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• 發(fā)布了文章 2024-09-20 08:06

  功率半導體讓生活更美好

  

  功率半導體讓生活更美好

  功率半導體 電力電子 電機驅動

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• 發(fā)布了文章 2024-09-19 08:03

  新品 | 英飛凌無芯變壓器固態(tài)隔離器交流固態(tài)開關評估板

  

  新品英飛凌無芯變壓器固態(tài)隔離器交流固態(tài)開關評估板英飛凌固態(tài)隔離器高壓側不需要輔助電源供電就可以驅動功率晶體管，如CoolMOS、OptiMOS或TRENCHSTOPIGBT。英飛凌SSI系列提供快速開通/關斷、過流保護和過溫保護等控制功能，驅動功率半導體實現(xiàn)固態(tài)繼電器。產品特點評估板用于8引腳固態(tài)隔離器的快速評估和設計評估板為交流固態(tài)開關配置快速開通過流/過

  英飛凌 評估板 隔離器

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• 發(fā)布了文章 2024-09-14 08:04

  英飛凌助力奇點能源，打造高效可靠的工商業(yè)儲能解決方案

  

  近日，英飛凌宣布攜手西安奇點能源股份有限公司，將為其提供業(yè)界領先的1200V450AEconoDUAL3功率模塊，用于215kW工商業(yè)及源網(wǎng)側eblock儲能應用，依托于英飛凌TRENCHSTOPIGBT7創(chuàng)新的產品，助力奇點能源打造高可靠、高效率的儲能PCS系統(tǒng)。英飛凌推出的EconoDUAL3中功率IGBT模塊封裝，自面世以來，迅速贏得業(yè)界認可，成為市場

  IGBT 儲能 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2024-09-13 08:04

  英飛凌率先開發(fā)全球首項300mm氮化鎵功率半導體技術，推動行業(yè)變革

  

  ●憑借這一突破性的300mmGaN技術，英飛凌將推動GaN市場快速增長●利用現(xiàn)有的大規(guī)模300mm硅制造設施，英飛凌將最大化GaN生產的資本效率●300mmGaN的成本將逐漸與硅的成本持平英飛凌科技股份公司今天宣布，已成功開發(fā)出全球首項300mm氮化鎵（GaN）功率半導體晶圓技術。英飛凌是全球首家在現(xiàn)有且可擴展的大規(guī)模生產環(huán)境中掌握這一突破性技術的企業(yè)。這項

  半導體 氮化鎵 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2024-09-12 08:04

  直播預告 | 電氣隔離新勢力——英飛凌新型SSI系列固態(tài)隔離器的創(chuàng)新技術與應用設計

  

  英飛凌最新推出的SSI系列固態(tài)隔離器面向交流和直流固態(tài)繼電器、可編程邏輯控制器、智能樓宇和家庭自動化系統(tǒng)（溫控器、照明、供暖控制）、工業(yè)自動化和控制、儀器設備、電池管理系統(tǒng)、配電柜等等多個領域。其創(chuàng)新技術在兼顧可靠性和穩(wěn)定性的同時，并實現(xiàn)電路設計簡化和成本降低。通過研討會，您將了解：技術革新亮點：詳細介紹英飛凌最新固態(tài)隔離器的核心技術優(yōu)勢，以及在快速開通和關

  電氣 英飛凌 隔離器

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• 發(fā)布了文章 2024-09-10 08:03

  新品 | 6500V、1000A 單開關 IGBT 模塊 FZ1000R65KE4

  

  新品6500V、1000A單開關IGBT模塊FZ1000R65KE46500V1000A，190mmIHV單開關IGBT模塊采用IGBT4溝槽柵場終止技術，是HVDC-VSC、牽引和工業(yè)應用的最佳解決方案。產品特點低VCEsat碳化硅鋁基板存儲溫度低至-55°CCTI600應用價值實現(xiàn)緊湊型逆變器設計低功率損耗標準化封裝競爭優(yōu)勢高性能堅固可靠低功率損耗應用領

  IGBT 模塊 逆變器

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• 發(fā)布了文章 2024-09-05 08:03

  新品 | 采用第二代1200V CoolSiC™ MOSFET的集成伺服電機的驅動器

  

  新品采用第二代1200VCoolSiCMOSFET的集成伺服電機的驅動器REF-DR3KIMBGSIC2MA是為集成伺服電機的驅動器應用而開發(fā)的升級版逆變器和柵極驅動器板。設計用于評估采用TO-263-7封裝的第二代1200VCoolSiCMOSFET。采用IMBG120R040M2H作為三相逆變器板的功率開關。驅動電路采用了具有米勒鉗位功能的EiceDRI

  MOSFET 伺服電機 驅動器

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• 發(fā)布了文章 2024-09-04 08:02

  兩位IEEE Fellow授課│第三代半導體器件技術與應用高級研修班10月上海開班

  

  來源：內容來自中國電源學會01組織機構主辦單位：中國電源學會承辦單位：中國電源學會科普工作委員會、英飛凌-上海海事大學功率器件應用培訓和實驗中心、上海臨港電力電子研究院02培訓時間地點2024年10月11-13日中國(上海)自由貿易試驗區(qū)臨港新片區(qū)上海海事大學物流工程學院03培訓介紹培訓內容本課程旨在全面系統(tǒng)深入地介紹第三代功率半導體新技術的發(fā)展，重點講授碳

  半導體器件 氮化鎵 電力電子

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• 發(fā)布了文章 2024-09-03 08:02

  新品 | 600V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET系列

  

  新品600VCoolMOS8SJMOSFET系列英飛凌最新推出的600VCoolMOS8引領著全球高壓超級結MOSFET技術的發(fā)展，在全球范圍內樹立了技術和性價比標準。CoolMOS8是英飛凌新一代硅基MOSFET技術，旨在取代現(xiàn)有的高/低功率開關電源（SMPS）的CoolMOS7產品系列（包括P7、S7、CFD7、C7、G7和PFD7）。它也是CoolGa

  MOS MOSFET 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2024-08-30 12:25

  離網(wǎng)場景下SiC MOSFETs應用于三相四橋臂變流器的優(yōu)勢

  

  *本論文摘要由PCIM官方授權發(fā)布/摘要/工商業(yè)側儲能正以其經濟性，電網(wǎng)友好性等特點蓬勃發(fā)展，其中離網(wǎng)應用場景下，不平衡負載帶載能力，諧波畸變度等都是其PCS的重要指標。三相四橋臂（3P4L）變流器具有最強的不平衡負載能力，但對比三相三線（3P3W）系統(tǒng)，成本增加，諧波畸變度更高。SiCMOSFETs由于其優(yōu)越的材料特性與器件特性，相較IGBT可大幅提升開關

  MOSFET SiC 變流器

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