日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業(yè)界首款采用3.3mm x 3.3mm封裝以實現(xiàn)在4.5V柵極驅(qū)動下4.8mΩ最大導(dǎo)通電阻的20V P溝道MOSFET---Si7655DN。
2012-11-28 21:17:40
1439 英飛凌科技公司將“全球首次”使用口徑300mm的硅晶圓制造功率半導(dǎo)體。具體產(chǎn)品是有超結(jié)（Super Junction）構(gòu)造的功率MOSFET“CoolMOS系列產(chǎn)品”，由奧地利菲拉赫工廠生產(chǎn)。
2013-02-25 08:53:001733 Vishay宣布推出新款60 V TrenchFET?第四代n溝道功率MOSFET---SiSS22DN，業(yè)內(nèi)首款適用于標準柵極驅(qū)動電路的器件，10 V條件下最大導(dǎo)通電阻降至4 m?，采用熱增強型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-8S封裝。
2019-10-05 07:04:005406 OptiMOS SD 40 V低電壓功率 MOSFET 提供兩種版本：標準版和中央柵極版。中央柵極版針對多部裝置并聯(lián)作業(yè)進行了優(yōu)化。
2020-11-04 11:20:371482 【 2023 年 5 月 12 日，德國慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）推出 OptiMOS? 7 40V MOSFET 系列。作為英飛凌
2023-06-06 11:01:361028 
。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出先進的全新OptiMOS?功率MOSFET，進一步擴大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產(chǎn)品陣容，此舉旨在提供功率半導(dǎo)體行業(yè)標桿解決方案，在更小的封裝尺寸內(nèi)實現(xiàn)更高的效率和更加優(yōu)異的性能。新產(chǎn)品廣
2023-09-06 14:18:431207 
。 ? OptiMOS 7 功率MOSFET ? 該半導(dǎo)體產(chǎn)品組合包含最新的PQFN 3.3 x 3.3 mm2源極底置（Source-Down）封裝，標準門級和門級居中
2023-12-12 18:04:37494 
7引腳封裝的1200 V CoolSiC? MOSFET （一種表面貼裝器件）。它將三個應(yīng)用整合在一起，在一個尺寸僅為425 x 865 x 160 mm3的緊湊封裝中實現(xiàn)了三個一系統(tǒng)的設(shè)計，具有重要
2022-08-09 15:17:41
、攝像連接及其他的對 ESD 敏感的電路所需的靜電放電保護。ESD3.3V88D-LA特性：0402 小封裝 1.0mm x 0.6mm x 0.5mm單向單路防護低的容值、低漏流及低箝位電壓IEC
2017-07-25 16:15:41
描述PMP6753 參考設(shè)計可通過寬范圍 18V-60V 電信輸入提供 3.3V 25A 的電源，效率達 94% 以上。該設(shè)計采用 UCC2897A 有源鉗位控制器和德州儀器 (TI) 的 NexFET 功率 MOSFET 進行同步整流。
2018-12-10 11:25:25
24V轉(zhuǎn)3.3V穩(wěn)壓芯片24V轉(zhuǎn)3.3V穩(wěn)壓芯片24V轉(zhuǎn)3.3V穩(wěn)壓芯片24V轉(zhuǎn)3.3V穩(wěn)壓芯片PW2312是一個高頻，同步，整流，降壓，開關(guān)模式轉(zhuǎn)換器內(nèi)部功率MOSFET。它提供了一個非常緊湊
2021-01-22 09:35:12
`描述This reference design generates an isolated 2W dual output (+3.3V & -3.3V) from AC
2015-03-12 10:29:05
3.6V轉(zhuǎn)3.3V，想加個二極管求指教什么型號的鍺管，什么封裝，最好是0603的封裝。謝謝了
2019-04-23 04:18:08
3.9*3.3mm Elliptical Wide Angle LED封裝尺寸及參數(shù)說明產(chǎn)品說明：ChipMaterial:GaNEmitted Color:Whiteλσ（nm）:Lens
2008-09-28 17:53:44
@ 1MHz工作溫度-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型表面貼裝型封裝/外殼0402（1006 公制）供應(yīng)商器件封裝X1-DFN1006-2 3.3 V 1 Channel?ESD?抑制器
