精品国产人成在线_亚洲高清无码在线观看_国产在线视频国产永久2021_国产AV综合第一页一个的一区免费影院黑人_最近中文字幕MV高清在线视频

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

國產12寸大硅片又獲新突破 12英寸半導體級硅單晶棒研制成功

旺材芯片 ? 來源:yxw ? 2019-07-06 10:53 ? 次閱讀

近日,杭州立昂微電子股份有限公司再傳佳報,浙江省第一根擁有完全自主知識產權的量產型集成電路用12英寸硅單晶棒在衢州拉制成功。7月2日上午,在立昂微子公司金瑞泓微電子(衢州)有限公司寬闊明亮的現代化標準單晶廠房內,一根長1.5米、兩頭呈錐形,重達270公斤,通體如烏金般發亮的12英寸半導體級硅單晶棒在經過100多個小時的連續超高溫融化生長后順利出爐。

這標志著立昂微半導體硅材料業務板塊的12英寸大硅片產業化布局取得了初步成效,在最核心最關鍵的拉晶環節取得了重大技術突破。可以說,立昂微在半導體硅材料領域即將迎來一次質的飛躍,12英寸硅片產業化進程跨上一個新的臺階。

硅單晶棒是生產硅片的關鍵性步驟,拉晶過程是硅片制造的重中之重,核心技術中的核心,對工藝、材料和設備的要求極高,之后再經切割、研磨、清洗、拋光以及外延等數十道工序制備成硅拋光片或硅外延片,然后成為芯片的“地基“。硅片直徑越大對材料和技術的要求越高,制造難度也越大。長期以來,12英寸半導體硅片由日本、德國、韓國等國家的公司占據全球97%以上的市場份額。目前為止,我國集成電路用12英寸硅片正片幾乎全部依賴進口。

據了解,立昂微是我國少有的具有硅單晶錠、硅研磨片、硅拋光片、硅外延片及芯片制造的完整產業鏈的集成電路企業,涉及半導體硅材料、半導體功率器件、集成電路制造三大業務板塊,其中半導體硅材料作為立昂微最核心的業務板塊之一,早在2016年底就在浙江衢州投資建設了除寧波以外的第二個半導體硅片生產基地,先后成立了金瑞泓科技(衢州)有限公司和金瑞泓微電子(衢州)有限公司。

該基地經過近一年的建設,8英寸硅外延生產線在2018年4月建成投產并實現批量銷售,8英寸的單晶、切、磨、拋廠房也將在2019年三季度建成投產,屆時將全線拉通8英寸硅單晶、硅拋光片、硅外延片生產線。而今,隨著12英寸半導體級硅單晶的技術突破,將有效帶動立昂微向高端產品發展,逐漸提升在半導體硅材料上的競爭新優勢,也將形成良好的產業生態,推動行業不斷進步,共同推進我國集成電路產業國產化加快發展。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 集成電路
    +關注

    關注

    5381

    文章

    11389

    瀏覽量

    360895
  • 半導體
    +關注

    關注

    334

    文章

    27026

    瀏覽量

    216370
  • 晶棒
    +關注

    關注

    0

    文章

    11

    瀏覽量

    6324
  • 硅片
    +關注

    關注

    13

    文章

    362

    瀏覽量

    34572

原文標題:行業 | 國產12寸大硅片又獲新突破

文章出處:【微信號:wc_ysj,微信公眾號:旺材芯片】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

收藏 人收藏

    評論

    相關推薦

    碳化硅襯底,進化到12英寸

    人沒想到的是,在8英寸碳化硅還遠未大規模落地時,12英寸碳化硅襯底就已經悄然面世。 ? 天岳先進發布300mm 碳化硅襯底 ? 在上周的德國慕尼黑半導體展上,天岳先進發布了行業首款30
    的頭像 發表于 11-21 00:01 ?1633次閱讀
    碳化硅襯底,進化到<b class='flag-5'>12</b><b class='flag-5'>英寸</b>!

    三菱電機供應12英寸功率半導體芯片

    三菱電機集團近日宣布,其功率器件制作所(Power Device Works)福山工廠即日起開始大規模供應采用12英寸硅(Si)晶圓制造的功率半導體芯片,用于半導體模塊的組裝。這些先進
    的頭像 發表于 11-14 15:03 ?292次閱讀

    功率氮化鎵進入12英寸時代!

