為滿足電動汽車市場的需求，英飛凌推出了全新的650V CoolMOS? SJ功率 MOSFET CFD7A系列。這一產品經過專門優化，可以滿足電動汽車應用 （如車載充電器、HV-LV DC-DC 轉換器和輔助電源）的要求。
2020-05-31 09:15:36
1509 科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出了650 V CoolSiCTM?MOSFET系列新產品。該產品具有高可靠性、易用性和經濟實用等特點，能夠提供卓越的性能。這些SiC器件采用了英飛凌先進的SiC溝槽工藝、緊湊的D2PAK 表面貼裝7引腳封裝和.XT互連技術
2022-03-31 18:10:574794 
新款 CoolSiC Hybrid產品系列結合了650 V TRENCHSTOP? 5 IGBT技術和碳化硅肖特基二極管的主要優點，具備出色的開關速度和更低的開關損耗，特別適用于 DC-DC 功率變換器和PFC電路。
2021-08-06 15:40:471728 
英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管（TO247-3pin和TO-247-4pin）。用最新的650V/SiC/G6/SBD續流二極管，取代了傳統Si的Rapid1快速續流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片（S5/H5），進一步優化了系統效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2021-08-31 10:38:421942 
有了全面的提升。 ? 性能全方面提升 ? 英飛凌在2017年正式推出了第一代溝槽柵SiC MOSFET，即CoolSiC MOSFET G1。在CoolSiC MOSFET G1中，英飛凌采用溝槽
2024-03-19 18:13:181494 
電池充電，還能作為意外停電時的備用電源，以及高效綠色能源發電設備的核心組件。該雙向逆變器搭載了英飛凌的****1200 V M1H CoolSiC? EasyPACK? 1B模塊 和采用 D2PAK
2022-08-09 15:17:41
功率密度。得益于此，英飛凌率先將40 A 650V IGBT和40 A二極管組合到D2PAK封裝中。較之競爭對手的D2PAK封裝產品，這個新的產品家族的額定參數高于市場上的所有其他產品，其他組合封裝
2018-10-23 16:21:49
SJ MOSFET是一種先進的高電壓功率MOSFET，根據P&S的超結原理。報價設備提供了快速切換的所有好處并且導通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
0前言家用逆變焊機因其體較小，操作方便，市場接受度逐步提高。因市電220V輸入的特點，一般采用600V/650V規格的IGBT作為逆變主功率器件。IGBT (Insulated Gate
2014-08-13 09:25:59
可靠性是什么？充實一下這方面的知識 產品、系統在規定的條件下，規定的時間內，完成規定功能的能力稱為可靠性。 這里的產品可以泛指任何系統、設備和元器件。產品可靠性定義的要素是三個“規定”：“規定
2015-08-04 11:04:27
、元器件產品、失效分析中如何確定環境應力第三章 產品可靠性能檢驗基礎知識、產品的壽命規律及常用分布、可靠性試驗數據的分析與處理、常用失效分析與儀器簡介、電子元器件失效率鑒定試驗六、高級證培訓鑒定費用
2010-08-27 08:25:03
電子可靠性資料匯編內容： 降額設計規范；電子工藝設計規范；電氣設備安全通用要求設計規范 ；嵌入式
2010-10-04 22:31:56
工作納入產品研制（生產）的正常的技術計劃渠道，在進行每一項技術工作的同時，權衡性能與可靠性，才能把高可靠性“注入”到產品中去，才能最終達到性能、可靠性、進度、經費的綜合最佳效果。7.3.3 可靠性
2009-05-24 16:49:57
AD7981是什么？AD7981有什么特性？AD7981有哪些應用實例？AD7981是如何在極端溫度下實現突破性能和可靠性的？
2021-05-17 07:17:52
CoolMOS CFD2系列，具有快速的體二極管，低Coss，高達650V的擊穿電壓，使LLC拓撲開關電源具有更高的效率和可靠性。 參考文獻：1. Gary Chang “Why choose
2018-12-05 09:56:02
作者：Sandeep Bahl 最近，一位客戶問我關于氮化鎵（GaN）可靠性的問題：“JEDEC（電子設備工程聯合委員會）似乎沒把應用條件納入到開關電源的范疇。我們將在最終產品里使用的任何GaN器件
2018-09-10 14:48:19
SiC MOS器件的柵極氧化物可靠性的挑戰是，在某些工業應用給定的工作條件下，保證最大故障率低于1 FIT，這與今天的IGBT故障率相當。除了性能之外，可靠性和堅固性是SiC MOSFET討論最多
