動(dòng)態(tài)
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發(fā)布了文章 2023-12-22 08:14
門極驅(qū)動(dòng)正壓對(duì)功率半導(dǎo)體性能的影響
/引言/對(duì)于半導(dǎo)體功率器件來說，門極電壓的取值對(duì)器件特性影響很大。以前曾經(jīng)聊過門極負(fù)壓對(duì)器件開關(guān)特性的影響，而今天我們來一起看看門極正電壓對(duì)器件的影響。文章將會(huì)從導(dǎo)通損耗，開關(guān)損耗和短路性能來分別討論。1對(duì)導(dǎo)通損耗的影響無論是MOSFET還是IGBT，都是受門極控制的器件。在相同電流的條件下，一般門極電壓用得越高，導(dǎo)通損耗越小。因?yàn)殚T極電壓越高意味著溝道反型391瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2023-12-21 08:14
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發(fā)布了文章 2023-12-16 08:14
SiC MOSFET用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)的優(yōu)勢(shì)在哪里
在我們的傳統(tǒng)印象中，電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)往往采用IGBT作為開關(guān)器件，而SiCMOSFET作為高速器件往往與光伏和電動(dòng)汽車充電等需要高頻變換的應(yīng)用相關(guān)聯(lián)。但在特定的電機(jī)應(yīng)用中，SiC仍然具有不可比擬的優(yōu)勢(shì)，他們是：1低電感電機(jī)低電感電機(jī)有許多不同應(yīng)用，包括大氣隙電機(jī)、無槽電機(jī)和低泄露感應(yīng)電機(jī)。它們也可被用在使用PCB定子而非繞組定子的新電機(jī)類型中。這些電機(jī)需要高開關(guān)618瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2023-12-11 17:31
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發(fā)布了文章 2023-12-09 08:14
感應(yīng)加熱原理與IGBT應(yīng)用拓?fù)浞治觯ㄉ希?/a>
經(jīng)常遇到很多同事和朋友問：為什么電磁爐和電飯煲要用到IGBT，這種應(yīng)用的IGBT需要有什么特點(diǎn)？今天我們就給大家詳細(xì)解釋感應(yīng)加熱的原理和感應(yīng)加熱的拓?fù)浞治觥Ｔ诶斫怆姶鸥袘?yīng)加熱的原理之前，先問自己一個(gè)問題，假如這個(gè)世界上沒有電磁爐，你要燒開一鍋水，會(huì)怎么做？最常見的方式，就是點(diǎn)燃爐灶，把鍋架在火上。圖1.傳統(tǒng)燃?xì)饧訜崛欢@種方法是間接的加熱方式，先由熱源加熱鍋1k瀏覽量 -
上傳了資料 2023-12-06 11:56
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上傳了資料 2023-12-06 11:54
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發(fā)布了文章 2023-12-02 08:14
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發(fā)布了文章 2023-12-01 08:14
英飛凌EiceDRIVER™技術(shù)以及應(yīng)對(duì)SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)的挑戰(zhàn)
碳化硅MOSFET導(dǎo)通損耗低，開關(guān)速度快，dv/dt高，短路時(shí)間小，對(duì)驅(qū)動(dòng)電壓的選擇、驅(qū)動(dòng)參數(shù)配置及短路響應(yīng)時(shí)間都提出了更高的要求。英飛凌零碳工業(yè)功率事業(yè)部產(chǎn)品工程師鄭姿清女士，在2023IPAC英飛凌工業(yè)功率技術(shù)大會(huì)上，發(fā)表了《英飛凌EiceDRIVER技術(shù)以及應(yīng)對(duì)SiCMOSFET驅(qū)動(dòng)的挑戰(zhàn)》的演講，詳細(xì)剖析了SiCMOSFET對(duì)驅(qū)動(dòng)芯片的需求，以及我們986瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2023-11-28 08:13