2020-05-06 10:56:03
，希望能夠幫助客戶更安全合理的使用3.3kV系列模塊產(chǎn)品。英飛凌作為全球最大的功率半導(dǎo)體廠商，總部位于德國慕尼黑，可以提供從發(fā)電、輸電到用電整個鏈條所需的功率半導(dǎo)體和功率模塊。英飛凌科技（中國）有限公司
2018-12-06 10:06:18
單片機是STC15L104W,MOS管是HUF75307D,用3.6V的3節(jié)充電電池接上后MOS管一直導(dǎo)通,不受單片機控制,燈珠是3.3V 3W的大功率燈珠
2019-09-18 03:45:09
的MOSFET設(shè)計，就無法做到這一點。2006年，英飛凌為了滿足客戶的要求，推出了OptiMOS? 2 100 V MOSFET[1]。它是該電壓等級里采用電荷補償技術(shù)的第一個功率MOSFE器件。相對于傳統(tǒng)
2018-12-07 10:21:41
時，從結(jié)點到PCB的熱阻僅為1.8°C/W。圖1 PQFN底側(cè)裸熱焊盤改善電氣和熱性能 在封裝內(nèi)，兩種可能的技術(shù)都可以被用來創(chuàng)建從裸片到封裝端子之間的MOSFET源連接。利用標準后端冷卻方式來連接
2018-09-12 15:14:20
XLLGA-3到D2Pak和TO-220封裝不等。MOSFET額定電壓范圍從12 V至200 V以上。功率MOSFET用于便攜式設(shè)備如手機和平板電腦。它們也用于計算機、服務(wù)器、電動工具和汽車。選擇合適
2018-10-18 09:13:03
功率MOSFET的結(jié)構(gòu)特點為什么要在柵極和源極之間并聯(lián)一個電阻呢？
2021-03-10 06:19:21
`功率Mosfet參數(shù)介紹V(BR)DSS（有時候叫做BVDSS）是指在特定的溫度和柵源短接情況下，流過漏極電流達到一個特定值時的漏源電壓。這種情況下的漏源電壓為雪崩擊穿電壓。V(BR)DSS是正
2012-01-12 16:12:20
。 特別是，封裝源極寄生電感是是器件控制的關(guān)鍵因素。在本文中，英飛凌提出了一種用于快速開關(guān)超結(jié)MOSFET的最新推出的TO247 4引腳器件封裝解決方案。這個解決方案將源極連接分為兩個電流路徑；一個用于
2018-10-08 15:19:33
，從而在不改變封裝體積的情況下提高輸出功率。另一個普遍的希望是，能夠最終避免采用插件封裝的器件（比如TO220、TO247）。阻斷電壓為40V和60V的最新一代英飛凌MOSFET，如今可滿足設(shè)計工
2018-12-06 09:46:29
導(dǎo)讀：近日，英飛凌宣布推出700瓦L波段射頻功率晶體管。該晶體管具備業(yè)界最高的L波段輸出功率（700瓦），適用于工作頻率范圍為1200 MHz~1400 MHz的雷達系統(tǒng)。這種新型器件可通過減少
2018-11-29 11:38:26
DN331 - 25μV 微功率雙路運算放大器安裝在 3mm x 3mm 的封裝中
2019-07-08 09:49:29
員所需要的。飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor簡稱FAI)推出的FDMC8010 30V Power 33 MOSFET（尺寸3.3mm x 3.3mm 外形PQFN）此款
2012-04-28 10:21:32
Hittite推出集成VCO的新型3.3V寬帶PLL
2019-06-03 09:29:18
技術(shù),是該公司首批采用5x6mm PQFN封裝、優(yōu)化銅片和焊接片芯的器件。IRFH6200TRPbF20V器件可實現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的RDS(on),在4.5V Vgs下,最高僅為<br/&
2010-05-06 08:55:20
LC03- 3.3低電容3.3V高速接口電壓TVSLC03- 6低電容TVS用于高速數(shù)據(jù)接口大功率低容值瞬變二極管陣列瞬態(tài)電壓抑制元件LC03-3.3，LC03-6LC Series 18 V
2020-04-24 14:00:17
擊穿電壓范圍：20V~30V；Id-連續(xù)漏極電流范圍：3A~30A；功率耗散：1W~20W封裝形式：DFN1006-3，HSMT8（3.3x3.3），DFN2020-8S，DFN2020-8D，SOT-346T，SOT-363T，SOT-457T和TSMT8應(yīng)用：電機應(yīng)用；電動牙刷；電動剃須刀`
2021-02-02 09:55:16
`優(yōu)恩半導(dǎo)體目前推出低電壓、小封裝、超低容值的ESD靜電二極管ESD3.3V88D-LA。該款器件主要用來保護敏感的電子產(chǎn)品（汽車電子、消費類電子），使其免于受到ESD 高達 IEC
