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使用高性能場(chǎng)效應(yīng)晶體管的寬帶超高頻放大器電路圖
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場(chǎng)效應(yīng)晶體管的基礎(chǔ)知識(shí)
場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor，簡(jiǎn)稱(chēng)FET）是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。它的主要特點(diǎn)是具有輸入電阻高、噪聲低、功耗低等優(yōu)點(diǎn)。場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工作原理是基于電場(chǎng)效應(yīng)，即在柵極和源極之間施加一個(gè)控制電壓，使得溝道區(qū)域的載流子發(fā)生漂移，從而改變電流的導(dǎo)通狀態(tài)。
2023-09-28 17:10:46
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177一文詳解場(chǎng)效應(yīng)晶體管
在半導(dǎo)體器件的講解中，場(chǎng)效應(yīng)晶體管應(yīng)該說(shuō)最值得拿來(lái)詳細(xì)介紹一番的。
2023-09-28 09:31:04205
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功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管設(shè)計(jì)過(guò)程
功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管電參數(shù)指標(biāo)中規(guī)定的電參數(shù)一般分為三大類(lèi)：直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)。
2023-07-05 14:57:19185
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場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工作原理和結(jié)構(gòu)
場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor，簡(jiǎn)稱(chēng)FET)是一種半導(dǎo)體器件，它是一種基于電場(chǎng)效應(yīng)的三極管。與普通的三極管相比，場(chǎng)效應(yīng)晶體管的控制電流非常小，因此具有高輸入阻抗和低噪聲等優(yōu)點(diǎn)。
2023-05-17 15:15:372186
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場(chǎng)效應(yīng)晶體管的作用
場(chǎng)效應(yīng)晶體管是電壓控制元件，因此和普通雙極型晶體管相比，場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有輸入阻抗高、噪聲低、動(dòng)態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等特點(diǎn)，這就決定了場(chǎng)效應(yīng)晶體管與其它電子元件有異曲同工之妙。
2023-05-16 15:20:04769
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場(chǎng)效應(yīng)晶體管的分類(lèi)
場(chǎng)效應(yīng)晶體管是依靠一塊薄層半導(dǎo)體受橫向電場(chǎng)影響而改變其電阻（簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)），使具有放大信號(hào)的功能。這薄層半導(dǎo)體的兩端接兩個(gè)電極稱(chēng)為源和漏。控制橫向電場(chǎng)的電極稱(chēng)為柵。
2023-05-16 15:14:08669
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場(chǎng)效應(yīng)晶體管工作原理
場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種利用控制輸入電路的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出電路電流的半導(dǎo)體器件，并以此命名。因?yàn)樗灰揽堪雽?dǎo)體中的多數(shù)載流子來(lái)導(dǎo)電，所以又稱(chēng)為單極晶體管。場(chǎng)效應(yīng)晶體管英文是Field Effect Transistor，縮寫(xiě)為FET。
2023-05-16 15:02:23375
375場(chǎng)效應(yīng)晶體管分類(lèi)、結(jié)構(gòu)、測(cè)試、工作原理是什么
的焊接順序是漏極、源極、柵極。拆機(jī)時(shí)順序相反。（6）.電路板在裝機(jī)之前，要用接地的線夾子去碰一下機(jī)器的各接線端子，再把電路板接上去。（7）. MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極在允許條件下，最好接入保護(hù)二極管
2011-12-19 16:30:31
場(chǎng)效應(yīng)晶體管放大電路詳解
場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極、漏極和柵極分別相當(dāng)于晶體管的發(fā)射極、集電極和基極。對(duì)應(yīng)于晶體管放大電路，場(chǎng)效應(yīng)晶體管放大電路也有三種組態(tài)：共源極放大電路、共漏極放大電路和共柵極放大電路，其特點(diǎn)分別和晶體管放大電路中的共射極、共集電極、共基極放大電路類(lèi)似。
2022-11-30 09:30:001635
1635MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管使用注意事項(xiàng)_MOS場(chǎng)效應(yīng)管安裝及拆卸流程
MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在使用時(shí)應(yīng)注意分類(lèi)，不能隨意互換。MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管由于輸入阻抗高（包括MOS集成電路）極易被靜電擊穿，使用時(shí)應(yīng)注意以下規(guī)則。
2020-10-02 18:06:006720
6720場(chǎng)效應(yīng)晶體管的分類(lèi)說(shuō)明
場(chǎng)效應(yīng)晶體管根據(jù)其結(jié)構(gòu)的不同分類(lèi)，體管（金屬氧化物半導(dǎo)體型）兩大類(lèi)。可分為以下5種。可分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管與絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
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6615如何進(jìn)行場(chǎng)效應(yīng)晶體管的分類(lèi)和使用
場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。而MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型；P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類(lèi)。
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20場(chǎng)效應(yīng)晶體管的簡(jiǎn)單介紹
場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管，它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。
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103FET場(chǎng)效應(yīng)晶體管掃盲
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功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管的三個(gè)引腳符號(hào)
功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（VF）又稱(chēng)VMOS場(chǎng)效應(yīng)管。在實(shí)際應(yīng)用中，它有著比晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)管更好的特性。
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488051單片機(jī)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管詳細(xì)資料說(shuō)明
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18增強(qiáng)型和耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
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場(chǎng)效應(yīng)管作為開(kāi)關(guān)器件應(yīng)用類(lèi)似
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11575場(chǎng)效應(yīng)晶體管放大器
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