精品国产人成在线_亚洲高清无码在线观看_国产在线视频国产永久2021_国产AV综合第一页一个的一区免费影院黑人_最近中文字幕MV高清在线视频

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

功率MOSFET平均售價(jià)持續(xù)上升 成為IDM大廠產(chǎn)品主要發(fā)展重點(diǎn)

半導(dǎo)體動態(tài) ? 來源:工程師吳畏 ? 2019-07-02 16:42 ? 次閱讀

自2018年開始,功率MOSFET(Power MOSFET)的平均售價(jià)(ASP)持續(xù)上升,其中以工作電壓范圍超過400伏特高電壓功率MOSFET產(chǎn)品成長幅度最顯著,已位居價(jià)格帶中的首位;至于其他中低電壓的功率MOSFET產(chǎn)品成長幅度較小,但仍緩步上升。

為因應(yīng)平均售價(jià)成長趨勢的差異化表現(xiàn),12寸晶圓功率半導(dǎo)體廠的建置及高電壓功率MOSFET產(chǎn)品布局,或?qū)⒊蔀槲磥?a target="_blank">廠商發(fā)展重點(diǎn)。

功率MOSFET平均售價(jià)持續(xù)上升 成為IDM大廠產(chǎn)品主要發(fā)展重點(diǎn)

中低電壓功率MOSFET價(jià)格微幅成長,將由12寸晶圓制程提高毛利

過去功率MOSFET以8寸晶圓制造為主,在制程成熟度與穩(wěn)定性上達(dá)到平衡,并已完成成本優(yōu)化。但在消費(fèi)性電子產(chǎn)品需求激增下,8寸晶圓需要制造的產(chǎn)品也增加,包括PMIC、指紋識別IC、TDDI及IoT相關(guān)芯片等,讓8寸晶圓產(chǎn)能呈現(xiàn)吃緊狀態(tài),引發(fā)8寸晶圓廠產(chǎn)能不足的問題,因此對功率MOSFET的IDM大廠來說,轉(zhuǎn)進(jìn)12寸晶圓廠是絕佳選擇。

目前具12寸晶圓廠制造功率MOSFET量產(chǎn)能力的廠商為Infineon,已有1座12寸功率半導(dǎo)體廠房生產(chǎn),且計(jì)劃興建第二座,預(yù)計(jì)2021年開始量產(chǎn);從Infineon官方資料來看,12寸廠在功率與傳感器半導(dǎo)體的前段制程上具有6%成本效益,能為毛利帶來約2%增幅,因此未來將持續(xù)擴(kuò)大12寸晶圓制造比例。

另外,AOS(Alpha & Omega semiconductor)為市場上第二家將以12寸晶圓廠制造功率MOSFET的廠商,預(yù)計(jì)于2019下半年量產(chǎn)供貨,AOS認(rèn)為,12寸晶圓制造最直接優(yōu)勢在產(chǎn)能,且在降低制造成本及提升良率方面也較8寸廠優(yōu)秀;ON Semiconductor也購入12寸晶圓廠,準(zhǔn)備生產(chǎn)功率半導(dǎo)體相關(guān)元件。

分析中低壓功率MOSFET(工作電壓范圍《400V)的平均售價(jià)趨勢可發(fā)現(xiàn),其價(jià)格相對平穩(wěn),近期價(jià)格雖有上漲但幅度較小,因此降低生產(chǎn)成本為提升毛利的必要條件,也令12寸晶圓制造功率MOSFET備受重視,未來中低電壓功率MOSFET在無法透過價(jià)格上漲創(chuàng)造更高利潤下,憑借12寸廠成本優(yōu)勢仍有機(jī)會貢獻(xiàn)毛利率,并同時(shí)解決產(chǎn)能不足問題。

高電壓功率MOSFET價(jià)格表現(xiàn)亮眼,為IDM大廠產(chǎn)品主要發(fā)展重點(diǎn)

