,用于電源電機控制電路

絕緣柵雙極晶體管簡稱為IGBT,是傳統雙極結型晶體管,(BJT)和場效應晶體管之間的交叉點,(MOSFET)使其成為半導體開關器件的理想選擇。

IGBT晶體管采用這兩種常見晶體管的最佳部分,即MOSFET的高輸入阻抗和高開關速度利用雙極晶體管的低飽和電壓,將它們組合在一起,產生另一種類型的晶體管開關器件,能夠處理大的集電極 - 發射極電流,幾乎沒有柵極電流驅動。

典型IGBT

絕緣柵雙極晶體管,(IGBT)結合了絕緣柵極(因此其名稱的第一部分)技術MOSFET具有傳統雙極晶體管的輸出性能特征(因此是其名稱的第二部分)。

這種混合組合的結果是“IGBT晶體管”具有輸出切換和雙極晶體管的導通特性,但像MOSFET一樣受電壓控制。

IGBT主要用于電力電子應用,如逆變器轉換器和電源,固態開關器件的要求是功率雙極和功率MOSFET沒有完全滿足。可提供高電流和高壓雙極晶體管,但其開關速度較慢,而功率MOSFET可能具有更高的開關速度,但高壓和高電流器件價格昂貴且難以實現。

絕緣柵雙極晶體管器件在BJT或MOSFET上獲得的優勢在于它提供了比標準雙極型晶體管更高的功率增益,以及更高的電壓工作和更低的MOSFET輸入損耗。實際上,它是一個集成了雙極晶體管的FET,其形式為達林頓型,如圖所示。

絕緣柵雙極晶體管

我們可以看到絕緣柵雙極晶體管是一個三端跨導器件,它將絕緣柵極N溝道MOSFET輸入與PNP雙極晶體管輸出相結合,以一種達林頓配置連接。

因此,終端標記為:收集器,發射器和門。其兩個端子( CE )與傳導電流的電導路徑相關聯,而其第三個端子( G )控制器件。

絕緣柵雙極晶體管實現的放大量是其輸出信號與其輸入信號之間的比值。對于傳統的雙極結型晶體管(BJT),增益量近似等于輸出電流與輸入電流之比,稱為Beta。

對于金屬氧化物半導體場效應晶體管或MOSFET,由于柵極與主載流通道隔離,因此沒有輸入電流。因此,FET的增益等于輸出電流變化與輸入電壓變化之比,使其成為跨導器件,IGBT也是如此。然后我們可以將IGBT視為功率BJT,其基極電流由MOSFET提供。

絕緣柵雙極晶體管可用于小信號放大器電路,其方式與BJT或MOSFET型晶體管大致相同。但由于IGBT將BJT的低導通損耗與功率MOSFET的高開關速度相結合,因此存在最佳的固態開關,非常適用于電力電子應用。

此外,IGBT具有比同等MOSFET低得多的“通態”電阻 R ON 。這意味著對于給定的開關電流,雙極輸出結構上的 I 2 R 降低得多。 IGBT晶體管的正向阻斷操作與功率MOSFET相同。

當用作靜態控制開關時,絕緣柵雙極晶體管的電壓和電流額定值與雙極晶體管相似。然而,IGBT中隔離柵極的存在使得驅動比BJT簡單得多,因為需要更少的驅動功率。

絕緣柵雙極晶體管簡單地“開”或“關” “通過激活和停用其Gate終端。在柵極和發射極之間施加正輸入電壓信號將使器件保持在“導通”狀態,同時使輸入柵極信號為零或略微為負將導致其以與雙極晶體管大致相同的方式“關閉”。或eMOSFET。 IGBT的另一個優點是它具有比標準MOSFET低得多的通態電阻。

IGBT特性

由于IGBT是一個電壓控制器件,它只需要柵極上的一個小電壓來維持器件的導通,這與BJT不同,BJT要求基極電流持續供電足夠數量保持飽和。

此外,IGBT是一個單向器件,這意味著它只能在“正向”切換電流,即從集電極到發射極,而不像具有雙向電流切換功能的MOSFET(在向前方向控制并在反向方向不受控制)。

絕緣柵雙極晶體管的工作原理柵極驅動電路與N溝道功率MOSFET非常相似。基本的區別在于,當電流在“ON”狀態下流過器件時,主導電通道提供的電阻在IGBT中非常小。因此,與等效功率MOSFET相比,額定電流要高得多。

與其他類型的晶體管器件相比,使用絕緣柵雙極晶體管的主要優點是高電壓能力,低導通電阻,易于驅動,相對快速的開關速度以及零柵極驅動電流,使其成為中等速度,高壓應用的理想選擇,如脈沖寬度調制(PWM),變速控制,工作在數百千赫茲范圍內的開關電源或太陽能直流 - 交流逆變器和變頻器應用。

下表給出了BJT,MOSFET和IGBT的一般比較。

p>

IGBT比較表

我們已經看到絕緣柵雙極晶體管是半導體開關器件,具有雙極結型晶體管BJT的輸出特性,但受控制像金屬氧化物場效應晶體管MOSFET。

IGBT晶體管的主要優點之一是通過施加正極可以將其“導通”的簡單性柵極電壓,或通過使柵極信號為零或略微為負而切換為“OFF”,允許其用于各種開關應用。它也可以在其線性有源區域中驅動,用于功率放大器