2022-07-12 16:18:49
家公司已經建立了SiC技術作為其功率器件生產的基礎。此外，幾家領先的功率模塊和功率逆變器制造商已為其未來基于SiC的產品的路線圖奠定了基礎。碳化硅（SiC）MOSFET即將取代硅功率開關;性能和可靠性
2019-07-30 15:15:17
問題。（※在SBD和MOSFET的第一象限工作中不會發生這類問題）ROHM通過開發不會擴大堆垛層錯的獨特工藝，成功地確保了體二極管通電的可靠性。在1200V 80Ω的第二代SiC MOSFET產品中，實施了
2018-11-30 11:30:41
進行半導體元器件的評估時，電氣/機械方面的規格和性能當然是首先要考慮的，而可靠性也是非常重要的因素。尤其是功率元器件是以處理較大功率為前提的，更需要具備充分的可靠性。SiC-SBD的可靠性SiC作為
2018-11-30 11:50:49
strcpy()函數標準該如何去實現呢？TCP協議如何保證可靠性呢？
2021-12-24 06:10:04
；TSD5N60MTruesemi 其它相關產品請 點擊此處 了解特性：3.0A，650V，最大RDS（on）= 3.0Ω@ VGS = 10V低柵極電荷（典型值為16nC）快速切換經過100％雪崩測試改進的dv/dt功能主要參數：應用：高效開關模式電源，基于半橋拓撲的有源功率因數校正`
2020-04-30 15:13:55
電子可靠性資料匯編內容： 降額設計規范；電子工藝設計規范；電氣設備安全通用要求設計規范 ；嵌入式
2010-10-04 22:34:14
、團隊素質”等一系列影響因子。因此，評估PCB是否具備“高可靠性”需要深度確認工廠的下列管控項目是否已經完全受控。1.預防機制1)工程設計：客戶要求識別、信息化管理、自動化作業、專業化技能；設計標準
2020-07-03 11:09:11
。對于產品來說，可靠性是產品性能得以發揮的保證，如果產品不可靠，技術性能即使再好也得不到發揮。“產品可靠性”就等同于產品靠不靠譜！換言之，“高可靠性”指的是產品壽命更長，并且在產品生命周期內很少
2020-07-08 17:10:00
控“工程設計、生產物料、制造設備、流程工藝、品保設施、生產環境、管理體系、團隊素質”等一系列影響因子。因此，評估PCB是否具備“高可靠性”需要深度確認工廠的下列管控項目是否已經完全受控。1.預防機制1)工程設計
2020-07-03 11:18:02
一定的短路能力。下表是派恩杰半導體部分產品短路能力：表1 1200V/650V MOSFET器件短路耐量派恩杰半導體針對柵極的可靠性是嚴格按照AEC-Q101標準進行，在柵極分別加負壓和正壓（-4V
2022-03-29 10:58:06
基于行業標準、國家標準的可靠性測試方法企業設計的可靠性測試方法
2021-03-08 07:55:20
組成，只適用于某一領域中的硬件系統設計。基于硬件平臺設計的應用系統有基本的可靠性保證。一個良好的硬件平臺應具備：標準化、系列化、規范化設計的電路系統；柔性特性的基本應用系統體系結構；豐富的軟件支持
2021-01-11 09:34:49
可靠性設計是單片機應甩系統設計必不可少的設計內容。本文從現代電子系統的可靠性出發，詳細論述了單片機應用系統的可靠性特點。提出了芯片選擇、電源設計、PCB制作、噪聲失敏控制、程序失控回復等集合硬件系統
2021-02-05 07:57:48
。 BM1Pxxx支持隔離和非隔離器件，可以更簡單地設計各種類型的低功耗電氣轉換器。 BM1Pxxx內置高壓啟動電路，可承受650V電壓，有助于降低功耗
2020-08-14 06:52:48
MOSFET 寄生特性都比硅MOSFET為好。但是，這種技術確實能夠提供許多優勢，加上在硬開關應用中的牢固性，使其值得在更高效電源轉換應用中考慮采用。650V CoolSiC系列的推出令這些優勢更加明顯，從而
2023-03-14 14:05:02
為了FPGA保證設計可靠性, 需要重點關注哪些方面？
2019-08-20 05:55:13
高可靠性系統設計包括使用容錯設計方法和選擇適合的組件，以滿足預期環境條件并符合標準要求。本文專門探討實現高可靠性電源的半導體解決方案，這類電源提供冗余、電路保護和遠程系統管理。本文將突出顯示，半導體技術的改進和新的安全功能怎樣簡化了設計，并提高了組件的可靠性。
2021-03-18 07:49:20
`請問如何提高PCB設計焊接的可靠性？`
2020-04-08 16:34:11
PMU的原理是什么？如何提高數據采集系統的實時性與可靠性？
2021-05-12 06:45:42
。因此，硬件可靠性設計在保證元器件可靠性的基礎上，既要考慮單一控制單元的可靠性設計，更要考慮整個控制系統的可靠性設計。
2021-01-25 07:13:16