功率半導(dǎo)體在終端產(chǎn)品應(yīng)用愈發(fā)廣泛,尤其近年在車用、5G與高端運(yùn)算等領(lǐng)域話題性高,皆有部分需求屬于高規(guī)格功率MOSFET的應(yīng)用領(lǐng)域,吸引主要IDM大廠積極投入開發(fā)高電壓功率MOSFET(工作電壓范圍》400V)產(chǎn)品,推升平均售價(jià)大幅度成長,位居價(jià)格帶首位。

為因應(yīng)高電壓功率MOSFET市場與技術(shù)需求,其中一項(xiàng)發(fā)展重點(diǎn)是寬能隙化合物半導(dǎo)體應(yīng)用,其使用的基底材料朝向以GaN及SiC等化合物半導(dǎo)體材料為主,能達(dá)成在高功率與高切換頻率需求。在主要供應(yīng)鏈廠商中,Infineon、On Semiconductor、STM、ROHM、AOS、Cree等積極開發(fā)使用SiC的功率MOSFET元件,除歐美日大廠外,陸系廠商比亞迪、臺系廠商強(qiáng)茂也積極開發(fā)SiC 功率MOSFET產(chǎn)品。

而在GaN部份,主要玩家有Infineon、AOS、Transphorm等,在高規(guī)格需求的功率MOSFET市場中搶占份額。值得一提的是,由于SiC與GaN晶圓的制造成本較Si晶圓高,也是拉抬高電壓功率MOSFET價(jià)格的主要推手之一。

總體而言,歐美日IDM大廠看好高規(guī)格功率MOSFET的未來發(fā)展,將持續(xù)增加既有的Silicon基底功率MOSFET與SiC/GaN基底功率MOSFET的產(chǎn)品數(shù)量及應(yīng)用領(lǐng)域,可望支撐高電壓功率MOSFET價(jià)格保持成長水平,進(jìn)一步帶動高電壓功率MOSFET的市場需求與產(chǎn)值成長。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    146

    文章

    7101

    瀏覽量

    212777
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    334

    文章

    27063

    瀏覽量

    216501
  • IDM
    IDM
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    120

    瀏覽量

    18880
收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    功率MOSFET的選型法則

    功率MOSFET有二種類型:N溝道和P溝道,在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過程中選擇N管還是P管,要針對實(shí)際的應(yīng)用具體來選擇,N溝道MOSFET選擇的型號多,成本低;P溝道MOSFET選擇的型號較少,成
    的頭像 發(fā)表于 10-30 15:24 ?246次閱讀

    功率MOSFET故障分析

    功率MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子系統(tǒng)中的關(guān)鍵元件,用于功率
    的頭像 發(fā)表于 10-08 18:29 ?392次閱讀

    長電科技持續(xù)推動行業(yè)可持續(xù)發(fā)展

    隨著數(shù)字化和智能化的發(fā)展,半導(dǎo)體在物聯(lián)網(wǎng)、通信、汽車電子、大數(shù)據(jù)等領(lǐng)域發(fā)揮著重要的作用。在追求高性能芯片的背后,一系列復(fù)雜的生產(chǎn)過程也帶來了環(huán)境挑戰(zhàn),成為行業(yè)關(guān)注的重點(diǎn)。長電科技通過各類環(huán)保舉措,落實(shí)可
    的頭像 發(fā)表于 09-11 15:14 ?370次閱讀

    Nexperia、東芝和Navitas擴(kuò)展MOSFET產(chǎn)品線以應(yīng)對高效能需求

    隨著電動車、可再生能源和數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域?qū)Ω咝А⒏咝阅芙M件需求的持續(xù)上升,電源管理系統(tǒng)的復(fù)雜性也隨之增加,市場對更先進(jìn)和可靠的MOSFET需求愈加旺盛。對此,Nexperia、東芝和Navitas等
    的頭像 發(fā)表于 08-27 11:47 ?321次閱讀
    Nexperia、東芝和Navitas擴(kuò)展<b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>產(chǎn)品</b>線以應(yīng)對高效能需求

    MOSFET并聯(lián)(并聯(lián)功率MOSFET之間的寄生振蕩)

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MOSFET并聯(lián)(并聯(lián)功率MOSFET之間的寄生振蕩).pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 07-13 09:39 ?4次下載

    功率mosfet應(yīng)工作于什么區(qū)