具有較低的導通電阻和傳導損耗以及在高頻下切換高電壓而不會損壞的能力使絕緣柵雙極晶體管非常適合驅動線圈繞組,電磁鐵和直流電機等感性負載。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • IGBT
    +關注

    關注

    1265

    文章

    3761

    瀏覽量

    248325
  • 晶體管
    +關注

    關注

    77

    文章

    9635

    瀏覽量

    137856
收藏 人收藏

    評論

    相關推薦

    IGBT的工作原理及基本特性

      絕緣柵雙極晶體管(IGBT)結合了GTR和MOSFET的優點,具有良好的特性IGBT也是三端器件,具有柵極G、集電極C和發射極E。
    發表于 10-28 16:12 ?1.4w次閱讀
    <b class='flag-5'>IGBT</b>的工作原理及基本<b class='flag-5'>特性</b>

    [科普向]這篇讓你快速搞懂IGBT的靜態特性

    IGBT的靜態特性其實并非難以理解的東西,即便是對于外行人而言。剛接觸那會兒,看到轉移特性、輸出特性之類的就想溜之大吉,加之網上查詢的資料一概籠統簡單,只描述
    發表于 10-17 10:08

    柵極電阻RG對IGBT開關特性有什么影響?

    柵極電阻RG對IGBT開關特性有什么影響?
    發表于 06-08 06:56

    如何優化硅IGBT的頻率特性

    的導通能量損耗,并在電力電子學的典型模式下擴大開關元件的安全工作區域。使用硅IGBT可以優化器件的成本。這種減少損耗功率的頻率相關分量的要求突出了改善IGBT頻率特性的必要性,因為正是這種元件限制了
    發表于 02-22 16:53

    IGBT的原理和基本特性

    IGBT的原理和基本特性 IGBT的原理 絕緣柵雙極晶體
    發表于 03-05 15:53 ?1.1w次閱讀

    IGBT靜態特性與參數及電路圖

    IGBT的靜態特性包括伏安特性、轉移特性和靜態開關特性IGBT的伏安
    發表于 11-09 17:04 ?2411次閱讀
    <b class='flag-5'>IGBT</b>靜態<b class='flag-5'>特性</b>與參數及電路圖

    IGBT參數的定義與PWM方式開關電源中IGBT 的損耗分析

    不同, 通過IGBT 數據手冊給出的參數不能確切得出應用條件下IGBT 的損耗。比較好的方法是通過測量行業確定IGBT 數據手冊中參數的測量條件與實際應用環境的差別, 并介紹IGBT
    發表于 09-22 19:19 ?30次下載
    <b class='flag-5'>IGBT</b>參數的<b class='flag-5'>定義</b>與PWM方式開關電源中<b class='flag-5'>IGBT</b> 的損耗分析

    AN-990應用筆記之IGBT特性

    AN-990應用筆記之IGBT特性
    發表于 04-13 14:04 ?7次下載
    AN-990應用筆記之<b class='flag-5'>IGBT</b>的<b class='flag-5'>特性</b>

    IGBT工作中的特性以及IGBT的動態特性的介紹

    IGBT工作中的特性IGBT 的靜態特性, 靜態數據特性關鍵有光電流特性、遷移
    發表于 12-15 16:10 ?6886次閱讀

    IGBT開關時間的定義

    ,后級輸出為阻感性負載,帶有續流二極管。那么對于IGBT開關時間的定義,你又了解多少?具體如下。 1. 開通時間ton 開通時間還可以分為兩個部分:開通延遲時間td(on)與上升時間tr,在此時間內IGBT主要工作在主動區域。
    的頭像 發表于 03-26 18:33 ?5843次閱讀

    壓接型IGBT芯片動態特性實驗平臺設計與實現

    摘要 壓接型 IGBT 芯片在正常的運行工況下承受著電-熱-力多物理量的綜合作用,研究電熱-力影響下的 IGBT 芯片動態特性對于指導 IGBT 芯片建模以及規模化
    發表于 08-08 09:58 ?0次下載

    IGBT/IPM/DIPIPM定義及應用基礎(2)

    IGBT/IPM/DIPIPM定義及應用基礎(2)
    的頭像 發表于 12-05 10:26 ?1211次閱讀
    <b class='flag-5'>IGBT</b>/IPM/DIPIPM<b class='flag-5'>定義</b>及應用基礎(2)

    IGBT/IPM/DIPIPM定義及應用基礎(1)

    IGBT/IPM/DIPIPM定義及應用基礎(1)
    的頭像 發表于 12-05 14:09 ?1056次閱讀
    <b class='flag-5'>IGBT</b>/IPM/DIPIPM<b class='flag-5'>定義</b>及應用基礎(1)

    IGBT的低電磁干擾特性

    IGBT的低電磁干擾特性 IGBT是一種在功率電子領域中常用的晶體管器件。它由一個IGBT芯片和一個驅動電路組成,用于控制高電壓和高電流的開關操作。相比于MOSFET,
    的頭像 發表于 01-04 14:30 ?969次閱讀

    IGBT和MOSFET在對飽和區的定義差別

    IGBT和MOSFET在對飽和區的定義差別? IGBT和MOSFET是傳輸電力和控制電流的重要電子器件。它們在許多電力電子應用中起著關鍵的作用。飽和區是IGBT和MOSFET工作的一個
    的頭像 發表于 02-18 14:35 ?1927次閱讀