2017-03-30 15:05:15
系列 3.3 V 500 mW 表面貼裝 硅 齊納 二極管 - SOD-123規(guī)格電壓 - 齊納（標稱值）(Vz)3.3V容差±5%功率 - 最大值500mW不同 Vr 時電流 - 反向泄漏7.5
2020-12-16 14:54:38
`SOD323 大功率保護TVS二極管TVS二極管，適用于浪涌和ESD保護應(yīng)用，采用SOD323封裝。單向TVS二極管非常適合用于保護數(shù)據(jù)線路和直流電源。這款500W、5V、符合用于需要
2020-03-23 14:06:26
，TO-247-4這種帶輔助源極管腳的封裝形式對碳化硅MOSFET這種高速功率開關(guān)帶來的優(yōu)勢。 02 從數(shù)據(jù)的角度去分析共源雜散電感對開關(guān)損耗的影響 （1）雙脈沖測試時的重要注意事項---電流探頭的相位
2023-02-27 16:14:19
/DC開關(guān)電源的設(shè)計開發(fā)。2009年加入英飛凌科技（中國）有限公司。任系統(tǒng)應(yīng)用工程師，負責英飛凌功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用和方案推廣。演講內(nèi)容介紹：英飛凌新的OptiMOS產(chǎn)品為MOSFET分離器件設(shè)立了一個
2012-07-13 10:50:22
全球知名的半導(dǎo)體廠商羅姆(ROHM)公司推出了一款內(nèi)部集成高額定電壓的功率MOSFET的電流模式同步降壓轉(zhuǎn)換器——BD9V101MUF-LB，它可以保證在工業(yè)市場長期支持。該芯片通過納米脈沖控制技術(shù)
2019-04-01 06:20:06
的封裝內(nèi)采用更高性能的MOSFET，業(yè)內(nèi)的一個趨勢是從SO-8等標準引線封裝向帶有底面漏極焊盤的功率封裝轉(zhuǎn)變。對于大電流應(yīng)用，常用的是功率6mmx 5mm封裝，例如PowerPAK? SO-8。但對
2013-12-23 11:55:35
3.3V 應(yīng)用，所選 MOSFET 的額定導(dǎo)通電阻應(yīng)針對 3V 或更小的柵極驅(qū)動電壓。例如，對于具有 3.3V 驅(qū)動的100 mA負載，額定漏極電流為250 μA的FET在柵極 - 源極施加 1V 電壓
2019-09-10 16:38:10
的能力。對于 3.3V 應(yīng)用，所選 MOSFET 的額定導(dǎo)通電阻應(yīng)針對 3V 或更小的柵極驅(qū)動電壓。例如，對于具有 3.3V 驅(qū)動的100 mA負載，額定漏極電流為250 μA的FET在柵極 - 源極施加
2021-05-09 06:30:00
5V，因此想通過IO口的高低電平設(shè)置來控制那個器件電壓的供給。有什么好的解決方案？下面是實現(xiàn)方式之一，不過存在問題：如何外接三極管來控制 ，下圖中，P1.0為什么不能置低？當P1.0為3.3V時，Vic電壓是多少？
2023-04-18 10:27:07
如何用PQFN封裝技術(shù)提高能效和功率密度？
2021-04-25 07:40:14
：3.3V →5V直接連接技巧六：3.3V→5V使用MOSFET轉(zhuǎn)換器技巧七：3.3V→5V使用二極管補償技巧八：3.3V→5V使用電壓比較器技巧九：5V→3.3V直接連接技巧十：5V→3.3V使用二極
2019-09-03 10:47:49
進一步提升效率。BSZ0909ND是英飛凌針對無線充電應(yīng)用而推出的產(chǎn)品，把2個N-MOS集成在一個3.3*3.3mm的封裝里，可以有助于小型化設(shè)計，以及降低整體BOM成本。電路示意圖： 實物圖片
2018-05-17 20:05:42
求大神推薦幾個LDO，輸入5v輸出3.3v 500mA 封裝SOT-25/SOT23-5
2017-05-22 14:42:20
`海飛樂技術(shù)現(xiàn)貨替換IXFH150N25X3場效應(yīng)管制造商: IXYS 產(chǎn)品種類: MOSFET RoHS: 詳細信息 技術(shù): Si 安裝風格: Through Hole 封裝 / 箱體
2020-03-09 15:32:12
`海飛樂技術(shù)現(xiàn)貨替換IXFN170N25X3場效應(yīng)管制造商: IXYS 產(chǎn)品種類: MOSFET RoHS: 詳細信息 技術(shù): Si 安裝風格: Chassis Mount 封裝 / 箱體
2020-03-19 16:29:21
`海飛樂技術(shù)現(xiàn)貨替換IXFP60N25X3場效應(yīng)管制造商: IXYS 產(chǎn)品種類: MOSFET RoHS: 詳細信息 技術(shù): Si 安裝風格: Through Hole 封裝 / 箱體