    等第三代半導體而言,它們還有提升空間。 ? 就在9月11日,英飛凌宣布率先開發出全球首項300 mm(12英寸)氮化鎵功率半導體晶圓技術,英飛凌也成為了全球首家在現有且可擴展的大規模生
    的頭像 發表于 09-23 07:53 ?2636次閱讀

    信越化學推出12英寸GaN晶圓,加速半導體技術創新

    日本半導體材料巨頭信越化學近日宣布了一項重大技術突破成功研發并制造出專用于氮化鎵(GaN)外延生長的300毫米(即12英寸)晶圓,標志著公
    的頭像 發表于 09-10 17:05 ?888次閱讀

    增芯科技12英寸晶圓制造項目投產啟動,內含國內首條12英寸MEMS智能傳感器晶圓生產線

    |?項目一期產能預計2025年底達到2萬片/月 2024年6月28日,增芯科技12英寸晶圓制造項目在廣州增城投產啟動,該項目建設有國內首條、全球第二條的12英寸MEMS智能傳感器晶圓制
    發表于 07-02 14:28 ?501次閱讀

    昕感科技6英寸硅基半導體芯片項目預計年底全面通線

    江蘇昕感科技在半導體芯片制造領域邁出了重要的一步。由該公司投資建設的6英寸硅基半導體芯片項目,預計將在今年年底全面通線,年產能將達到100萬片6
    的頭像 發表于 06-26 10:49 ?1591次閱讀

    東芝12英寸晶圓工廠完工,預計2024年下半年量產

    日本東芝電子元件及存儲裝置株式會社近日宣布,其旗下的一座關鍵性12英寸晶圓功率半導體制造工廠及配套的辦公大樓已全面完工。這座工廠的建設標志著東芝在半導體制造領域
    的頭像 發表于 05-29 11:16 ?679次閱讀

    中微推出自研的12英寸原子層金屬鎢沉積設備Preforma Uniflex AW

    近日,中微半導體設備(上海)股份有限公司(以下簡稱“中微公司”,股票代碼:688012)推出自主研發的12英寸高深寬比金屬鎢沉積設備Preforma Uniflex? HW以及12
    的頭像 發表于 05-29 11:12 ?650次閱讀

    東芝12英寸功率半導體廠完工,預計2024年下半年量產

    日本東芝電子元件及存儲裝置株式會社(TOSHIBA)近日宣布,其12英寸晶圓功率半導體制造工廠及辦公大樓建設已全面完成。目前,該工廠正忙于安裝相關生產設備,預計將在2024財年的下半年開始大規模生產。
    的頭像 發表于 05-27 11:33 ?687次閱讀

    恒元光電成功研制12英寸(直徑300mm)光學級鈮酸鋰晶體

    據麥姆斯咨詢報道,近日,山東恒元半導體科技有限公司(以下簡稱“恒元光電”)在濟南市“揭榜掛帥”科技計劃項目的支持下,成功研制12英寸(直徑
    的頭像 發表于 05-17 09:28 ?1025次閱讀

    厚度達100 mm! 碳化硅單晶生長取得新進展

    為了解決難題,聯合實驗室采用的是提拉式物理氣相傳輸(Pulling Physical Vapor Transport, PPVT)法,成功生長出直徑為6英寸(即150 mm)的碳化硅單晶,其厚度
    的頭像 發表于 04-29 17:40 ?889次閱讀
    厚度達100 mm! 碳化<b class='flag-5'>硅單晶</b>生長取得新進展

    河南第一塊8英寸碳化硅SiC單晶出爐!

    平煤神馬集團碳化硅半導體粉體驗證線傳來喜訊——實驗室成功生長出河南省第一塊8英寸碳化硅單晶,全面驗證了中宜創芯公司碳化硅半導體粉體在長晶方面
    的頭像 發表于 02-21 09:32 ?960次閱讀

    北方華創國產12英寸HDPCVD設備進入客戶生產線

    北方華創最近研發出了一款12英寸高密度等離子體化學氣相沉積(HDPCVD)設備,名為Orion Proxima,并已正式進入客戶端驗證階段。這一創新標志著北方華創在絕緣介質填充工藝技術上取得了重大突破,同時也為該公司進軍
    的頭像 發表于 01-09 18:17 ?1133次閱讀

    增芯12英寸MEMS量產線首臺設備搬入!來自國產半導體制造設備巨頭!

    據傳感器專家網獲悉,12月28日,位于廣州的增芯科技MEMS量產線項目舉行首臺生產設備搬入儀式, 本次搬入設備是由中微半導體設備(上海)有限公司制造的Primo D-RIE刻蝕設備反應臺。 增芯12
    的頭像 發表于 01-02 18:10 ?1039次閱讀
    增芯<b class='flag-5'>12</b><b class='flag-5'>英寸</b>MEMS量產線首臺設備搬入!來自<b class='flag-5'>國產</b><b class='flag-5'>半導體</b>制造設備巨頭!

    6英寸β型氧化鎵單晶成功制備

    2023年12月,日本Novel Crystal Technology宣布采用垂直布里奇曼(VB)法成功制備出直徑6英寸的β型氧化鎵(β-Ga2O3)單晶。通過增加
    的頭像 發表于 12-29 09:51 ?1239次閱讀
    6<b class='flag-5'>英寸</b>β型氧化鎵<b class='flag-5'>單晶</b><b class='flag-5'>成功</b>制備