BM2P033 PWM AC / DC變換器的典型應用電路。用于AC / DC的PWM型（BM2PXX3）為包含電源插座的所有產品提供了最佳系統。 BM2PXX3支持隔離和非隔離器件，可以更簡單地設計各種類型的低功耗電氣轉換器。 BM2PXX3內置高壓啟動電路，可承受650V電壓，有助于實現低功耗
2020-06-05 09:15:07
摘要：工業電器自動化設備的限位開關、微型開關的使用漸漸趨向于靈活、方便和高薪科技的方向發展，以至于被接近開關傳感器所取代并廣泛使用。通過可靠性試驗研究，獲得最優化數據參數，顯示其使用的優越性
2018-11-13 16:28:52
650V耐壓的buck電路夠不夠用
2023-08-01 14:38:42
可靠性相關理論對現場返還數據進行分解與建模分析，獲得一個融合了產品設計能力、使用環境、工藝水平、制造能力、檢測能力以及質量管理水平的產品失效率模型，并建立了一套符合無線通信產品研發生產過程各項可靠性
2019-06-19 08:24:45
用于AC/DC變換器應用的新型650V GaNFast半橋IC(氮化鎵)
2023-06-19 07:57:31
我想問一下高速電路設計，是不是只要做好電源完整性分析和信號完整性分析，就可以保證系統的穩定了。要想達到高的可靠性，要做好哪些工作啊？在網上找了好久，也沒有找到關于硬件可靠性的書籍。有經驗的望給點提示。
2015-10-23 14:47:17
。 總結 與硅替代品相比，SiC MOSFET 具有一系列優勢，再加上其在硬開關應用中的魯棒性，使其值得在最有效的功率轉換應用中加以考慮。650 V CoolSiC 系列的推出使 SiC? MOSFET 技術在經濟上更加可行，適合那些將功率轉換推向極限的用戶。
2023-02-23 17:11:32
650 V CoolSiC?混合分立器件，該器件包含一個50A TRENCHSTOP? 快速開關 IGBT 和一個 CoolSiC 肖特基二極管，能夠提升性價比并帶來高可靠性。這種組合為硬開關拓撲
2021-03-29 11:00:47
剛剛接觸PCBA可靠性，感覺和IC可靠性差異蠻大，也沒有找到相應的測試標準。請問大佬們在做PCBA可靠性時是怎么做的，測試條件是根據什么設定？
2023-02-15 10:21:14
相比特性非常優異。BUxxJA2MNVX-C系列是實現了近年來車載用電源IC所要求的小型、低功耗、高性能、高可靠性LDO穩壓器。相關文章 重點必看安裝面積比同等產品少55％，支持AEC-Q100
2018-12-04 10:13:49
時間內（由600V IGBT3的6微秒增至650V IGBT4的10微秒），該器件具備出類拔萃的開關性能和短路魯棒性。結論利用英飛凌新型650V IGBT4可開發出專用于大電流應用的逆變器設計，以部署
2018-12-07 10:16:11
摘要新一代CoolMOS? 650V CFD2技術為具備高性能體二極管的高壓功率MOSFET樹立了行業新桿標。該晶體管將650V的擊穿電壓、超低通態電阻、低容性損耗特性與改進反向恢復過程中的體二極管
2018-12-03 13:43:55
Toshiba推出高性能功率MOSFET TK系列
Toshiba推出新系列的功率MOSFET，這些功率MOSFET改善效率和具有快速開關速度，應用工作電壓高達650V, 電流20A。新的TK系列器件適合用于各
2010-03-30 10:37:181447 英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產品系列將現代超級結（SJ）器件的優勢（如低導通電阻和低容性開關損耗）與輕松控制的開關行為、及
2010-07-05 08:48:261672 英飛凌目前正推出另一項重要的創新型高壓CoolMOS MOSFET。這種全新的650V CoolMOS CFD2是全球首款具備650V漏源電壓并集成快速體二極管的高壓晶體管。
2011-02-16 09:11:171845 英飛凌科技股份有限公司擴展其車用功率半導體系列產品，推出全新 650V CoolMOS CFDA。這是業界首創整合高速本體二極體技術的超接面 MOSFET 解決方案，符合最高的汽車認證標準 AEC-Q101。
2012-04-05 09:31:021458 2015年3月2日，德國慕尼黑——英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）發布了能夠讓應用于汽車中的高速開關實現最高效率的高堅固性650V IGBT系列。
2015-03-04 10:00:291443 SiC MOSFET與傳統硅MOSFET在短路特性上有所差異，以英飛凌CoolSiC? 系列為例，全系列SiC MOSFET具有大約3秒的短路耐受能力。可以利用器件本身的這一特性，在驅動設計中考慮短路保護功能，提高系統可靠性。
2018-06-15 10:09:3825116 
ROHM第三代碳化硅MOSFET特點（相比第二代）ROHM第三代設計應用于650V和1200V產品之中，包括分立或模組封裝。本報告深入分析了650V和1200V第三代溝槽MOSFET，并利用光學顯微鏡和掃描電鏡研究復雜的碳化硅溝槽結構。
