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紫光在四川建設3D NAND Flash廠 總投資將超過2000億元

poa0_zhenjingsh ? 來源:yxw ? 2019-07-01 10:24 ? 次閱讀

近日,根據紫光官方消息,紫光集團聯席總裁王慧軒在接受采訪時表示,紫光在四川布局宏大,總投資將超過2000億元,主要包括服務器芯片、安全芯片、存儲芯片和移動通訊相關芯片的研發,建設周期將長達3-5年。

目前正在建設的存儲3D NAND Flash廠,一期建設完畢后會有一個月10萬片產能,三期全部完工后每月產能30萬片。

紫光成都存儲芯片項目于2018年10月中旬動工,預計2020年12月主體完工,該項目占地面積約1200畝,總投資達240億美元,將建設12寸3D NAND存儲器晶圓生產線,并開展存儲器芯片及模塊、解決方案等關聯產品的研發、制造和銷售。

與此同時,紫光集團旗下的長江存儲將在今年下半年正式推出自研的Xtacking 2.0技術,并在年底前量產64層3D NAND,規劃在2020年跳過96層3D NAND技術進入128層3D NAND階段,進一步縮小和世界存儲大廠的差距。

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原文標題:2000億!成都建3D NAND Flash廠!

文章出處:【微信號:zhenjingshe,微信公眾號:華爾街】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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