氮化鎵(GaN)這種寬帶隙材料將引領射頻功率器件新發展并將砷化鎵(GaAs)和LDMOS(橫向擴散金屬氧化物半導體)器件變成昨日黃花？看到一些媒體文章、研究論文、分析報告和企業宣傳文檔后你當然會這樣認為，畢竟，GaN比一般材料有高10倍的功率密度，而且有更高的工作電壓(減少了阻抗變換損耗)，更高的效率并且能夠在高頻高帶寬下大功率射頻輸出，這就是GaN，無論是在硅基、碳化硅襯底甚至是金剛石襯底的每個應用都表現出色！帥呆了！

至少現在看是這樣，讓我們回顧下不同襯底風格的GaN：硅基、碳化硅（SiC）襯底或者金剛石襯底。

硅基氮化嫁：這種方法比另外兩種良率都低，不過它的優勢是可以使用全球低成本、大尺寸CMOS硅晶圓和大量射頻硅代工廠。因此，它很快就會以價格為競爭優勢對抗現有硅和砷化鎵技術，理所當然會威脅它們根深蒂固的市場。

碳化硅襯底氮化鎵：這是射頻氮化鎵的“高端”版本，SiC襯底氮化鎵可以提供最高功率級別的氮化鎵產品，可提供其他出色特性，可確保其在最苛刻的環境下使用。

金剛石襯底氮化鎵：將這兩種東西結合在一起是很難的，但是好處也是巨大的：在世界上所有材料中工業金剛石的熱導率最高(因此最好能夠用來散熱)。使用金剛石代替硅、碳化硅、或者其他基底材料可以把金剛石高導熱率優勢發揮出來，可以實現非常接近芯片的有效導熱面。

金剛石襯底GaN主要是應用于美國國防部高級研究計劃署（DARPA）的近結熱傳輸項目（NJTT），始于2011年，在這個項目中TriQuint和布里斯托大學第四研究室是合作伙伴，而且洛克希德·馬丁公司也是參與者。該團隊在2013年宣布他們已經實現了連續三次提高了GaN-on-SiC的功率密度。這意味著可以把金剛石襯底氮化鎵芯片縮小三倍或把其射頻功率提升3倍，該項目完成了設計測試評估，很可能金剛石襯底GaN將在5年內滿足其制造性要求。

這里談下TriQuint公司，該公司的氮化鎵技術研發專長和在廣泛的高功率、高頻率工藝流程方面的領先地位為其贏得了美國國防部先進研究項目局 (DARPA) 的許多合同，包括最近與該局的Near Junction Thermal Transport (NJTT)、Microscale Power Conversion (MPC) 以及“NEXT”計劃有關的項目。另外，TriQuint還為Defense Production Act Title III氮化鎵計劃提供持續制造技術改進支持。還有其他一些先進的TriQuint氮化鎵研發項目受到Tri-Services實驗室（包括美國空軍、陸軍及海軍）的資助。TriQuint研發人員是新型超快高功率直流-直流開關、集成式高效率放大器和復雜、高動態范圍混合信號器件研發領域的開路先鋒。

氮化鎵、砷化鎵和LDMOS將共存嗎？

在這些領域，砷化鎵和LDMOS技術將在可預見的未來繼續發揮作用:

無線基礎設施、工業和一些雷達應用項目：LDMOS是一個完全成熟的技術，由于它可以提供單器件高射頻功率（大于1kW）因此在這些市場的基礎牢固。LDMOS可以無損的承受阻抗不匹配，并且采用先進的低熱阻塑料封裝，同時可以保持低成本。其局限性是最高可用頻率低于4 GHz且只在一個窄帶能有最佳性能表現。LDMOS可用于有空間安置多級放大器（不是MMIC）且工作在窄帶頻率范圍的雷達上。

低功耗電池供電設備：智能手機、平板等幾乎所有產品都采用GaAs MMIC以及分立器件。砷化鎵很符合它們的接收和傳輸信號鏈，且得益于30年的發展積累，有眾多供應商可以提供系列產品，且成本低，外形小。

小單元，分布式天線系統和一些微波鏈路：砷化鎵MMIC在這些市場的優勢是射頻功率低，TriQuint 半導體T2G4005528-FS(圖1)是GaN競爭的典型代表，這種碳化硅襯底的氮化鎵 HEMT(高電子遷移率晶體管)工作在從直流到3.5 GHz的頻率范圍，并在3.3 GHz頻率上提供64W 3dB增益壓縮（P3dB）。

圖1：TriQuint 半導體的寬頻帶的T2G4005528-FS封裝的GaN-on-SiC的射頻功率晶體管

一些軍事雷達可工作在高頻（HF）到超高頻（UHF）頻率：LDMOS仍是這些系統最佳候選，雖然隨著硅基氮化鎵器件可以覆蓋更廣的帶寬，可用于提供有競爭力的CW RF射頻輸出、增益、效率以及線性度，隨著成本的下降它們將更有吸引力。

還有許多其他應用項目，比如有線電視分配放大器，在這些應用中，砷化鎵和LDMOS的優勢無可替代。簡而言之，砷化鎵和LDMOS技術在這些領域不會消失。