2018-08-20 17:26:299042 CoolSiC肖特基二極管650V G6系列是英飛凌不斷提高技術和流程的結果，讓碳化硅肖特基二極管的設計和開發更具價格優勢，性能一代更比一代強。因此，G6是英飛凌最具有性價比的CooSiC肖特基二極管的一代，在同等價格下提供最高能效。
2019-09-24 10:42:523697 
在220V單相家用便攜式焊機應用中，大部分設計是使用650V IGBT單管制作逆變電源，開關頻率最高可以到50kHz，如果采用軟開關技術，開關頻率還能更高，也有使用650V硅基MOSFET為功率器件
2020-03-31 15:32:383409 英飛凌宣布推出650V SiC MOSFET，標志著公司進一步增強了在低壓SiC領域的布局，650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:504267 什么樣的MOSFET才適合儲能系統？英飛凌全新推出了碳化硅MOSFET：650V CoolSiC MOSFET產品系列，幫助儲能系統輕松實現更高效、更高功率密度以及雙向充/放電的設計。
2020-08-21 14:01:251014 
使用此SMD封裝從而提高應用性能的多種方法：被動冷卻解決方案、增大功率密度、延長使用壽命等等。請聯系您當地的英飛凌代表，詳細了解無風扇伺服驅動的實現、機器人和自動化行業的逆變器-電機一體化，以及低功率緊湊型充電器解決方案。 CoolSiC溝槽MOSFET技術經過優化，將性能與
2020-11-03 14:09:492695 效率。 了解使用此 SMD 封裝從而提高應用性能的多種方法：被動冷卻解決方案、增大功率密度、延長使用壽命等等。 CoolSiC?溝槽 MOSFET 技術經過優化，將性能與可靠性相結合，并具有 3μs 的短路時間。由于采用 .XT 連接技術，其小巧封裝外形的散熱性能得到顯著改善。相比標準封裝的連接技術，
2021-03-01 12:16:022084 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（東芝）宣布，在其TOLL（TO-無引線）封裝的DTMOSVI系列中推出650V超級結功率MOSFET-
2021-03-15 15:44:231117 
前言背景： 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續流二極管，取代了傳統Si的Rapid1快速續流二極管
2021-03-26 16:40:202349 
英飛凌科技股份公司將EasyDUAL? CoolSiC? MOSFET模塊升級為新型氮化鋁（AIN） 陶瓷。
2021-08-06 15:25:301192 TP650H070L系列650V，72m? 氮化鎵（GaN）FET是常關器件。它們結合了最先進的技術高壓GaN HEMT和低壓硅MOSFET提供卓越可靠性和性能的技術。
2022-03-31 15:03:35
10 650V 60mΩ SiC MOSFET主要應用市場包括光伏和儲能、驅動、電動汽車及充電樁、UPS、電源等。據HIS報告，電動汽車充電市場的增長將非常強勁，高達59%。
2022-08-02 15:06:55614 
英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續流二極管，取代了傳統Si的Rapid1快速續流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，進一步優化了系統效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2022-08-01 10:11:29538 
Wolfspeed 新款車規級 E-系列（E3M）650V、60 mΩ MOSFET 系列幫助設計人員滿足 EV 車載充電機應用。采用 Wolfspeed 第三代 SiC MOSFET 技術
2022-11-07 09:59:21917 650V 快速恢復 SuperFET? II MOSFET 在諧振拓撲中實現高系統效率和可靠性
2022-11-14 21:08:360 繼先后推出成熟化的全系列碳化硅二極管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模塊產品后，2023年7月 森國科正式對外推出650V超結MOSFET系列新品 ，相較于傳統的功率MOSFET，SJMOSFET具有
2023-07-20 11:09:16638 
電子發燒友網站提供《SLP12N65C美浦森高壓MOSFET 650V 12A.pdf》資料免費下載
2022-04-29 14:06:570 電子發燒友網站提供《SLP10N65C美浦森高壓MOSFET 650V 12A.pdf》資料免費下載