2020-03-20 17:12:51
. 由于其體積小和雙向設(shè)計, 因此非常適用于需要音頻線路保護的手機, MP3播放器和便攜式應(yīng)用.DC3321D5的參數(shù)：封裝：SOD-523 電壓：3.3V鉗位電壓：6.5V容值：12.5pF 功率
2020-05-29 14:23:13
，就可以將效率提高0.4%。這種消耗的降低，來源于更低的封裝電阻和低至約1nH的極低封裝電感。對應(yīng)于40V、60V和80V的電壓等級，OptiMOS 3的漏極-源極通態(tài)電阻RDS(on)分別為1.8m
2018-12-07 10:23:12
ST25R3911B-disco板使用5V VDD。你能用3.3V的VDD，使用3.3V有什么缺點嗎？ ＃st25r3911b-VDD以上來自于谷歌翻譯以下為原文
2019-07-29 16:53:07
使用三極管或者二極管實現(xiàn)裝著藍牙模塊的小板子能夠和3.3v或者5v的MCU進行通訊。哪個大神可以給一個可以用的電路圖，最好有圖紙和三極管器件型號。
2018-06-10 19:39:48
英飛凌推出200V和250V OptiMOS系列器件
英飛凌科技股份公司近日宣布推出200V和250V OptiMOSTM系列器件，進一步擴大OptiMOSTM產(chǎn)品陣容。全新200V和250V器件適用于48V系統(tǒng)
2010-01-26 09:22:57827 英飛凌推出25V OptiMOS調(diào)壓MOSFET和DrMOS系列
為提高計算和電信產(chǎn)品的能效，英飛凌科技股份公司近日宣布，公司將在2010年應(yīng)用電力電子會議和產(chǎn)品展示
2010-03-01 11:20:47731 采用PQFN封裝的MOSFET 適用于ORing和電機驅(qū)動應(yīng)用
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列新型HEXFET功率MOSFET，其中包括能夠提供業(yè)界最低導(dǎo)通電阻 (R
2010-03-12 11:10:071235 用于高壓功率MOSFET的全新無管腳SMD封裝ThinPAK 8x8
英飛凌科技股份公司近日推出適用于高壓功率MOSFET的全新無管腳SMD封裝ThinPAK 8x8。新封裝的占板空間
2010-05-12 18:17:18951 基于英飛凌適用于功率MOSFET的功能強大的第二代溝槽技術(shù)，OptiMOS-T2器件成為大電流汽車電機驅(qū)動應(yīng)用、電動助力轉(zhuǎn)向（EPS）系統(tǒng)和汽車啟停系統(tǒng)的理想解決方案。
出于成
2010-08-09 09:08:22557 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列25 V及30 V器件，采用了IR最新的HEXFET MOSFET硅器件和新款高性能PQFN 3x3封裝，為電信、網(wǎng)絡(luò)通信和高端臺式機及筆記本電
2010-11-24 09:14:351506 用改進的PQFN器件一對一替換標準SO-8 MOSFET可提升總體工作效率。電流處理能力也能夠得以增強，并實現(xiàn)更高的功率密度。在以并聯(lián)方式使用的傳統(tǒng)MOSFET應(yīng)用中，采用增強型封裝(如PQFN和DirectFET)的最新一代器件可用單個組件代替一個并聯(lián)的組件對。
2011-03-09 09:13:025987 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴展其封裝系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技術(shù)
2011-06-16 09:35:042537 IR擴展其封裝系列，推出PQFN 4mm x 4mm封裝。IR最新的高壓柵級驅(qū)動IC采用該封裝，為家用電器、工業(yè)自動化、電動工具和替代能源等一系列應(yīng)用提供了超緊湊、高密度和高效率的解決方案
2011-06-29 09:07:191134 英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用先進溝道工藝制造的全新單P溝道40V汽車電源MOSFET產(chǎn)品系列。全新的40V OptiMOS P2產(chǎn)品為能效改進、碳減排和成本節(jié)約樹立了行業(yè)新標桿，從而進一步
2011-09-13 08:33:16692 英飛凌科技推出采用先進溝槽技術(shù)制程的最新單一P通道40V汽車電源MOSFET系列產(chǎn)品。新型40V OptiMOS P2產(chǎn)品為提升能源效率、減少CO2排放及節(jié)省成本設(shè)立新的基準