    具有更高的電壓和電流承受能力。功率MOSFET的工作區(qū)域主要包括截止區(qū)、飽和區(qū)、線性區(qū)和擊穿區(qū)。 截止區(qū)(Cutoff Region) 截止區(qū)是指功率
    的頭像 發(fā)表于 07-11 15:12 ?1356次閱讀

    本土IDM廠商SiC MOSFET新進(jìn)展,將應(yīng)用于車載電驅(qū)

    的普及,離不開碳化硅的產(chǎn)能提升以及降本節(jié)奏加速,在800V電壓系統(tǒng)下,一般需要1200V耐壓的車規(guī)級SiC MOSFET器件。該領(lǐng)域以往由ST、英飛凌、羅姆、安森美等海外大廠壟斷,而近期,國產(chǎn)
    的頭像 發(fā)表于 06-25 00:05 ?4960次閱讀

    功率 MOSFET、其電氣特性定義

    應(yīng)用圖 4 顯示了使用功率 MOSFET 應(yīng)用的工作條件,其中負(fù)載電感和工作頻率為參數(shù)。市場要求是(1)提高節(jié)能性,(2)降低噪音(環(huán)境考慮),(3)更小、更薄的設(shè)計(jì)。對于功率MOSFET
    發(fā)表于 06-11 15:19

    功率MOSFET主要特點(diǎn)

    、電機(jī)驅(qū)動等領(lǐng)域中扮演著至關(guān)重要的角色。與雙極型功率器件相比,功率MOSFET憑借其獨(dú)特的特性,如電壓控制、高輸入阻抗、快速開關(guān)速度等,成為了現(xiàn)代電子設(shè)備中不可或缺的元件。本文將對
    的頭像 發(fā)表于 05-31 17:51 ?676次閱讀

    臺積電晶圓平均售價(jià)同比上漲22.8%!

    師指出,晶圓價(jià)格上漲是近年來半導(dǎo)體行業(yè)幾乎所有增長的推動因素之一。 盡管臺積電在2023年第四季度的12英寸晶圓出貨量同比下滑了20.1%,但由于產(chǎn)品單價(jià)的提升,營收僅下滑了1.5%。平均售價(jià)的上漲
    的頭像 發(fā)表于 01-25 15:35 ?324次閱讀

    FP6151內(nèi)置內(nèi)部功率MOSFET產(chǎn)品手冊

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《FP6151內(nèi)置內(nèi)部功率MOSFET產(chǎn)品手冊》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 01-15 14:47 ?0次下載

    700W超高功率空間光調(diào)制器

    LCOS的優(yōu)勢性能。 激光功率密度 強(qiáng)光造成的LCOS不可逆損傷,主要分為以下三種類型: 1、激光能量被LCOS吸收,溫度持續(xù)上升,產(chǎn)生相位漂移。這種損傷閾值是由激光的平均功率所決定的
    的頭像 發(fā)表于 01-10 06:37 ?326次閱讀
    700W超高<b class='flag-5'>功率</b>空間光調(diào)制器

    同是功率器件,為什么SiC主要MOSFET,GaN卻是HEMT

    遷移率晶體管)。為什么同是第三代半導(dǎo)體材料,SiC和GaN在功率器件上走了不同的道路?為什么沒有GaN MOSFET產(chǎn)品?下面我們來簡單分析一下。 ? GaN 和SiC 功率器件的襯底
    的頭像 發(fā)表于 12-27 09:11 ?3463次閱讀

    功率MOSFET雪崩特性分析

    功率MOSFET雪崩特性分析
    的頭像 發(fā)表于 12-04 14:12 ?871次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>雪崩特性分析

    功率MOSFET管應(yīng)用問題匯總

    問題1:在功率MOSFET管應(yīng)用中,主要考慮哪些參數(shù)?在負(fù)載開關(guān)的功率MOSFET管導(dǎo)通時(shí)間計(jì)算,通常取多少比較好?相應(yīng)的PCB設(shè)計(jì),銅箔面
    的頭像 發(fā)表于 12-03 09:30 ?933次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>管應(yīng)用問題匯總