2022-04-29 14:12:250 電子發燒友網站提供《SLP8N65C美浦森高壓MOSFET 650V 7.5A.pdf》資料免費下載
2022-04-29 14:30:151 電子發燒友網站提供《SLP5N65C美浦森高壓MOSFET 650V 4.5A.pdf》資料免費下載
2022-04-29 14:33:490 碳化硅MOSFET在材料與器件特性上不同于傳統硅，如何保證性能和可靠性的平衡是所有廠家需要面對的首要問題，英飛凌作為業界為數不多的采用溝槽柵做SiCMOSFET的企業，如何使用創新的非對稱溝槽
2023-11-28 08:13:57372 
IGBT 作為一種功率半導體器件，廣泛應用于工業節能、電動汽車和新能源裝備等領域。IGBT 具有節能、安裝方便、維護方便、散熱穩定等特點，是能量轉換和傳輸的核心裝置。瑞能的650V IGBT產品在電性能和可靠性等方面具備諸多優勢，在行業內也處于領先地位。
2023-12-26 13:31:35276 
近日，瞻芯電子采用TO263-7封裝的第二代SiC MOSFET中650V 40mΩ產品IV2Q06040D7Z通過了嚴苛的車規級可靠性認證，該產品采用TO263-7貼片封裝，具有體積較小，安裝簡便，損耗更低的特點。
2024-01-16 10:16:24770 
英飛凌科技股份公司近日發布了全新的650V軟特性發射極控制高速二極管EC7。這款二極管采用TO247-2封裝，具有2個引腳，不僅增加了安規距離，提高了可靠性，而且適用于多種應用場景。
2024-02-01 10:50:02365 英飛凌科技股份公司近日發布了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列。這款產品采用了先進的TO-247PLUS-4-HCC封裝，規格為12-100mΩ，旨在滿足高壓應用的需求。
2024-02-01 10:51:00381 Ω規格的IV2Q06060D7Z，均成功通過了嚴苛的車規級可靠性認證。這一認證標志著瞻芯電子的SiC MOSFET產品已經滿足了汽車行業對高可靠性、高性能的嚴格要求，為新能源汽車市場的高效發展注入了新的活力。
2024-03-07 09:43:18222 另外，CoolSiC MOSFET產品組合還成功實現了SiC MOSFET市場中的最低導通電阻值（Rdson），這大大提高了能效、功率密度，以及在電力系統中的可靠性，降低了零件使用數量。
2024-03-10 12:32:41502 3月8日，瞻芯電子開發的3款第二代650V SiC MOSFET產品通過了嚴格的車規級可靠性認證（AEC-Q101 Qualified）。
2024-03-11 09:24:38287 
近日，瞻芯電子宣布其研發的三款第二代650V SiC MOSFET產品成功通過了嚴格的AEC-Q101車規級可靠性認證，這一里程碑式的成就標志著瞻芯電子在功率電子領域的持續創新與技術突破。
2024-03-12 11:04:24260 瞻芯電子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET產品，這些產品不僅通過了嚴格的車規級可靠性認證（AEC-Q101 Qualified），還具備業界領先的低損耗水平。這些新型MOSFET的推出，標志著瞻芯電子在半導體技術領域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13279 英飛凌最近發布了全新的750VG1分立式CoolSiC?MOSFET，滿足工業和汽車領域對更高能效和功率密度的不斷增長需求。這款產品系列包含了專為圖騰柱PFC、T型、LLC/CLLC、雙有源
2024-03-15 16:31:45209 
英飛凌科技股份公司，作為全球領先的半導體公司，近日推出了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列，這一創新產品采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，為設計人員提供了滿足更高功率密度需求的解決方案。
2024-03-20 10:27:29126 英飛凌科技股份公司推出的新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術，無疑為功率系統和能量轉換領域帶來了革命性的進步。與上一代產品相比，全新的CoolSiC? MOSFET 650V和1200V
2024-03-20 10:32:36132 CoolSiC 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，規格為12-100mΩ。由于采用了.XT互聯技術，CoolSiC技術的輸出電流能力強，可靠性提高。
2024-03-22 14:08:3565
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