2011-09-28 19:35:41648 英飛凌科技股份公司(FSE：IFX / OTCQX：IFNNY)宣布推出汽車封裝類型的合格100%無鉛功率MOSFET
2011-12-08 10:42:451013 飛兆半導(dǎo)體公司和英飛凌科技宣布進一步擴展封裝兼容合作伙伴關(guān)系，擴展協(xié)議將包括5x6mm非對稱結(jié)構(gòu)功率級雙MOSFET封裝。
2012-02-09 09:18:22807 e絡(luò)盟日前宣布新增來自全球半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案領(lǐng)先提供商英飛凌的CoolMOS?與OptiMOS?系列產(chǎn)品，進一步擴充其功率MOSFET產(chǎn)品組合。
2015-03-02 17:37:381390 2015年3月24日，德國慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）今日推出了OptiMOS? 5 25V和30V產(chǎn)品家族，它們是采用標準分立式封裝的新一代功率MOSFET。
2015-04-01 14:06:081313 MCP87130 是采用常見的 PDFN 5 mm x 6 mm 封裝和
PDFN 3.3 mm x 3.3 mm 封裝的 N 溝道功率 MOSFET。
MCP87130 利用先進的封裝和硅片
2018-06-29 11:23:00
2 MCP87090 是采用常見的 PDFN 5 mm x 6 mm 封裝和
PDFN 3.3 mm x 3.3 mm 封裝的 N 溝道功率 MOSFET。
MCP87090 利用先進的封裝和硅片
2018-07-02 10:23:0010 MCP87055 器件是采用常見的 PDFN 3.3 mm x 3.3 mm
封裝的 N 溝道功率 MOSFET。先進的封裝和硅片加工技
術(shù)使 MCP87055 可以在給定 RDS
2018-06-29 10:24:005 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 擴展其封裝系列，推出PQFN 4mm x 4mm封裝。IR最新的高壓柵級驅(qū)動IC采用
2018-11-13 16:26:191658 最小的0.8mm x 0.8mm芯片級封裝的N溝道和P溝道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N溝道Si8802DB和P溝道Si8805EDB TrenchFETreg
2019-01-01 16:29:01380 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ti)LTC1517-3.3相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有LTC1517-3.3的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，LTC1517-3.3真值表，LTC1517-3.3管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2019-02-22 13:42:34
SuperSO8封裝：OptiMOS 5 150V功率MOSFET此次提供了尺寸更小的SuperSO8封裝，堪稱封裝界的best-in-class級別，相比于TO-220封裝，SuperSO8將在減少封裝電感的基礎(chǔ)上進一步增大功率密度、減少漏源電壓V DS的尖峰。
2019-09-25 10:28:174535 
威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是為提高功率轉(zhuǎn)換拓撲中的功率密度和效率而設(shè)計。它們采用3.3x3.3mm緊湊型PowerPAK 1212-8S封裝，可提供低于2mΩ級別中的最低輸出電容(Coss)。儒卓力在電子商務(wù)網(wǎng)站上供應(yīng)這款MOSFET器件。
2020-02-20 10:27:382779 LTC1517-3.3：5針SOT-23封裝中的微功耗、調(diào)節(jié)3.3V電荷泵數(shù)據(jù)表
2021-05-20 10:24:395 新型 30 V n 溝道 TrenchFET?第五代功率 MOSFET，提升隔離和非隔離拓撲結(jié)構(gòu)功率密度和能效。 Vishay Siliconix?SiSS52DN?采用熱增強型 3.3 mm
2021-05-28 17:25:572153 V條件下最大導(dǎo)通電阻降至4 mW，采用熱增強型3.3 mm * 3.3 mm PowerPAK? 1212-8S封裝。SiSS22DN專門用于提高功率轉(zhuǎn)換拓撲結(jié)構(gòu)的效率和功率密度，柵極電荷僅為22.5 nC，...
2021-12-05 10:21:115 英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出了新一代OptiMOS? 源極底置（Source-Down，簡稱SD）功率MOSFET，為解決終端應(yīng)用中的設(shè)計挑戰(zhàn)提供切實可行的解決方案。
2022-02-15 13:51:382073 
英飛凌科技近日推出了全新的采用PQFN 2 x 2 mm2 封裝的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET產(chǎn)品系列，旨在為分立功率MOSFET技術(shù)樹立全新的行業(yè)標準。
2022-03-14 17:39:161651 
OptiMOS 已經(jīng)成為采用英飛凌獨特技術(shù)的中低耐壓 MOSFET 的商標，有多種耐壓、RDS(on)、封裝，適用于汽車和消費類應(yīng)用。英飛凌在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的市場占有率位居全球第一，特別是在汽車
2022-08-19 15:05:053319 使用 OptiMOS? 6 MOSFET 優(yōu)化電源設(shè)計
2022-12-29 10:02:53785 
采用 LFPAK88 封裝的 NextPower 100 V、3.3 mOhm、180 A、N 溝道 MOSFET-PSMN3R3-100SSF
2023-02-08 19:25:250 未來電力電子系統(tǒng)的設(shè)計將持續(xù)推進，以實現(xiàn)最高水平的性能和功率密度。為順應(yīng)這一發(fā)展趨勢，英飛凌科技有限公司推出了全新的3.3 x 3.3 mm2 PQFN 封裝的源極底置功率MOSFET，電壓范圍涵蓋
2023-02-16 16:27:22758 TO-220 封裝的 N 溝道 80 V、3.3 mΩ 標準電平 MOSFET-PSMN3R3-80PS
2023-02-22 19:00:520 理由相信潮流正在轉(zhuǎn)變。正如TechInsights在不久前發(fā)布的PCIM Europe 2023 -產(chǎn)品公告和亮點博客[4]文章中所討論的那樣，英飛凌宣布推出采用3.3 kV SiC MOSFET芯片的CoolSiCTM XHPTM 2大功率模塊[5]。
2023-06-03 12:30:58382 
低電壓TVS瞬變抑制二極管在實際應(yīng)用中，很常用，比如3.3V、5V、6V、6.5V、7V、7.5V、8V、8.5V、9V等等。關(guān)于3.3V的TVS二極管，之前TVS廠家東沃電子（DOWOSEMI
2022-09-29 17:40:501689 
DFN82x3x0.4mm封裝的3.3V64MbitSPINORFlash產(chǎn)品XT25F64FDTIGT，滿足物聯(lián)網(wǎng)、智能穿戴、小型便攜設(shè)備等應(yīng)用對產(chǎn)品高度集成化、小型化
2022-11-22 14:40:34704 
英飛凌科技汽車 MOSFET 產(chǎn)品線高級副總裁 Axel Hahn 表示：“OptiMOS 7 40V MOSFET 系列將在功率密度、電流能力和芯片耐用性方面樹立新標桿。
2023-06-26 13:10:00302 
采用OptiMOS 7 技術(shù)的40V車規(guī)MOSFET產(chǎn)品系列，進一步提升比導(dǎo)通電阻，減小RDSON*A，即在同樣的晶圓面積下實現(xiàn)更低的RDSON，或者說在更小的晶圓面積下實現(xiàn)相同的RDSON。
2023-07-03 16:11:12678 
全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進一步優(yōu)化了用于高性能設(shè)計的成熟OptiMOS技術(shù)。新產(chǎn)品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝，具備先進的硅技術(shù)、穩(wěn)定可靠的封裝與極低的熱阻（RthJC最大值為3.2 K/W）。
2023-10-13 16:25:12518 MOS場效應(yīng)管DFN3.3X3.3-8L30V25A
2022-09-23 17:59:370 英飛凌推出業(yè)內(nèi)首款采用全新 OptiMOS 7 技術(shù)的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項技術(shù)經(jīng)過系統(tǒng)和應(yīng)用優(yōu)化，主要應(yīng)用于服務(wù)器和計算應(yīng)用中的低輸出電壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49363 
2024年1月4日，致力于亞太地區(qū)市場的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布其旗下品佳推出基于英飛凌（Infineon）XMC4200微控制器和CFD7 CoolMOS MOSFET的3.3KW高功率密度雙向相移全橋方案。
2024-01-05 09:45:01227 
MOSFET集成在緊湊的3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR? 3 x 3FS單體封裝中，為工業(yè)和通信應(yīng)用的功率轉(zhuǎn)換帶來了顯著的性能提升。
2024-03-12 10:32:0294
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